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公开(公告)号：CN116113241A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211374621.7
申请日：2022-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种半导体存储器件和包括其的电子系统。该半导体存储器件包括：单元基板；模制结构，包括堆叠在单元基板上的多个栅电极，栅电极包括依次堆叠的第一接地选择线、第二接地选择线和多条字线；沟道结构，在垂直方向上延伸，穿过单元基板的上表面并穿透模制结构；局部隔离区，在与单元基板的上表面平行的第一方向上延伸并部分地分隔模制结构；以及接地隔离结构，连接在第一方向上彼此相邻的两个局部隔离区，在垂直方向上延伸并穿透第一接地选择线和第二接地选择线，其中接地隔离结构的宽度随着距单元基板的距离的增大而增大。
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公开(公告)号：CN112018117A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010404700.2
申请日：2020-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/8242
Abstract: 提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：基底；第一导电图案，位于基底上；第二导电图案，位于基底上，并与第一导电图案间隔开；空气间隔件，位于第一导电图案与第二导电图案之间；以及量子点图案，覆盖空气间隔件的上部。
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公开(公告)号：CN111223869A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910869953.4
申请日：2019-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/1157
Abstract: 在制造竖直存储器装置的方法中，包括氮化物的第一牺牲层形成在衬底上。在第一牺牲层上形成模具，模具包括交替且重复堆叠的绝缘层和第二牺牲层。绝缘层和第二牺牲层分别包括第一氧化物和第二氧化物。穿过模具和第一牺牲层形成沟道。穿过模具和第一牺牲层形成开口以暴露出衬底的上表面。通过开口去除第一牺牲层，以形成第一间隙。形成沟道连接图案以填充第一间隙。将第二牺牲层替换为栅电极。
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公开(公告)号：CN109797376A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811268189.7
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 一种沉积装置，包括：上喷头和下喷头，位于处理腔室内，所述上喷头和所述下喷头面向彼此；支撑结构，位于所述上喷头和所述下喷头之间，用于支撑晶圆，所述支撑结构连接到所述下喷头；以及等离子体处理区域，位于由所述支撑结构支撑的晶圆和所述下喷头之间，其中，所述下喷头包括下孔，用于向所述晶圆的方向喷射下部气体，所述上喷头包括上孔，用于向所述晶圆的方向喷射上部气体，以及所述支撑结构包括通孔部，用于将通过所述下孔喷射的下部气体的一部分排放到所述支撑结构和所述上喷头之间的空间中。
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公开(公告)号：CN107393928A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710328970.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/30604 , H01L21/3115 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/1157 , H01L29/0649 , H01L29/36 , H01L27/11556
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层、以及插置在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间的水平导电图案。垂直结构延伸穿过第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和水平导电图案。第一层间绝缘层和第二层间绝缘层中的每个具有含不同杂质浓度的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118866947A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410914991.8
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H10B41/30 , H10B41/27 , H10B43/30 , H10B43/27
Abstract: 本公开提供了包括具有焊盘区域的栅极图案的半导体器件。一种半导体器件包括：栅极图案，设置在下结构之上，并包括栅极电极区域和从栅极电极区域延伸的栅极焊盘区域；以及垂直沟道半导体层，具有面对栅极图案的栅极电极区域的侧表面。栅极焊盘区域包括具有比栅极电极区域的厚度大的厚度的第一焊盘区域。第一焊盘区域包括上表面、与上表面相反的下表面、以及外侧表面。外侧表面具有由边界部分彼此划分的下外侧表面和上外侧表面。下外侧表面从下表面延伸，并且下外侧表面和下表面的连接部分具有圆化的形状。
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公开(公告)号：CN109473437B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201811024862.2
申请日：2018-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法。非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及延伸穿过该堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜当中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。
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公开(公告)号：CN109797376B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201811268189.7
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 一种沉积装置，包括：上喷头和下喷头，位于处理腔室内，所述上喷头和所述下喷头面向彼此；支撑结构，位于所述上喷头和所述下喷头之间，用于支撑晶圆，所述支撑结构连接到所述下喷头；以及等离子体处理区域，位于由所述支撑结构支撑的晶圆和所述下喷头之间，其中，所述下喷头包括下孔，用于向所述晶圆的方向喷射下部气体，所述上喷头包括上孔，用于向所述晶圆的方向喷射上部气体，以及所述支撑结构包括通孔部，用于将通过所述下孔喷射的下部气体的一部分排放到所述支撑结构和所述上喷头之间的空间中。
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公开(公告)号：CN114765186A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111482453.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L21/768
Abstract: 提供了具有掺杂的层间绝缘层的半导体装置以及电子系统。所述半导体装置包括：下存储器堆叠体，设置在基底上并且包括下栅电极和下阶梯结构；上存储器堆叠体，包括上栅电极和上阶梯结构；下层间绝缘层，掺杂有杂质并且覆盖下阶梯结构，下层间绝缘层具有朝向下阶梯结构逐渐增大的掺杂浓度；上层间绝缘层，掺杂有杂质并且覆盖上阶梯结构和下层间绝缘层，上层间绝缘层具有朝向上阶梯结构和下层间绝缘层逐渐增大的掺杂浓度；下接触插塞和上接触插塞，分别接触下栅电极和上栅电极。
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公开(公告)号：CN113013083A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011020787.X
申请日：2020-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/02
Abstract: 本申请提供了形成材料膜的方法、集成电路器件和制造集成电路器件的方法。为了制造集成电路(IC)器件，制备了具有限定沟槽的台阶结构的下结构。在沟槽内部形成材料膜。为了形成材料膜，将包括第一中心元素和具有第一尺寸的第一配体的第一前体供应到下结构上，以在下结构上形成第一前体的第一化学吸附层。将包括第二中心元素和具有小于第一尺寸的第二尺寸的第二配体的第二前体供应到包括第一化学吸附层的所得结构上，以在下结构上形成第二前体的第二化学吸附层。将反应气体供应到第一化学吸附层和第二化学吸附层。
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