公开(公告)号：CN1203535C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN00134841.8

申请日：2000-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李祯浩 ,  崔晶植 ,  金弘基 ,  李东峻 ,  姜大源 ,  全相文

IPC: H01L21/316 ,  C08G77/62

Abstract: 公开了一种旋涂玻璃组合物(SOG)及利用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为-(SiH2NH)n-的全氢化聚硅氮烷的SOG组合物，通式中n表示一个正整数，其重均分子量在约4，000-8，000范围，分子量分布在约3.0-4.0的范围，以形成一种平面的SOG层。通过SOG层的硬化，将该SOG层转化为具有平表面的氧化硅层。也公开了由该方法制成的一种半导体器件。

公开(公告)号：CN1322009A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN00134841.8

申请日：2000-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李祯浩 ,  崔晶植 ,  金弘基 ,  李东峻 ,  姜大源 ,  全相文

IPC: H01L21/316 ,  C08G77/62

Abstract: 公开了一种旋涂玻璃组合物(SOG)及利用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为－(SiH2NH)n－的全氢化聚硅氮烷的SOG组合物,通式中n表示一个正整,其重均分子量在约4,000－8,000范围,分子量分布在约3.0－4.0的范围,以形成一种平面的SOG层。通过SOG层的硬化,将该SOG层转化为具有平表面的氧化硅层。也公开了由该方法制成的一种半导体器件。