公开(公告)号：CN108257993A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711458782.3

申请日：2017-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金声仁 ,  李宰圭 ,  姜载禄

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14636

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、在衬底内在第一方向上彼此间隔开的第一凹陷和第二凹陷、填充第一凹陷并突出超过衬底的第一栅电极、填充第二凹陷并突出超过衬底的第二栅电极、形成在第一凹陷与第二凹陷之间的第一源极/漏极、相对于第一凹陷形成在与第一源极/漏极相反的方向上的第二源极/漏极、以及相对于第二凹陷形成在与第一源极/漏极相反的方向上并且电连接到第二源极/漏极的第三源极/漏极。

公开(公告)号：CN112701140A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202010580117.7

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河泰洪 ,  姜载禄

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 提供了一种可变电阻存储器器件，所述可变电阻存储器器件包括：下导电线，位于基底上；上导电线，位于下导电线上以与下导电线交叉；以及存储器单元，位于下导电线与上导电线之间。下导电线在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开。下导电线中的每条包括：第一线部分，在第一方向上延伸；第二线部分，从第一线部分沿第二方向偏移并且在第一方向上延伸；以及连接部分，将第一线部分连接到第二线部分。

公开(公告)号：CN101051637A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710096708.1

申请日：2007-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜载禄 ,  吉田诚 ,  张世明

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795

Abstract: 使用光刻胶掩模图形制造半导体器件，以及有选择地除去单元区和外围电路区中的部分里衬氮化物层。形成改进的FinFET，以减小由单元区中的相邻栅极线传送的信号的影响。与改进的FinFET的形成同时，在核心区和外围区中分别形成双FinFET和基本上平坦的MOSFET。