公开(公告)号：CN1917226B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610115554.1

申请日：2006-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  洪雯杓 ,  李容旭 ,  吴俊鹤 ,  宋根圭 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所述有机薄膜晶体管阵列面板包括：衬底；数据线，形成衬底上；栅极线，与数据线交叉且包括栅电极；第一层间绝缘层，形成于栅极线和数据线上且包括暴露栅电极的第一开口；栅极绝缘体，形成于第一开口中；源电极，设置于栅极绝缘体上且连接到数据线；像素电极，设置于栅极绝缘体上且包括与源电极相对的漏电极；绝缘岸，形成于源电极和漏电极上，绝缘岸界定暴露至少部分的源电极和漏电极的第二开口；和有机半导体，形成于第二开口中。

公开(公告)号：CN100495718C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200610168697.9

申请日：2006-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔泰荣 ,  宋根圭 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L27/12 ,  H01L51/05 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L51/40 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  G02F2202/02 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262

Abstract: 一种显示装置，包括：绝缘基板；数据导体，其形成于所述绝缘基板上并包括导电膜；薄膜晶体管，其具有与所述导电膜电连接的至少一个源电极和沿所述源电极的周围形成的并与之隔开的漏电极；以及与所述导电膜电连接的像素电极。

公开(公告)号：CN101114667A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710149418.9

申请日：2007-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋根圭 ,  赵承奂 ,  金保成 ,  金泳敏 ,  慎重汉

IPC: H01L27/28 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/3274 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/102

Abstract: 一种便于控制TFT的开关动作的有机薄膜晶体管(“TFT”)基板。有机TFT基板包括：基板上的栅极线，与栅极线在同一平面的像素电极，与栅极线绝缘的数据线，包括连接到栅极线的栅极电极、连接到数据线并与栅极线绝缘的源极电极、连接到像素电极并且与栅极电极绝缘的漏极电极和与源极和漏极电极的每一个相接触的有机半导体层的有机TFT，和在栅极线与栅极电极上的栅极绝缘层。本发明还涉及有机薄膜晶体管的制造方法。

公开(公告)号：CN101017840A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610064368.X

申请日：2006-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋根圭 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L51/0541

Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管阵列板及其制造方法，该阵列板包括：衬底；形成在衬底上的数据线；连接到数据线的源极电极；包含面对源极电极的部分的漏极电极；与源极电极和漏极电极部分交叠的第一有机半导体；形成在第一有机半导体上的第一栅极绝缘件；形成在第一栅极绝缘件上的阻挡件；与阻挡件形成在相同层上并连接到漏极电极的像素电极；包含栅极电极的栅极线，其与数据线相交叉并形成在阻挡件上。

公开(公告)号：CN1917226A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610115554.1

申请日：2006-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  洪雯杓 ,  李容旭 ,  吴俊鹤 ,  宋根圭 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所述有机薄膜晶体管阵列面板包括：衬底；数据线，形成衬底上；栅极线，与数据线交叉且包括栅电极；第一层间绝缘层，形成于栅极线和数据线上且包括暴露栅电极的第一开口；栅极绝缘体，形成于第一开口中；源电极，设置于栅极绝缘体上且连接到数据线；像素电极，设置于栅极绝缘体上且包括与源电极相对的漏电极；绝缘岸，形成于源电极和漏电极上，绝缘岸界定暴露至少部分的源电极和漏电极的第二开口；和有机半导体，形成于第二开口中。

公开(公告)号：CN101355095A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810098817.1

申请日：2008-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢正训 ,  宋根圭 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L51/0541 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管阵列面板及用于制造有机薄膜晶体管阵列面板的方法，所述方法包括：在基底上形成包括源电极的数据线和与源电极分开的漏电极；在数据线和漏电极上形成包括第一开口和第二开口的堤绝缘层；在第一开口中形成有机半导体；在堤绝缘层和有机半导体上执行绝缘材料层和金属层的顺序沉积；在金属层上形成第一钝化层，使用第一钝化层作为蚀刻掩模来蚀刻金属层，以形成包括栅电极的栅极线；使用第一钝化层作为蚀刻掩模来蚀刻绝缘材料层，以形成栅极绝缘层；在第一钝化层上形成第二钝化层；在第二钝化层上形成像素电极。

公开(公告)号：CN102201367A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201010512778.2

申请日：2010-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泳敏 ,  郑然泽 ,  张善弼 ,  赵承奂 ,  金保成 ,  崔泰荣

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明提供了一种包括氧化物半导体层的薄膜晶体管阵列面板及一种容易地制造该薄膜晶体管阵列面板的方法，其中，该氧化物半导体层实现了优异的稳定性和电特性。一种薄膜晶体管阵列面板包括：基底；氧化物半导体层，设置在基底上，并包括从由氧化锌、氧化锡和氧化铪组成的组中选择的金属氧化物；栅电极，与氧化物半导体层叠置；栅极绝缘膜，设置在氧化物半导体层和栅电极之间；源电极和漏电极，设置成彼此分开并且与氧化物半导体层至少部分地叠置。

公开(公告)号：CN101086996B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200610148642.1

申请日：2006-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵承奂 ,  金泳敏 ,  宋根圭

IPC: H01L27/28 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/3274 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，与源电极相对；有机半导体，与源电极和漏电极部分接触；栅极绝缘构件，位于栅电极和有机半导体之间；绝缘存储体，具有开口，有机半导体和栅极绝缘构件位于该开口中，该开口形成为十字形，在该十字形中水平部分和垂直部分交叉。

公开(公告)号：CN101009297A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610168697.9

申请日：2006-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔泰荣 ,  宋根圭 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L27/12 ,  H01L51/05 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L51/40 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  G02F2202/02 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262

Abstract: 一种显示装置，包括：绝缘基板；数据导体，其形成于所述绝缘基板上并包括导电膜；薄膜晶体管，其具有与所述导电膜电连接的至少一个源电极和沿所述源电极的周围形成的并与之隔开的漏电极；以及与所述导电膜电连接的像素电极。

公开(公告)号：CN1996610A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610166914.0

申请日：2006-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋根圭 ,  崔泰荣 ,  黄泰亨 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L51/40 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该面板包括：基板；在基板上彼此相交的多条第一和第二信号线；连接到第一信号线的源电极；连接到第二信号线的漏电极；连接到漏电极的像素电极；形成在源电极和漏电极上并具有第一开口的第一分隔物，其中第一开口的下部宽度比第一开口的上部宽度更宽；形成在第一开口中并且至少与部分源电极和漏电极交迭的有机半导体；以及，连接到第二信号线并且至少与部分有机半导体交迭的栅电极。