公开(公告)号：CN109560078A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201810826611.X

申请日：2018-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申岘昇 ,  崔益准 ,  金昭映 ,  卞泰奎 ,  尹载允

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528

Abstract: 一种堆叠式存储器装置包括：逻辑半导体裸片；多个存储器半导体裸片，与所述逻辑半导体裸片堆叠在一起，其中所述存储器半导体裸片中的每一者包括存储器集成电路且所述存储器半导体裸片中的一者或多者是包括计算单元的计算半导体裸片；以及硅通孔，对所述逻辑半导体裸片与所述多个存储器半导体裸片进行电连接；其中所述计算单元中的每一者被配置成基于广播数据及内部数据实行计算并产生计算结果数据，其中所述广播数据通过所述硅通孔被共同地提供到所述多个计算半导体裸片，且所述内部数据是分别从所述多个计算半导体裸片的所述存储器集成电路读取。也提供一种存储器系统和操作方法。

公开(公告)号：CN107945833B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201711347720.5

申请日：2017-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴文熙 ,  柳济民 ,  吴凜 ,  尹载允

IPC: G11C29/04 ,  G11C8/10

Abstract: 提供包括状态电路的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括命令解码器和状态电路。命令解码器对命令进行解码。状态电路顺序地存储基于解码的命令确定的所述存储器装置的操作信息，并响应于输出控制信号而输出顺序存储的操作信息中的至少一个。

公开(公告)号：CN114090328A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110401897.9

申请日：2021-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵诚慧 ,  李起准 ,  金成来 ,  金灿基 ,  宋英杰 ,  柳睿信 ,  尹载允 ,  李明奎

IPC: G06F11/10

Abstract: 公开了存储器装置及读取数据的方法。从存储器中读取数据的方法包括：从存储器单元读取码字；当所述码字中的错误的数量小于可纠正错误的最大数量时，纠正所述错误；当所述码字中的错误的数量等于所述可纠正错误的最大数量并且所述错误与同一子字线相对应时，纠正所述错误；并且当所述码字中的错误的数量等于所述可纠正错误的最大数量并且所述错误与不同的子字线相对应时，输出指示所述错误是不可纠正错误的信号。

公开(公告)号：CN113496756A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110249709.5

申请日：2021-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳睿信 ,  金南昇 ,  车相彦 ,  尹载允 ,  李起准

IPC: G11C29/42

Abstract: 一种半导体存储器装置，包括：缓冲器晶片；堆叠在缓冲器晶片上的存储器晶片；以及硅通孔，存储器晶片中的至少一个包括：存储器单元阵列；错误校正码(ECC)引擎；错误信息寄存器；以及控制逻辑电路，其被配置为控制ECC引擎，以执行读修改写操作，其中，控制逻辑电路被配置为：基于产生信号和通过ECC码解码获得的第一校正子，在错误信息寄存器中记录与第一码字关联的第一地址；以及基于多个读修改写操作，基于在错误信息寄存器中记录的第一校正子的改变来确定第一码字的错误属性。

公开(公告)号：CN113220611A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110072030.3

申请日：2021-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权宁天 ,  柳济民 ,  尹载允 ,  李海硕 ,  崔志显

IPC: G06F13/38 ,  G06F13/42

Abstract: 提供了包括行引脚和列引脚的存储器设备及其操作方法，该方法包括在时钟信号的1.5个周期期间通过行引脚接收第一激活命令，在时钟信号的1个周期期间通过列引脚接收第一读命令或第一写命令，在与时钟信号的上升沿相对应的时钟信号的0.5个周期期间通过行引脚接收第一预充电命令，在时钟信号的1.5个周期期间通过行引脚接收第二激活命令，在时钟信号的1个周期期间通过列引脚接收第二读命令或第二写命令，并在与时钟信号的下降沿相对应的时钟信号的0.5个周期期间通过行引脚接收第二预充电命令。

公开(公告)号：CN113012744A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011039847.2

申请日：2020-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权宁天 ,  孙教民 ,  尹载允

IPC: G11C29/02

Abstract: 公开了一种高带宽存储器和一种包括该高带宽存储器的系统。高带宽存储器包括：缓冲器裸片；多个存储器裸片，堆叠内部在缓冲器裸片上；多个虚设凸块组，在缓冲器裸片的边缘区域和所述多个存储器裸片的边缘区域中，其中，所述多个虚设凸块组中的每个包括在彼此相邻的两个裸片之间彼此间隔开并且被配置为将彼此相邻的所述两个裸片连接的多个虚设凸块；多个信号线组，均包括多条信号线，所述多条信号线被配置为在凸块裂纹测试操作期间通过经由所述多个虚设凸块组中的每个的多个虚设凸块的顺序传输将施加到所述多个虚设凸块中的输入虚设凸块的输入信号和多个凸块裂纹检测信号之中的对应的信号传输到所述多个虚设凸块中的输出虚设凸块。

公开(公告)号：CN110098163A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201811580255.4

申请日：2018-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢寿政 ,  吴致成 ,  孙教民 ,  金勇基 ,  文钟淏 ,  禹昇汉 ,  尹载允

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明提供了一种包括分布电流的硅通孔的半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线接收电力。第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的在平面图中与其间隔开的硅通孔。

公开(公告)号：CN103065674A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210404449.5

申请日：2012-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹载允 ,  金孝昶 ,  李祥载

IPC: G11C11/401

CPC classification number: G11C11/40622 ,  G11C11/40615

Abstract: 本发明公开在一种执行综合局部自刷新(CPSR)方案的半导体存储器件，在该CPSR方案中，CPSR操作在每个存储体中包括的段上不执行自刷新操作。半导体存储器件包括：掩码信息寄存器，被配置为通过存储指示在其上不执行自刷新操作的存储体和段的信息来生成掩码信息；以及掩码操作电路，被配置为响应于掩码信息在每个存储体的段上不执行自刷新操作。半导体存储器件根据用户便利性有效地执行刷新操作并支持低功耗。