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公开(公告)号：CN100444331C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200410057451.5
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C18/12 , H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: C23C18/122 , C23C18/1208 , C23C18/1245
Abstract: 公开了一种旋涂玻璃(SOG)组合物和利用SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在具有表面不连续的半导体衬底上涂敷SOG组合物，SOG组合物包含具有化合物化学式-(SiH2NH)n-的聚硅氮烷，其中n表示正整数，重均分子量在约3,300至3,700的范围内，以形成平坦的SOG层。通过固化SOG层，将SOG层变为具有平坦表面的氧化硅层。还公开了通过该方法制造的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1203535C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN00134841.8
申请日：2000-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , C08G77/62
Abstract: 公开了一种旋涂玻璃组合物(SOG)及利用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为-(SiH2NH)n-的全氢化聚硅氮烷的SOG组合物，通式中n表示一个正整数，其重均分子量在约4，000-8，000范围，分子量分布在约3.0-4.0的范围，以形成一种平面的SOG层。通过SOG层的硬化，将该SOG层转化为具有平表面的氧化硅层。也公开了由该方法制成的一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN1617310A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410057451.5
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C18/12 , H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: C23C18/122 , C23C18/1208 , C23C18/1245
Abstract: 公开了一种旋涂玻璃(SOG)组合物和利用SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在具有表面不连续的半导体衬底上涂敷SOG组合物，SOG组合物包含具有化合物化学式－(SiH2NH)n－的聚硅氮烷，其中n表示正整数，重均分子量在约3,300至3,700的范围内，以形成平坦的SOG层。通过固化SOG层，将SOG层变为具有平坦表面的氧化硅层。还公开了通过该方法制造的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1322009A
公开(公告)日：2001-11-14
申请号：CN00134841.8
申请日：2000-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , C08G77/62
Abstract: 公开了一种旋涂玻璃组合物(SOG)及利用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为－(SiH2NH)n－的全氢化聚硅氮烷的SOG组合物,通式中n表示一个正整,其重均分子量在约4,000－8,000范围,分子量分布在约3.0－4.0的范围,以形成一种平面的SOG层。通过SOG层的硬化,将该SOG层转化为具有平表面的氧化硅层。也公开了由该方法制成的一种半导体器件。
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