公开(公告)号：CN112242377B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202010684555.8

申请日：2020-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜成进 ,  白宗玟 ,  刘禹炅 ,  韩奎熙 ,  金汉城 ,  李长镐 ,  张相信

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件包括：第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中的导电图案；在导电图案上的电阻图案；上蚀刻停止膜，与电阻图案间隔开，平行于电阻图案的顶表面延伸，并且包括第一金属；下蚀刻停止膜，在导电图案上，平行于第一层间绝缘膜的顶表面延伸，并且包括第二金属；以及在上蚀刻停止膜和下蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜，其中从第二层间绝缘膜的顶表面到上蚀刻停止膜的顶表面的距离小于从第二层间绝缘膜的顶表面到下蚀刻停止膜的顶表面的距离。

公开(公告)号：CN116913965A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310362129.6

申请日：2023-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白奉官 ,  林俊赫 ,  千正焕 ,  韩奎熙 ,  白宗玟 ,  柳庚玟 ,  申定候 ,  张相信

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了具有改善的性能和可靠性的半导体器件和用于形成其的方法。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案、在有源图案上在第一方向上彼此间隔开的栅极结构、在有源图案上的源极/漏极图案、在源极/漏极图案上的源极/漏极接触、以及沿着源极/漏极接触的侧壁延伸的接触衬垫。接触衬垫的第一点处的接触衬垫的碳浓度不同于接触衬垫的第二点处的接触衬垫的碳浓度，第一点在距有源图案的上表面的第一高度处，第二点在距有源图案的上表面的第二高度处，第一高度小于第二高度。

公开(公告)号：CN115692375A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210865237.0

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  申定候 ,  张相信 ,  千正焕 ,  朴径范 ,  朴水贤

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，具有有源区；第一绝缘层，在基底上；第二绝缘层，在第一绝缘层上；蚀刻停止层，在第一绝缘层与第二绝缘层之间；过孔触点，在第一绝缘层中，并且电连接到有源区；互连电极，在第二绝缘层中，并且电连接到过孔触点；导电阻挡层，在互连电极的侧表面和下表面上，并且具有延伸到过孔触点的侧表面的部分区域的延伸部；以及侧绝缘层，在导电阻挡层的延伸部下方在过孔触点的侧区域上，侧绝缘层包括与蚀刻停止层的材料相同的材料。