-
公开(公告)号：CN102201367A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010512778.2
申请日：2010-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/77 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66969
Abstract: 本发明提供了一种包括氧化物半导体层的薄膜晶体管阵列面板及一种容易地制造该薄膜晶体管阵列面板的方法，其中，该氧化物半导体层实现了优异的稳定性和电特性。一种薄膜晶体管阵列面板包括：基底；氧化物半导体层，设置在基底上，并包括从由氧化锌、氧化锡和氧化铪组成的组中选择的金属氧化物；栅电极，与氧化物半导体层叠置；栅极绝缘膜，设置在氧化物半导体层和栅电极之间；源电极和漏电极，设置成彼此分开并且与氧化物半导体层至少部分地叠置。
-
公开(公告)号：CN101086996B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200610148642.1
申请日：2006-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/28 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/3262 , H01L51/0005 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，与源电极相对；有机半导体，与源电极和漏电极部分接触；栅极绝缘构件，位于栅电极和有机半导体之间；绝缘存储体，具有开口，有机半导体和栅极绝缘构件位于该开口中，该开口形成为十字形，在该十字形中水平部分和垂直部分交叉。
-
公开(公告)号：CN101123265A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140400.2
申请日：2007-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，该阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并且包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，面对源电极。有机半导体通过具有开口的绝缘层接触源电极和漏电极，所述开口限定有机半导体的位置。绝缘层包含具有含氟化合物的丙烯酸感光树脂。本发明公开了制造上述薄膜晶体管阵列面板的方法。
-
公开(公告)号：CN101086996A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200610148642.1
申请日：2006-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/28 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/3262 , H01L51/0005 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，与源电极相对；有机半导体，与源电极和漏电极部分接触；栅极绝缘构件，位于栅电极和有机半导体之间；绝缘存储体，具有开口，有机半导体和栅极绝缘构件位于该开口中，该开口形成为十字形，在该十字形中水平部分和垂直部分交叉。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1991555A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610168369.9
申请日：2006-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/136 , G02F1/133 , H01L21/00
CPC classification number: H01L51/102 , G02F1/13439 , H01L27/283 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了一种经改进的显示基板以降低在有机薄膜晶体管的绝缘层上的表面缺陷。还提供了制造的相关方法。在一个实施例中，显示基板包括底板、多条数据线、多条栅极线、由所述数据线和栅极线限定的像素、有机薄膜晶体管、以及像素电极。所述数据线在所述底板上并以第一方向定向。所述栅极线以与所述第一方向交叉的第二方向定向。所述有机薄膜晶体管包括电连接至数据线之一的源电极、电连接至栅极线之一的栅电极、以及有机半导体层。所述像素电极设置在所述像素内并电连接至有机薄膜晶体管。所述像素电极包括透明的氧氮化物。
-
公开(公告)号：CN1991555B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200610168369.9
申请日：2006-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/136 , G02F1/133 , H01L21/00
CPC classification number: H01L51/102 , G02F1/13439 , H01L27/283 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了一种经改进的显示基板以降低在有机薄膜晶体管的绝缘层上的表面缺陷。还提供了制造的相关方法。在一个实施例中，显示基板包括底板、多条数据线、多条栅极线、由所述数据线和栅极线限定的像素、有机薄膜晶体管、以及像素电极。所述数据线在所述底板上并以第一方向定向。所述栅极线以与所述第一方向交叉的第二方向定向。所述有机薄膜晶体管包括电连接至数据线之一的源电极、电连接至栅极线之一的栅电极、以及有机半导体层。所述像素电极设置在所述像素内并电连接至有机薄膜晶体管。所述像素电极包括透明的氧氮化物。
-
公开(公告)号：CN1905232B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200610103288.0
申请日：2006-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/107
Abstract: 一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘膜，形成在栅电极上，并具有暴露至少一部分栅电极的开口；第二栅极绝缘膜，覆盖由开口暴露的栅电极，并具有大于第一栅极绝缘膜的介电常数；源电极和漏电极，彼此分开布置在第二栅极绝缘膜的中心区域，并在其之间限定了沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区中。还提供了一种制造TFT基板的方法。因此，本发明提供了一种TFT基板，其中TFT的特性被改进。
-
公开(公告)号：CN101114667A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710149418.9
申请日：2007-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/28 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/3276 , H01L51/0545 , H01L51/102
Abstract: 一种便于控制TFT的开关动作的有机薄膜晶体管(“TFT”)基板。有机TFT基板包括：基板上的栅极线，与栅极线在同一平面的像素电极，与栅极线绝缘的数据线，包括连接到栅极线的栅极电极、连接到数据线并与栅极线绝缘的源极电极、连接到像素电极并且与栅极电极绝缘的漏极电极和与源极和漏极电极的每一个相接触的有机半导体层的有机TFT，和在栅极线与栅极电极上的栅极绝缘层。本发明还涉及有机薄膜晶体管的制造方法。
-
公开(公告)号：CN1905232A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610103288.0
申请日：2006-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/107
Abstract: 一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘膜，形成在栅电极上，并具有暴露至少一部分栅电极的开口；第二栅极绝缘膜，覆盖由开口暴露的栅电极，并具有大于第一栅极绝缘膜的介电常数；源电极和漏电极，彼此分开布置在第二栅极绝缘膜的中心区域，并在其之间限定了沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区中。还提供了一种制造TFT基板的方法。因此，本发明提供了一种TFT基板，其中TFT的特性被改进。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.026 seconds)
