公开(公告)号：CN112713134A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202010618713.X

申请日：2020-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安商燻 ,  李禹镇 ,  韩奎熙

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种集成电路装置。根据发明构思的集成电路装置包括：下布线结构，位于基底上；气隙，布置在下布线结构之间；盖层，覆盖气隙的上表面；蚀刻停止层，共形地覆盖下布线结构的上表面和盖层并且具有突出和凹进结构；绝缘层，覆盖蚀刻停止层；以及上布线结构，穿透绝缘层并且连接到下布线结构的未被覆盖蚀刻停止层的上表面，其中，上布线结构覆盖盖层的上表面的一部分，并且盖层的上表面的水平比下布线结构的上表面的水平高。

公开(公告)号：CN107026148B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201611165928.0

申请日：2016-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： V.阮 ,  T.奥斯津达 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  金秉熙 ,  刘禹炅 ,  李来寅

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件可以包括：基板；第一中间绝缘层，在基板上并具有开口；导电图案，设置在开口中；第一至第四绝缘图案，堆叠在设置有导电图案的基板上；和第二中间绝缘层，设置在第四绝缘图案上。

公开(公告)号：CN109786357B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN201811292012.0

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐顺硕 ,  白宗玟 ,  朴水贤 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  李义福

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括下布线；第一层间绝缘膜，设置在所述衬底上并且包括第一区域以及在所述第一区域上方的第二区域；蚀刻停止膜，位于所述第一层间绝缘膜上；第二层间绝缘膜，位于所述蚀刻停止膜上；第一上布线，位于所述第二层间绝缘膜、所述蚀刻停止膜、以及所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中，并且所述第一上布线与所述下布线间隔开；以及通孔，位于所述第一层间绝缘膜的所述第一区域中，并且所述通孔将所述下布线与所述第一上布线相连。

公开(公告)号：CN108573949B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201810076683.7

申请日：2018-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永培 ,  朴水贤 ,  安商燻 ,  李义福 ,  姜成进 ,  徐训硕 ,  吴赫祥 ,  李禹镇

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请涉及一种集成电路器件及其制造方法。一种集成电路(IC)器件包括具有下金属膜的下布线结构。下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分。IC器件还包括覆盖下金属膜的顶表面的盖层、覆盖该盖层的第二绝缘膜、穿透第二绝缘膜和盖层并电连接到下金属膜的上布线结构、以及设置在下金属膜与第二绝缘膜之间的空气间隙。空气间隙具有由盖层与上布线结构之间的距离限定的宽度。

公开(公告)号：CN110970388A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910810705.2

申请日：2019-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  白宗玟 ,  徐训硕 ,  安商燻 ,  李禹镇

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；第一绝缘夹层，位于所述衬底上；第一布线，位于所述衬底上的所述第一绝缘夹层中；绝缘图案，位于所述第一绝缘夹层的临近所述第一布线的部分上，所述绝缘图案具有垂直侧壁且包含低介电材料；刻蚀停止结构，位于所述第一布线及所述绝缘图案上；第二绝缘夹层，位于所述刻蚀停止结构上；以及通路，延伸穿过所述第二绝缘夹层及所述刻蚀停止结构，以接触所述第一布线的上表面。

公开(公告)号：CN109904140A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811255948.6

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  郑德泳 ,  姜尚范 ,  朴斗焕 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  刘禹炅

IPC: H01L23/522

Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。下金属层的一部分可以位于第二绝缘膜中，第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的限定凹部的一部分的阻挡介电膜和位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。

公开(公告)号：CN108573949A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810076683.7

申请日：2018-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永培 ,  朴水贤 ,  安商燻 ,  李义福 ,  姜成进 ,  徐训硕 ,  吴赫祥 ,  李禹镇

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请涉及一种集成电路器件及其制造方法。一种集成电路(IC)器件包括具有下金属膜的下布线结构。下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分。IC器件还包括覆盖下金属膜的顶表面的盖层、覆盖该盖层的第二绝缘膜、穿透第二绝缘膜和盖层并电连接到下金属膜的上布线结构、以及设置在下金属膜与第二绝缘膜之间的空气间隙。空气间隙具有由盖层与上布线结构之间的距离限定的宽度。

公开(公告)号：CN103681600B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201310399888.6

申请日：2013-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  安商燻

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了集成电路器件、半导体器件及其制造方法。该集成电路器件包括：间隔开的导电图案，在基板表面上；支撑图案，在导电图案中的相邻导电图案之间的基板表面上并且通过相应间隙区而与导电图案分离。导电图案中的相邻导电图案远离基板表面延伸而超过在其间的支撑图案的表面。盖层被提供在导电图案的相应表面上和支撑图案的表面上。