公开(公告)号：CN1805152A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510103625.1

申请日：2005-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  黎明 ,  尹恩贞

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 在场效应晶体管(FET)及其制造方法中，该FET包括，半导体衬底，形成在半导体衬底上的源区和漏区，电连接源区和漏区的多个布线沟道，多个布线沟道以两列和至少两行布置，以及围绕多个布线沟道的每一个的栅介质层，以及围绕栅介质层和多个布线沟道的每一个的栅电极。

公开(公告)号：CN100517748C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200510103625.1

申请日：2005-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  黎明 ,  尹恩贞

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 在场效应晶体管(FET)及其制造方法中，该FET包括，半导体衬底，形成在半导体衬底上的源区和漏区，电连接源区和漏区的多个布线沟道，多个布线沟道以两列和至少两行布置，以及围绕多个布线沟道的每一个的栅介质层，以及围绕栅介质层和多个布线沟道的每一个的栅电极。