公开(公告)号：CN1855495B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200610073547.X

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  朴东建 ,  金洞院 ,  金旻相 ,  尹恩贞

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/105 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/84 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7881

Abstract: 在半导体器件及其制造方法中，在公用半导体层上形成平面型存储器件和垂直定向薄体器件。例如，在半导体器件中，期望具有器件的外围区中的平面型晶体管和单元区中的垂直定向薄体晶体管器件。以这种方式，可以将每种类型的器件的优势应用到存储器件的适宜功能中。

公开(公告)号：CN100530690C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510081046.1

申请日：2005-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  张世明 ,  朴东健 ,  吴容哲 ,  尹恩贞 ,  金根楠

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684

Abstract: 在半导体器件及其制造方法中，半导体器件包括具有单元阵列区和外围电路区的半导体衬底，单元区和外围电路区中的部分半导体包括限定有源区的隔离区，部分有源区在隔离区的上表面上突出，以限定至少两个有源沟道，形成在包括至少两个突出的有源沟道的半导体衬底的有源区上的栅介质层，形成在栅介质层和半导体衬底的隔离区上的栅电极，以及形成在栅电极的任一侧边上的半导体衬底的有源区中的源区/漏区。

公开(公告)号：CN101132005A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710092021.0

申请日：2007-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  金洞院 ,  朴东健 ,  尹恩贞

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: G11C11/50 ,  G11C11/56 ,  G11C16/0475 ,  G11C23/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在存储器件及其形成方法中，在一个实施例中，存储器件包括：衬底；以及衬底上沿第一方向延伸的位线。将第一字线结构设置在位线上并且与位线间隔且绝缘，第一字线结构沿横穿第一方向的第二方向延伸。电极与位线相连，在第一字线结构之上延伸并且与第一字线结构间隔第一间隙。第二字线结构在电极之上并且与电极间隔第二间隙，第二字线结构沿第二方向延伸。电极在第一字线结构和第二字线结构之间是悬臂形式的，使得电极偏转以通过第一间隙与在第一弯曲位置第一字线结构的顶部电连接，以及偏转以通过第二间隙在第二弯曲位置与第二字线结构的底部电连接，并且电极在止动位置与第一字线结构和第二字线结构相隔离。

公开(公告)号：CN101123244A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710097092.X

申请日：2007-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  金洞院 ,  朴贤雨 ,  尹恩贞

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在存储器件和形成其的方法中，在一个实施例中，存储器件包括衬底上的第一字线结构，该第一字线结构在第一方向上延伸。位线设置在第一字线结构上并且与第一字线分开第一间隔，该位线在横断于第一方向的第二方向上延伸。第二字线结构设置在位线之上并且与位线分开第二间隔，该第二字线结构在第一方向上延伸。位线在第一字线结构和第二字线结构之间浮置，使得位线偏转以在第一弯折位置上通过第一间隔与第一字线结构的顶部电耦合，并且位线偏转以在第二弯折位置上通过第二间隔与第二字线结构的底部电耦合，并且在重置位置上该位线与第一字线结构和第二字线结构相隔离。

公开(公告)号：CN1805152A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510103625.1

申请日：2005-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  黎明 ,  尹恩贞

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 在场效应晶体管(FET)及其制造方法中，该FET包括，半导体衬底，形成在半导体衬底上的源区和漏区，电连接源区和漏区的多个布线沟道，多个布线沟道以两列和至少两行布置，以及围绕多个布线沟道的每一个的栅介质层，以及围绕栅介质层和多个布线沟道的每一个的栅电极。

公开(公告)号：CN1581509A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055895.5

申请日：2004-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  尹恩贞 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供金属氧化物半导体(MOS)晶体管的基本单元，该基本单元包括集成电路衬底和集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区和栅极区，栅极区在源区和漏区之间。在源区和漏区之间提供第一和第二沟道区。通过由沟槽区分开的集成电路衬底中的第一和第二间隔突起限定沟道区。第一和第二突起远离集成电路衬底延伸，第一和第二突起的上表面基本上与源区和漏区的上表面齐平。在第一和第二间隔突起的侧壁上和在第一和第二间隔突起的至少部分表面上延伸的沟槽区中提供栅电极。

公开(公告)号：CN1518127A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410001940.9

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  吴昌佑 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  赵慧珍 ,  尹恩贞 ,  李信爱 ,  崔晶东

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0653

Abstract: 提供一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管的单元，包括集成电路衬底以及集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区以及栅极。栅极位于源区和漏区之间。在源区和漏区下面以及源区和集成电路衬底与漏区和集成电路衬底的每一个之间提供第一和第二隔开的缓冲区。