公开(公告)号：CN100561741C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610056776.0

申请日：2006-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵良浩 ,  郑敞午 ,  吴旼锡 ,  李制勋 ,  赵范锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种TFT基板，其包括底部基板、形成在底部基板之上的栅极布线、栅极绝缘层、活性层、氧化抑制层、数据布线、保护层以及像素电极。栅极布线包括栅极线和栅电极。栅极绝缘层形成在底部基板之上以覆盖栅极布线。活性层形成在栅极绝缘层之上。氧化抑制层形成在活性层之上。数据布线包括数据线、源电极和漏电极。源电极和漏电极设置在氧化抑制层之上，由于氧化抑制层的存在，降低了用于开启TFT的开电流(“Ion”)并增大了用于关闭TFT的闭电流(“Ioff”)。

公开(公告)号：CN100416754C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200510055765.6

申请日：2005-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  赵范锡 ,  李制勋 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  李永旭 ,  崔熙焕

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F2001/136236 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。

公开(公告)号：CN101051644A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710096764.5

申请日：2007-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宁洪龙 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  金度贤 ,  赵成宪 ,  宋基镕 ,  卢昌镐

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明公开了一种TFT基板及其制造方法。该方法包括在绝缘基板上形成栅极线和数据线。数据线与栅极线相交且与栅极线绝缘。栅极线、数据线、或栅极线和数据线二者的形成包括利用无电镀方法在基体图案上形成低电阻导电图案。

公开(公告)号：CN1761049A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510098150.1

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  裵良浩 ,  李制勋 ,  郑敞午

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/3276 ,  Y10S438/924

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。

公开(公告)号：CN1664686A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510067727.2

申请日：2005-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  李在敬 ,  郑敞午 ,  赵范锡

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786 ,  G09F9/35

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/12 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 用于大的平板显示器的多层连线通过在存在前体气体的情况下在基板上淀积钼以形成钼层而形成，所述前体气体包含氧、氮和碳中的至少一种。在所述钼层上淀积铝层。可在所述铝层上形成另一金属层。所述钼层具有面心立方(FCC)晶格结构并具有(111)择优取向。

公开(公告)号：CN101552242B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200910137759.3

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  裵良浩 ,  李制勋 ,  郑敞午

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/3276 ,  Y10S438/924

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。

公开(公告)号：CN1991555B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200610168369.9

申请日：2006-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金泳敏 ,  金保成 ,  李埈泳 ,  康盛旭

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L51/102 ,  G02F1/13439 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供了一种经改进的显示基板以降低在有机薄膜晶体管的绝缘层上的表面缺陷。还提供了制造的相关方法。在一个实施例中，显示基板包括底板、多条数据线、多条栅极线、由所述数据线和栅极线限定的像素、有机薄膜晶体管、以及像素电极。所述数据线在所述底板上并以第一方向定向。所述栅极线以与所述第一方向交叉的第二方向定向。所述有机薄膜晶体管包括电连接至数据线之一的源电极、电连接至栅极线之一的栅电极、以及有机半导体层。所述像素电极设置在所述像素内并电连接至有机薄膜晶体管。所述像素电极包括透明的氧氮化物。

公开(公告)号：CN1664686B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200510067727.2

申请日：2005-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  李在敬 ,  郑敞午 ,  赵范锡

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786 ,  G09F9/35

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/12 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 用于大的平板显示器的多层连线通过在存在前体气体的情况下在基板上淀积钼以形成钼层而形成，所述前体气体包含氧、氮和碳中的至少一种。在所述钼层上淀积铝层。可在所述铝层上形成另一金属层。所述钼层具有面心立方(FCC)晶格结构并具有(111)择优取向。

公开(公告)号：CN101552242A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910137759.3

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  裵良浩 ,  李制勋 ,  郑敞午

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/3276 ,  Y10S438/924

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。

公开(公告)号：CN101487960A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910001897.9

申请日：2009-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宁洪龙 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  裴良浩 ,  尹弼相 ,  朴弘植 ,  尹珠爱 ,  金炳范 ,  李炳珍

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/027 ,  G03F1/14

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种显示基板，所述显示基板包括绝缘基板、薄膜晶体管、像素电极、信号线和焊盘部件。绝缘基板具有显示区和包围显示区的外围区域。薄膜晶体管在绝缘基板的显示区中。像素电极在绝缘基板的显示区中并电连接到薄膜晶体管。信号线在绝缘基板上并从外围区域向显示区延伸。焊盘部/件在外围区域中并电连接到信号线。焊盘部件形成于绝缘基板的沟槽中，并且包括延伸进绝缘基板中的区域。因此，信号线可以固定连接到绝缘基板。