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公开(公告)号：CN110828493A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910503830.9
申请日：2019-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，包括与光入射的第二表面相对的第一表面；第一光电转换层，位于衬底中；包括多个布线层的布线结构，位于衬底的第一表面上；层间绝缘膜，位于衬底的第二表面上；电容器结构，位于层间绝缘膜中；以及第一布线，位于层间绝缘膜上。所述电容器结构包括依次堆叠在衬底的第二表面上的第一导电图案、介电图案和第二导电图案。第二导电图案连接到第一布线。
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公开(公告)号：CN117813926A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280055379.9
申请日：2022-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本文公开的各种实施例的电子装置可包括：显示模块；连接构件，包括弯曲部分和保护层，弯曲部分连接到显示模块的显示面板并延伸到显示模块的后面，保护层由绝缘材料形成并覆盖弯曲部分；印刷电路板，设置在显示模块的后面处并通过连接构件连接到显示模块；框架，由导电材料形成并设置成围绕显示模块的至少一部分；侧构件，包括第一分隔壁部分和第二分隔壁部分，第一分隔壁部分设置在框架与显示模块之间以与框架间隔开，第二分隔壁部分设置成与显示模块间隔开并覆盖显示模块的外周的至少一部分；至少一个开口，形成在所述第一分隔壁部分中；和第一导电连接构件，从第二分隔壁部分延伸到第一分隔壁部分并设置在所述侧构件处，使得第一导电连接构件的至少一部分位于开口中并且第一导电连接构件的至少一部分面向连接构件。
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公开(公告)号：CN115706125A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210928175.3
申请日：2022-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括第一芯片和第二芯片。第一芯片包括：第一半导体衬底、在第一半导体衬底中的光电转换层、滤色器、微透镜、与光电转换层相邻的第一晶体管、第一绝缘层以及在第一绝缘层中的并且连接到第一晶体管的第一金属层。第二芯片包括第二绝缘层、第二半导体衬底、在第二半导体衬底上的第二晶体管、在第二绝缘层中的并且通过栅极接触连接到第二晶体管的栅极结构的第二金属层、在第二金属层下方的着陆金属层以及与着陆金属层直接接触并且垂直地穿过第二半导体衬底的通孔。随着通孔的宽度接近第三表面，通孔的宽度变得更窄。
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公开(公告)号：CN112637524A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010964195.7
申请日：2020-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器设备包括：第一数字像素，包括第一光电检测器和第一存储单元，第一存储单元用于存储与来自第一光电检测器的第一输出相对应的第一数字信号；以及第二数字像素，包括第二光电检测器和第二存储单元，第二存储单元用于存储与来自第二光电检测器的第二输出相对应的第二数字信号，第二数字像素与第一数字像素的一侧相邻，第一存储单元和第二存储单元与多个位线相连，第一存储单元与第一字线和第三字线相连，第二存储单元与第二字线和第四字线相连，第二字线在第一字线与第三字线之间，并且第三字线在第二字线与第四字线之间。
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公开(公告)号：CN110828493B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910503830.9
申请日：2019-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，包括与光入射的第二表面相对的第一表面；第一光电转换层，位于衬底中；包括多个布线层的布线结构，位于衬底的第一表面上；层间绝缘膜，位于衬底的第二表面上；电容器结构，位于层间绝缘膜中；以及第一布线，位于层间绝缘膜上。所述电容器结构包括依次堆叠在衬底的第二表面上的第一导电图案、介电图案和第二导电图案。第二导电图案连接到第一布线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109728012B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201811210354.3
申请日：2018-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像感测设备，该图像感测设备包括第一基底结构、第二基底结构和存储器芯片。第一基底结构包括具有光电转换元件的像素区域。第二基底结构包括连接到第一基底结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且还包括电路区域以驱动像素区域。存储器芯片安装在第二基底结构的第二表面上。第一基底结构和第二基底结构通过穿过第一基底结构的第一连接过孔电连接。第二基底结构和存储器芯片通过穿过第二基底结构的一部分的第二连接过孔电连接。第一连接过孔和第二连接过孔在平面上位于不同位置处。
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公开(公告)号：CN116093123A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211378569.2
申请日：2022-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器。该图像传感器包括：衬底，其包括多个单位像素，每个单位像素包括光电转换元件；第一沟槽，其以格子形状形成在所述衬底中以隔离多个单位像素；多个第一电容器结构，其在第一沟槽中沿着第一沟槽的侧壁延伸，并且各自包括第一电极、第二电极以及第一电极与所述第二电极之间的第一电介质层；以及第一电容器隔离图案，其位于第一沟槽的格子点处，以隔离多个第一电容器结构。
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公开(公告)号：CN110993628A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910521368.5
申请日：2019-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一基底；第一结构，位于第一基底的前表面上，第一结构包括围绕第一导电层的第一层间绝缘层；第二基底；第二结构，位于第二基底的面对第一基底的前表面的前表面上，第二结构包括第二层间绝缘层，第二层间绝缘层结合到第一层间绝缘层；有机光电层，位于第二基底的后表面上；以及通路电极结构，穿过第二基底和第二结构与第一导电层接触，通路电极结构包括位于通路电极结构中的气隙。
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公开(公告)号：CN110880519A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910500928.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。
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