-
公开(公告)号：CN1873530B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200610088744.9
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/32 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括：掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括：第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外，第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光，第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分，用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光，第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明，通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高，使得显示装置的闪烁和/或余像减少，由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。
-
公开(公告)号：CN1937276A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610138902.7
申请日：2006-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/102
Abstract: 本发明公开了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的有机半导体层；源极；和漏极，其中所述源极和所述漏极夹置于所述绝缘基板和所述有机半导体层之间，且从彼此分开以在其之间界定沟道区，所述沟道区偏置于其中形成所述有机半导体层的区域的一侧。
-
公开(公告)号：CN1873530A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610088744.9
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/14 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括：掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括：第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外，第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光，第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分，用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光，第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明，通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高，使得显示装置的闪烁和/或余像减少，由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。
-
公开(公告)号：CN106548762A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610812254.2
申请日：2016-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G5/00
CPC classification number: G06F1/1605 , G06F2200/1612 , G09G3/3406 , H04N5/64 , H04R5/02 , G09G5/00 , G09G5/003
Abstract: 提供了一种连接到显示设备的控制设备。控制设备包括：主板，配置成生成控制显示设备的第一控制信号；光源驱动器，配置成生成驱动显示设备的光源的第二控制信号；电源，配置成向显示设备供应电力；以及串行收发器，配置成执行与显示设备的串行通信并且通过串行通信将第一控制信号、第二控制线号以及电力传输到显示设备。
-
公开(公告)号：CN1905232B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200610103288.0
申请日：2006-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/107
Abstract: 一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘膜，形成在栅电极上，并具有暴露至少一部分栅电极的开口；第二栅极绝缘膜，覆盖由开口暴露的栅电极，并具有大于第一栅极绝缘膜的介电常数；源电极和漏电极，彼此分开布置在第二栅极绝缘膜的中心区域，并在其之间限定了沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区中。还提供了一种制造TFT基板的方法。因此，本发明提供了一种TFT基板，其中TFT的特性被改进。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1905232A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610103288.0
申请日：2006-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/107
Abstract: 一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘膜，形成在栅电极上，并具有暴露至少一部分栅电极的开口；第二栅极绝缘膜，覆盖由开口暴露的栅电极，并具有大于第一栅极绝缘膜的介电常数；源电极和漏电极，彼此分开布置在第二栅极绝缘膜的中心区域，并在其之间限定了沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区中。还提供了一种制造TFT基板的方法。因此，本发明提供了一种TFT基板，其中TFT的特性被改进。
-
公开(公告)号：CN100549770C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200410082256.8
申请日：2004-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1337 , G02F1/133371 , G02F2001/133761 , G02F2001/133776
Abstract: 提供一种液晶显示器，其包括：基板；形成在基板上的场产生电极；和形成在基板上并具有小于大约45度的倾斜角的倾斜构件。
-
公开(公告)号：CN1822352A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610002183.6
申请日：2006-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/14692
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。该方法包括：在基底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线和漏极；在数据线和漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成包括第一部分和比第一部分薄的第二部分的光阻剂；将光阻剂作为掩模蚀刻钝化层，从而至少部分地暴露漏极的一部分；去除光阻剂的第二部分；沉积导电膜；去除光阻剂，从而在漏极的暴露部分上形成像素电极。
-
公开(公告)号：CN1755472A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510108450.3
申请日：2005-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金洙真
IPC: G02F1/1368 , G02F1/133 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/133753 , G02F1/133371 , G02F1/133707 , G02F1/133788 , G02F1/1393 , G02F2001/133776 , G03F1/50
Abstract: 本发明公开一种液晶显示器的制造方法及用在其中的掩模。所述方法包括：在基板上淀积绝缘层；将基板与具有沿预定方向逐渐增加的透射率的掩模对准；以及通过采用掩模的光刻构图绝缘层而形成倾斜元件。
-
公开(公告)号：CN106358079A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610238266.9
申请日：2016-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/442 , H04N21/433 , H04N21/2743
CPC classification number: H04N21/44218 , G06K9/00255 , G06K9/00302 , H04N5/77 , H04N9/802 , H04N21/4147 , H04N21/4223 , H04N21/4312 , H04N21/4334 , H04N21/44008 , H04N21/84 , H04N21/2743
Abstract: 一种图像显示装置，包括：照相机，配置为捕捉用户面部图像；显示器，配置为显示当前在图像显示装置中再现的视频；以及控制器，配置为根据在进入个人视频记录(PVR)模式时捕捉的用户面部图像来检测面部表情的改变，并在检测到面部表情的改变时，存储从检测到面部表情的改变的时间点之前的第一时间点到检测到面部表情的改变的时间点之后的第二时间点将要再现的视频。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.024 seconds)
