公开(公告)号：CN102201367A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201010512778.2

申请日：2010-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泳敏 ,  郑然泽 ,  张善弼 ,  赵承奂 ,  金保成 ,  崔泰荣

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明提供了一种包括氧化物半导体层的薄膜晶体管阵列面板及一种容易地制造该薄膜晶体管阵列面板的方法，其中，该氧化物半导体层实现了优异的稳定性和电特性。一种薄膜晶体管阵列面板包括：基底；氧化物半导体层，设置在基底上，并包括从由氧化锌、氧化锡和氧化铪组成的组中选择的金属氧化物；栅电极，与氧化物半导体层叠置；栅极绝缘膜，设置在氧化物半导体层和栅电极之间；源电极和漏电极，设置成彼此分开并且与氧化物半导体层至少部分地叠置。