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公开(公告)号：CN110620137B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910106711.X
申请日：2019-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种鳍式场效应晶体管包括在衬底上沿第一方向延伸的第一鳍和沿第一方向延伸并在第一方向上与第一鳍间隔开的第二鳍。第三鳍提供有比第一鳍和第二鳍的长边短的长边并设置在第一鳍与第二鳍之间。第一栅极结构沿与第一方向不同的第二方向延伸并横跨第一鳍。器件隔离层设置在第一鳍、第二鳍和第三鳍的每个的下侧壁上并形成为沿第一方向延伸。电绝缘的扩散中断区包括横跨在第一鳍与第三鳍之间的第一部分、横跨在第二鳍与第三鳍之间的第二部分和在第三鳍上设置于第一部分与第二部分之间的第三部分。扩散中断区在器件隔离层上沿第二方向延伸。第三部分的下表面的水平高于第一部分和第二部分的每个的下端的水平且低于第一栅极结构的上表面的水平。
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公开(公告)号：CN112071895A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010511924.3
申请日：2020-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/04 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区，其位于衬底上，并且包括在第一方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁；以及外延图案，其位于有源区上，其中，外延图案包括分别从第一侧壁和第二侧壁延伸的第一外延侧壁和第二外延侧壁，第一外延侧壁包括第一外延下侧壁、第一外延上侧壁以及连接第一外延下侧壁和第一外延上侧壁的第一外延连接侧壁，第二外延侧壁包括第二外延下侧壁、第二外延上侧壁以及连接第二外延下侧壁和第二外延上侧壁的第二外延连接侧壁，第一外延上侧壁与第二外延上侧壁之间的距离随着远离有源区而减小，并且第一外延下侧壁和第二外延下侧壁与衬底的顶表面平行地延伸。
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公开(公告)号：CN110970486A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910752340.2
申请日：2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：有源鳍，每个所述有源鳍在衬底上沿第一方向延伸，所述有源鳍在不同于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；导电结构，所述导电结构在所述衬底上沿所述第二方向延伸，并且与所述有源鳍接触；第一扩散中断图案，所述第一扩散中断图案在所述衬底与所述导电结构之间，并且将所述有源鳍的第一有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分；以及第二扩散中断图案，所述第二扩散中断图案与所述衬底上的所述导电结构相邻，所述第二扩散中断图案的上表面高于所述导电结构的下表面，并且所述第二扩散中断图案将所述有源鳍的第二有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分。
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公开(公告)号：CN110970433A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910891256.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件包括：衬底，其包括有源图案；栅电极，其在第一方向上延伸并且与在第二方向上延伸的有源图案相交；分离结构，其与有源图案相交并且在第一方向上延伸；第一栅极介电图案，其设置在栅电极的侧表面上；第二栅极介电图案，其设置在分离结构的侧表面上；和栅极封盖图案，其覆盖栅电极的顶表面。分离结构的顶表面的水平高度高于栅极封盖图案的顶表面的水平高度。
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公开(公告)号：CN110797339A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910640800.2
申请日：2019-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一有源图案，所述第一有源图案沿第一方向纵长地延伸；第二有源图案，所述第二有源图案沿所述第一方向纵长地延伸并沿所述第一方向与所述第一有源图案间隔开。所述器件还包括位于所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的场绝缘膜。所述场绝缘膜的上表面低于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面或与所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面共面。所述器件还包括位于隔离沟槽中的元件隔离结构，所述隔离沟槽位于所述第一有源图案和所述场绝缘膜中。所述元件隔离结构的上表面高于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112002690B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010332676.6
申请日：2020-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/82
Abstract: 提供了包括鳍形有源区的集成电路装置及其形成方法。所述装置可以包括鳍形有源区、鳍形有源区上的多个半导体图案、多个半导体图案上的栅电极以及分别位于栅电极的相对侧上的源极/漏极区。栅电极可以包括在最上面的半导体图案上延伸的主栅极部分以及在多个半导体图案中的两个相邻半导体图案之间延伸的子栅极部分。子栅极部分可以包括子栅极中心部分和子栅极边缘部分。在水平截面图中，子栅极中心部分在第一方向上的第一宽度可以小于子栅极边缘部分中的一个子栅极边缘部分在第一方向上的第二宽度。
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公开(公告)号：CN110970486B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201910752340.2
申请日：2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：有源鳍，每个所述有源鳍在衬底上沿第一方向延伸，所述有源鳍在不同于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；导电结构，所述导电结构在所述衬底上沿所述第二方向延伸，并且与所述有源鳍接触；第一扩散中断图案，所述第一扩散中断图案在所述衬底与所述导电结构之间，并且将所述有源鳍的第一有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分；以及第二扩散中断图案，所述第二扩散中断图案与所述衬底上的所述导电结构相邻，所述第二扩散中断图案的上表面高于所述导电结构的下表面，并且所述第二扩散中断图案将所述有源鳍的第二有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分。
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公开(公告)号：CN110970433B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910891256.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件包括：衬底，其包括有源图案；栅电极，其在第一方向上延伸并且与在第二方向上延伸的有源图案相交；分离结构，其与有源图案相交并且在第一方向上延伸；第一栅极介电图案，其设置在栅电极的侧表面上；第二栅极介电图案，其设置在分离结构的侧表面上；和栅极封盖图案，其覆盖栅电极的顶表面。分离结构的顶表面的水平高度高于栅极封盖图案的顶表面的水平高度。
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公开(公告)号：CN115148817A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210245403.7
申请日：2022-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，在第一方向上延伸并且在第二方向上分别具有第一宽度和第二宽度，第二宽度大于第一宽度；连接区，连接到第一有源区和第二有源区并且在所述第二方向上具有在第一宽度与第二宽度之间的第三宽度；第一栅结构和第二栅结构，分别与第一有源区和第二有源区交叉并且在第二方向上延伸；以及虚设结构，与连接区的至少一部分交叉，在所述第二方向上延伸，并且在第一方向上在第一栅结构与第二栅结构之间。虚设结构包括：第一图案部和第二图案部，在第一方向上与第一栅结构的侧表面分别间隔开第一距离和第二距离，第二距离大于所述第一距离。
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公开(公告)号：CN101140928A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710149125.0
申请日：2007-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L21/82 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66515 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656
Abstract: 本发明示例性实施例公开了一种防止栅分隔件应力及对硅化物区的物理和化学损坏的半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件包括：基底；隔离区，形成在基底中；栅图案，在基底上形成在隔离区之间；L形分隔件，与栅图案的侧壁相邻，并延伸到基底的表面；源/漏硅化物区，在L形分隔件的延伸到基底的表面的端部和隔离区之间形成在基底上；通孔塞，与源/漏硅化物区电连接；层间电介质层，与L形分隔件相邻，并填充形成在栅图案和基底上的通孔塞之间的空间；信号传输线，形成在层间电介质层上。
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