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公开(公告)号：CN109585559A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811138537.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供半导体装置。一种半导体装置包括衬底及在所述衬底上的栅极结构。所述半导体装置包括在所述衬底上的沟道。所述半导体装置包括在所述沟道上的源极/漏极层。此外，所述半导体装置包括在所述栅极结构的侧壁上的间隔件。所述间隔件包括在垂直方向上与所述沟道交叠的中心部分以及从所述中心部分突出的突出部分。本公开的半导体装置可具有良好的电特性。
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公开(公告)号：CN109427871A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810596906.2
申请日：2018-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含衬底；堆叠在衬底上的多个沟道层；围绕多个沟道层的栅极电极；以及在栅极电极的相对侧上的嵌入式源极/漏极层。嵌入式源极/漏极层各自具有第一区域及在第一区域上的第二区域。第二区域具有具备不同成分的多个层。
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公开(公告)号：CN107482047A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710390940.X
申请日：2017-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L27/0207 , H01L29/42392 , H01L29/66742 , H01L29/66772 , H01L29/7856 , H01L29/78654 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L2029/7858 , H01L29/1033 , H01L29/0603 , H01L29/42356 , H01L29/66484 , H01L29/7831
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其包括：衬底上的绝缘层；第一沟道图案，其位于绝缘层上，并且接触绝缘层；第二沟道图案，其位于第一沟道图案上并且彼此水平地间隔开；栅极图案，其位于绝缘层上，并且包围第二沟道图案；以及各个第二沟道图案之间的源极/漏极图案。
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公开(公告)号：CN109427871B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201810596906.2
申请日：2018-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含衬底；堆叠在衬底上的多个沟道层；围绕多个沟道层的栅极电极；以及在栅极电极的相对侧上的嵌入式源极/漏极层。嵌入式源极/漏极层各自具有第一区域及在第一区域上的第二区域。第二区域具有具备不同成分的多个层。
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公开(公告)号：CN110620110B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910145007.5
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种包括鳍型场效应晶体管(fin‑FET)的半导体器件包括：设置在衬底上的有源鳍；在有源鳍的两侧上的隔离层；形成为与有源鳍和隔离层交叉的栅极结构；在栅极结构的侧壁上在有源鳍上的源极/漏极区；第一层间绝缘层，在隔离层上与栅极结构的侧壁的部分和源极/漏极区的表面的部分接触；蚀刻停止层，构造为重叠第一层间绝缘层、栅极结构的侧壁和源极/漏极区；以及接触插塞，形成为穿过蚀刻停止层以接触源极/漏极区。源极/漏极区具有与有源鳍的上表面接触的主生长部分。
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公开(公告)号：CN117135899A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310524591.1
申请日：2023-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B10/00
Abstract: 公开了半导体器件。所述半导体器件包括：基底；下部有源图案，与基底间隔开并且在第一方向上延伸；上部有源图案，在下部有源图案上，上部有源图案与下部有源图案间隔开并且在第一方向上延伸；栅极结构，在基底上，栅极结构在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及切割图案，在基底上，切割图案在第一方向上延伸以切割栅极结构。栅极结构包括：下部栅电极，下部有源图案穿透下部栅电极；上部栅电极，连接到下部栅电极，并且上部有源图案穿透上部栅电极；以及绝缘图案，在切割图案的一侧上，绝缘图案沿着第二方向与上部栅电极一起布置。
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公开(公告)号：CN110828570B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201910609149.2
申请日：2019-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括：鳍型有源区，沿第一方向延伸、从衬底突出；多个纳米片堆叠结构；阻挡膜，覆盖所述多个纳米片堆叠结构之中与鳍型有源区的两侧相邻的一对纳米片堆叠结构的每个的上表面的一部分和一个侧壁；栅电极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸，栅电极包括围绕所述多个纳米片的实际栅电极和设置在阻挡膜上的虚设栅电极；以及栅极电介质层，在实际栅电极与所述多个纳米片之间以及虚设栅电极与阻挡膜之间。
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公开(公告)号：CN112310219A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010564186.9
申请日：2020-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/02
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：基底，具有第一区域和第二区域；第一纳米线和第二纳米线，在第一区域中顺序地设置在基底上并且在第一方向上各自延伸；第三纳米线和第四纳米线，在第二区域中顺序地设置在基底上并且在第一方向上各自延伸；第一内间隔件，位于第一纳米线与第二纳米线之间，并且包括第一氢摩尔分数的氢；以及第二内间隔件，位于第三纳米线与第四纳米线之间，并且包括比第一氢摩尔分数大的第二氢摩尔分数的氢。
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公开(公告)号：CN111987162A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010434781.0
申请日：2020-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 具有环栅结构的半导体器件包括：由第一沟槽分隔并在第一方向上延伸的第一鳍图案和第二鳍图案；在第一鳍图案上的第一纳米片；在第二鳍图案上的第二纳米片；第一鳍衬层，沿着第一沟槽的底表面和侧壁的至少一部分延伸；第一场绝缘层，设置在第一鳍衬层上并填充第一沟槽的一部分；以及第一栅极结构，与第一鳍图案的端部交叠并包括第一栅极间隔物。从第一沟槽的底表面到第一栅极间隔物的下表面的高度大于从第一沟槽的底表面到第一场绝缘层的上表面的高度。
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公开(公告)号：CN109686790A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201810846316.0
申请日：2018-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L27/11 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置包括设置在衬底的第一区上的晶体管以及设置在衬底的第二区上的非有源组件，晶体管包括：源极/漏极区；多个沟道层，在分别连接源极/漏极区的同时在与衬底的上表面垂直的方向上彼此间隔开；栅极电极，环绕多个沟道层中的每一者；以及栅极绝缘体，位于栅极电极与多个沟道层之间。非有源组件包括：鳍结构，包括交替地堆叠的多个第一半导体图案与多个第二半导体图案；外延区，邻近鳍结构；非有源电极，与鳍结构相交；以及阻挡绝缘膜，位于非有源电极与鳍结构之间。本公开的半导体装置可以高速度运行，同时可考虑在操作方面具有高度准确性以及对半导体装置中所包括的晶体管的结构进行优化。
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