公开(公告)号：CN1905225A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610094361.2

申请日：2006-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张泰勋

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种具有对于n电极的欧姆接触特性改善的氮化物基半导体发光装置及其制造方法。所述氮化物基半导体发光装置包括n电极、p电极、和在n和p电极之间形成的n型化合物半导体层、有源层、和p型半导体层。所述n电极包括由选自Pd、Pt、Ni、Co、Rh、Ir、Fe、Ru、Os、Cu、Ag、和Au构成的组的至少一种元素形成的第一电极层；和使用包含选自由Ti、V、Cr、Zr、Nb、Hf、Ta、Mo、W、Re、Ir、Al、In、Pb、Ni、Rh、Ru、Os、和Au构成的组的至少一种元素的导电材料而在所述第一电极层上形成的第二电极层。

公开(公告)号：CN101017959A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610125681.X

申请日：2006-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙重坤 ,  张泰勋 ,  成演准 ,  司空坦 ,  白好善 ,  李成男

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供了一种具有改进的电流注入结构的脊形波导半导体激光二极管。所述脊形波导半导体激光二极管包括：衬底；形成于所述衬底上的下部多半导体层；形成于所述下部多半导体层上的有源层；具有脊形部分，并且形成于所述有源层上的上部多半导体层；以及形成于所述上部多半导体层上的上部电极，其中，所述上部电极覆盖所述脊形部分的至少一个侧表面。

公开(公告)号：CN1858946A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200610019857.3

申请日：2006-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成演准 ,  张泰勋

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/22

Abstract: 本发明提供一种半导体激光二极管及其制造方法。在所述半导体激光二极管中，第一材料层、有源层、以及第二材料层顺序形成在衬底上，脊部分和第一凸出部分以与所述有源层垂直的方向形成在所述第二材料层上，所述第一凸出部分形成在所述脊部分的一侧，第二电极层与所述脊部分的顶表面接触地形成，电流限制层形成在所述第二材料层的整个表面上且暴露所述第二电极层，保护层形成在所述第一凸出部分之上所述电流限制层的表面上且具有与所述电流限制层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性，键合金属层与所述第二电极层电连接地形成在所述电流限制层和所述保护层上。

公开(公告)号：CN100440655C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200610019857.3

申请日：2006-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成演准 ,  张泰勋

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/22

Abstract: 本发明提供一种半导体激光二极管及其制造方法。在所述半导体激光二极管中，第一材料层、有源层、以及第二材料层顺序形成在衬底上，脊部分和第一凸出部分以与所述有源层垂直的方向形成在所述第二材料层上，所述第一凸出部分形成在所述脊部分的一侧，第二电极层与所述脊部分的顶表面接触地形成，电流限制层形成在所述第二材料层的整个表面上且暴露所述第二电极层，保护层形成在所述第一凸出部分之上所述电流限制层的表面上且具有与所述电流限制层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性，键合金属层与所述第二电极层电连接地形成在所述电流限制层和所述保护层上。

公开(公告)号：CN101026092A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610160403.8

申请日：2006-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白好善 ,  张泰勋 ,  成演准 ,  司空坦 ,  梁旼镐

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/308 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02

CPC classification number: C30B7/005 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265

Abstract: 本发明提供了一种悬臂外延生长衬底及其制造方法。所述悬臂外延生长衬底包括：衬底；用于悬臂外延生长的多个图案区，沿第一方向形成在所述衬底上；和至少一个溶液阻隔层，接触所述多个图案区并沿第二方向形成在所述衬底上，因此防止半导体装置由于悬臂外延生长工艺中的半导体装置的空气间隙和百分比缺陷而导致的污染。