公开(公告)号：CN106067542B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201510761655.5

申请日：2015-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/583 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及负极材料、包括其的二次电池、及它们的制造方法。实例实施方式涉及电极材料、包括所述电极材料的二次电池、以及制造所述电极材料和所述二次电池的方法。电极材料可包括具有多个孔的泡沫结构体和设置于所述多个孔中的多个纳米结构体。所述泡沫结构体可包括石墨烯泡沫结构体。所述多个纳米结构体可包括纳米颗粒和纳米棒的至少一种。所述多个纳米结构体可包括能够容纳/放出离子的材料。所述电极材料可用作二次电池的负极材料。

公开(公告)号：CN109307983A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810735125.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛骏 ,  申铉振 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  薛珉洙 ,  李东郁 ,  李润姓 ,  A.郑

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56

Abstract: 提供用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法，所述用于光掩模的表膜由所述表膜组合物形成。所述表膜组合物包括：选自石墨烯量子点和石墨烯量子点前体的至少一种，所述石墨烯量子点具有约50nm或更小的尺寸；和溶剂。

公开(公告)号：CN104103671B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410175362.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  D·许 ,  禹轮成 ,  李东郁 ,  李载昊 ,  郑现钟 ,  许镇盛 ,  柳寅敬

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/428 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。

公开(公告)号：CN109307983B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201810735125.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛骏 ,  申铉振 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  薛珉洙 ,  李东郁 ,  李润姓 ,  A.郑

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56

Abstract: 提供用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法，所述用于光掩模的表膜由所述表膜组合物形成。所述表膜组合物包括：选自石墨烯量子点和石墨烯量子点前体的至少一种，所述石墨烯量子点具有约50nm或更小的尺寸；和溶剂。

公开(公告)号：CN108241262B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201711135559.5

申请日：2017-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  郑盛骏

IPC: G03F7/11

Abstract: 提供硬掩模组合物、使用硬掩模组合物形成图案的方法、和由硬掩模组合物形成的硬掩模，所述硬掩模组合物包括溶剂、2D碳纳米结构(和/或其衍生物)、和0D碳纳米结构(和/或其衍生物)。

公开(公告)号：CN108288625A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201711443369.X

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  李殷奎 ,  赵常玹 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/156 ,  H01L27/307 ,  H01L29/122 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0579 ,  Y02E10/547 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14665

Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。

公开(公告)号：CN107768331A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710700935.4

申请日：2017-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  郑盛骏 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3733 ,  B82Y30/00 ,  C08K3/042 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/42

Abstract: 公开了使用诸如石墨烯量子点(GQD)的纳米尺寸的石墨烯碎片的散热结构和/或制造该散热结构的方法。一种散热结构包括发热元件以及在发热元件上以将产生自发热元件的热消散至外部的散热膜。散热膜可以包括GQD。