-
公开(公告)号：CN1533420A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN02814368.X
申请日：2002-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09G1/16 , C08L101/00
CPC classification number: H01L21/31053 , C08L101/02 , C09G1/02
Abstract: 一种用于淤浆的添加剂组合物，包括含具有第一重均分子量的第一聚合酸和第一碱性材料的第一聚合酸盐；和含具有第二重均分子量的第二聚合酸和第二碱性材料的第二聚合酸盐。通过混合添加剂组合物、抛光粒子组合物和水制备淤浆组合物。当使用该淤浆组合物进行化学机械抛光时，可实现有利的抛光选择性。
-
公开(公告)号：CN1357914A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01139653.9
申请日：2001-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R15/241
Abstract: 用于监视半导体晶片加工系统中的高压室内的参数的参数监视仪能对高压室内的参数进行监视,它借助于一个电－光转换器,把从高压室产生的电信号转换为光信号,然后借助于一个光－电转换器,把来自电－光转换器的光信号再转换为电信号。于是,由于高压室内的参数不受由高电压带来的电势差的影响,所以可以实时地监视这些参数而不必担心损坏测量设备。
-
公开(公告)号：CN1239321A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN98126555.3
申请日：1998-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R31/307 , H01J37/28
Abstract: 本发明提供用于半导体器件的接触故障检测系统和方法及制造半导体器件的方法。通过将使用扫描电子显微镜检测的电子信号数字化，可以检测接触，以识别例如未开口接触孔的故障。接触故障检测是通过将从包括至少一个接触孔的单元区域检测的电子信号值与表示对应于正常接触的电子信号的值相比较进行的。
-
公开(公告)号：CN100504621C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510009433.4
申请日：2005-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D7/266 , C11D11/0047
Abstract: 一种稀释剂组分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2-羟基-2-丙酸甲酯和酯化合物如乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯或其混合物。
-
公开(公告)号：CN100350564C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN03155614.0
申请日：2003-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L29/06 , C30B33/00
CPC classification number: H01L21/02021 , Y10T428/12674
Abstract: 本发明涉及具有不对称边缘轮廓的半导体晶片及其制造方法。半导体晶片利用不对称边缘轮廓(EP)以便获得半导体器件加工的较高合格率。构造这些边缘轮廓以减少薄膜残余物的量，该薄膜残余物可能形成在半导体晶片的上表面上并靠近其周围边缘的位置处。还构造这些边缘轮廓以在半导体加工步骤期间抑制在晶片上表面上再淀积残存颗粒。该制造方法包括：将半导体结晶体切成具有上表面和下表面的至少一个半导体晶片；以及研磨该至少一个半导体晶片的周围边缘，以定义在内边缘轮廓(EPin)和外边缘轮廓(EPout)之间延伸的不对称边缘轮廓(EP)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1203535C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN00134841.8
申请日：2000-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , C08G77/62
Abstract: 公开了一种旋涂玻璃组合物(SOG)及利用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为-(SiH2NH)n-的全氢化聚硅氮烷的SOG组合物，通式中n表示一个正整数，其重均分子量在约4，000-8，000范围，分子量分布在约3.0-4.0的范围，以形成一种平面的SOG层。通过SOG层的硬化，将该SOG层转化为具有平表面的氧化硅层。也公开了由该方法制成的一种半导体器件。
-
公开(公告)号：CN1282004A
公开(公告)日：2001-01-31
申请号：CN00118160.2
申请日：2000-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/012
CPC classification number: G03F7/0236
Abstract: 本发明公开了一种具有改善的感光度和分辨率的正性光刻胶组合物,该组合物的制备方法,以及在半导体工艺中使用该组合物形成图纹的方法。该光刻胶组合物包括:(i)由用分子式(1)表示的第一种感光化合物和用分子式(2a)或(2b)表示的第二种感光化合物混合得到的感光物质;(ii)树脂;和(iii)溶剂。由于该光刻胶组合物的高感光度和高分辨率,本发明可以制作具有特别优异轮廓的图纹。
-
公开(公告)号：CN1243971A
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：CN99111965.7
申请日：1999-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明公开了一种抗蚀剂脱除剂和一种脱除抗蚀剂的组合物,其具有优异的抗蚀剂和聚合物脱除性能,其不会对底层产生侵蚀,本发明还公开了所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物的制备方法和采用所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物脱除抗蚀剂的方法。所述抗蚀剂脱除剂包含烷氧基N－羟基烷基链酰胺。所述抗蚀剂脱除组合物,包含烷氧基N－羟基烷基链烷酰胺和至少一种偶极矩为3或大于3的极性材料和一种侵蚀抑制剂以及一种链烷醇胺。在其上具有抗蚀剂的基质与所述的抗蚀剂脱除剂或抗蚀剂脱除组合物可脱除抗蚀剂。
-
公开(公告)号：CN1249530C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN99111965.7
申请日：1999-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明公开了一种抗蚀剂脱除剂和一种脱除抗蚀剂的组合物，其具有优异的抗蚀剂和聚合物脱除性能，其不会对底层产生侵蚀，本发明还公开了所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物的制备方法和采用所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物脱除抗蚀剂的方法。所述抗蚀剂脱除剂包含烷氧基N-羟基烷基链酰胺。所述抗蚀剂脱除组合物，包含烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺和至少一种偶极矩为3或大于3的极性材料和一种侵蚀抑制剂以及一种链烷醇胺。在其上具有抗蚀剂的基质与所述的抗蚀剂脱除剂或抗蚀剂脱除组合物可脱除抗蚀剂。
-
公开(公告)号：CN1213469C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN98126555.3
申请日：1998-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66 , G01R31/28 , G01R31/307
CPC classification number: G01R31/307 , H01J37/28
Abstract: 本发明提供用于半导体器件的接触故障检测系统和方法及制造半导体器件的方法。通过将使用扫描电子显微镜检测的电子信号数字化，可以检测接触，以识别例如未开口接触孔的故障。接触故障检测是通过将从包括至少一个接触孔的单元区域检测的电子信号值与表示对应于正常接触的电子信号的值相比较进行的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.029 seconds)
