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公开(公告)号：CN112133806B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202010489169.3
申请日：2020-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 司空坦
IPC: H10H20/831 , H10H20/819 , H10H29/30
Abstract: 提供了一种半导体发光器件和显示设备。所述半导体发光器件包括：具有棒形状的发光结构，该发光结构具有彼此相对的第一表面和第二表面以及连接在第一表面与第二表面之间的侧表面，该发光结构包括提供第一表面的第一导电类型半导体、有源层和第二导电类型半导体；位于发光结构的第一表面的第一区域上并连接到第一导电类型半导体的第一电极层，该第一区域的水平高度相对于与其相邻的第二区域的水平高度竖直偏移；以及连接到第二导电类型半导体的第二电极层。
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公开(公告)号：CN112186078A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010627430.1
申请日：2020-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造发光器件封装件的方法以及制造显示面板的方法，该制造发光器件封装件的方法包括：在衬底上形成半导体叠层，使得该半导体叠层具有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；通过经由在衬底的第一表面的方向上蚀刻穿过半导体叠层来在衬底中形成具有预定深度的沟槽，将半导体叠层分离为彼此分离的半导体光发射器；通过施用柔性绝缘材料以覆盖半导体光发射器来形成填充沟槽并使半导体光发射器彼此绝缘的模制件；通过去除衬底来形成通过模制件彼此分离并分别覆盖到半导体光发射器上的凹槽；以及在凹槽中形成波长转换器。
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公开(公告)号：CN112133806A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010489169.3
申请日：2020-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 司空坦
Abstract: 提供了一种半导体发光器件和显示设备。所述半导体发光器件包括：具有棒形状的发光结构，该发光结构具有彼此相对的第一表面和第二表面以及连接在第一表面与第二表面之间的侧表面，该发光结构包括提供第一表面的第一导电类型半导体、有源层和第二导电类型半导体；位于发光结构的第一表面的第一区域上并连接到第一导电类型半导体的第一电极层，该第一区域的水平高度相对于与其相邻的第二区域的水平高度竖直偏移；以及连接到第二导电类型半导体的第二电极层。
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公开(公告)号：CN100539212C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510124621.1
申请日：2005-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , B82Y20/00 , H01L29/045 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0211 , H01S5/2231 , H01S5/34333
Abstract: 提供了一种氮化镓(GaN)基化合物半导体器件，该器件具有改进在衬底上生长的薄膜的表面特性的结构。该GaN基化合物半导体器件包括：AlxInyGa1-x-yN衬底(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)，衬底表面相对于(0001)平面朝预定方向倾斜大于0°且小于1°的偏角；以及生长在该衬底上的GaN基化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN100483753C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410088165.5
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02 , H01S5/2009 , H01S5/3072 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176 , H01S2304/00
Abstract: 提供了一种III-V族GaN基化合物半导体器件及其制造方法。该器件包括在具有多量子阱的有源层和p型GaN基化合物半导体层之间插入的AlGaN扩散阻挡层和InGaN牺牲层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101026092A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610160403.8
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/308 , H01L33/00 , H01S5/02
CPC classification number: C30B7/005 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265
Abstract: 本发明提供了一种悬臂外延生长衬底及其制造方法。所述悬臂外延生长衬底包括：衬底；用于悬臂外延生长的多个图案区，沿第一方向形成在所述衬底上；和至少一个溶液阻隔层，接触所述多个图案区并沿第二方向形成在所述衬底上，因此防止半导体装置由于悬臂外延生长工艺中的半导体装置的空气间隙和百分比缺陷而导致的污染。
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公开(公告)号：CN1490910A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03147571.X
申请日：2003-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/20 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/3211 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种半导体光电子器件。这种半导体光电子器件包括有源层，设置在有源层上方的上部波导层和设置在有源层下方的下部波导层，设置在上部波导层上方的上部包覆层和设置在下部波导层下方的下部包覆层，支撑所述下部包覆层、下部波导层、有源层、上部波导层以及上部包覆层的堆积结构的衬底，以及设置在有源层与上部波导层之间的上部光限制层和设置在有源层与下部波导层之间的下部光限制层，所述上部和下部光限制层的禁带宽度小于上部和下部波导层的禁带宽度，但是大于有源层的禁带宽度。
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公开(公告)号：CN109686825B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201811221447.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光装置，包括：发光结构，所述发光结构包括在基板上的第一导电类型氮化物半导体层、在第一导电类型氮化物半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电类型氮化物半导体层；以及在基板与发光结构之间的缓冲层。缓冲层包括多个孔隙。多个孔隙从缓冲层的表面竖直延伸到缓冲层中。缓冲层的表面靠近发光结构。所述多个孔隙具有不同的水平截面积。
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公开(公告)号：CN105609606A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510783853.1
申请日：2015-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了发光装置及其制造方法。一种发光装置，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层和位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有多个V坑的有源层。所述发光装置还包括位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有与有源层的多个V坑的大小和形状实质上相同的多个V坑的层质量改进层，其中层质量改进层是包括Al或In的III-V族半导体层。由于改进的层质量而提高了发光装置的发光质量。
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公开(公告)号：CN103996753A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410051132.7
申请日：2014-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , C23C16/34
CPC classification number: H01L33/007 , C23C16/4583 , C23C16/54 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/67326 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体发光器件的方法以及化学气相沉积设备，该方法包括步骤：在衬底上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，以形成发光层。形成发光层的步骤包括第一生长工序、第二生长工序和转移工序。第一生长工序使用具有第一曲率安装表面的第一基座。第二生长工序使用具有第二曲率安装表面的第二基座，所述第二曲率不同于所述第一曲率。转移工序在所述第一生长工序与所述第二生长工序之间将所述衬底从所述第一基座转移至所述第二基座。
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