公开(公告)号：CN104009068A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410057462.7

申请日：2014-02-20

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 胡军 ,  卡西克·帕德马纳班 ,  马督儿·博德 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L21/02104 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明的各个方面提出了高压快速恢复沟槽二极管及其制备方法。该器件具有至少穿过顶部P-层和N-势垒层延伸的沟槽。导电材料沉积在沟槽中，电介质材料内衬导电材料和沟槽侧壁之间的沟槽。重掺杂P-区形成在沟槽之间的顶部P-层的顶部。浮动N-区形成在P-区下方。浮动N-区的宽度等于或大于P-区宽度。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

公开(公告)号：CN105185825A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510244757.X

申请日：2015-05-14

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 马督儿·博德 ,  胡军 ,  管灵鹏 ,  哈姆扎·依玛兹 ,  张磊 ,  金钟五

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/20 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/107 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/74 ,  H01L29/66325 ,  H01L21/02365 ,  H01L29/7393

Abstract: 半导体功率器件可以形成在衬底结构上，具有第一导电类型的轻掺杂半导体衬底，或与第一导电类型相反的第二导电类型。第一导电类型的半导体第一缓冲层形成在衬底上方。第一缓冲层的掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度。第二导电类型的第二缓冲层形成在第一缓冲层上方，第二导电类型的外延层形成在第二缓冲层上方。外延层的掺杂浓度大于第二缓冲层的掺杂浓度。本摘要用于使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

公开(公告)号：CN102956684B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210296771.0

申请日：2012-08-17

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 马督儿·博德 ,  安荷·叭剌 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  管灵鹏 ,  胡军

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提出了一种形成在半导体衬底上的半导体功率器件，包括在轻掺杂区上方的半导体衬底的顶面附近的重掺杂区。该半导体功率器件还包括一个本体区、一个源极区以及一个设置在半导体衬底的顶面附近的栅极，以及一个设置在半导体衬底的底面处的漏极。该半导体功率器件还包括在重掺杂区中打开源极沟槽，并用导电沟槽填充材料填充，与顶面附近的源极区电接触。该半导体功率器件还包括一个掩埋场环区，设置在源极沟槽下方，掺杂物的导电类型与重掺杂区的导电类型相反。在一个可选实施例中，该半导体功率器件还包括被源极沟槽侧壁包围的掺杂区，掺杂物的导电类型与掩埋场环区的导电类型相同，作为电荷供应通路。

公开(公告)号：CN102956684A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210296771.0

申请日：2012-08-17

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 马督儿·博德 ,  安荷·叭剌 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  管灵鹏 ,  胡军

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提出了一种形成在半导体衬底上的半导体功率器件，包括在轻掺杂区上方的半导体衬底的顶面附近的重掺杂区。该半导体功率器件还包括一个本体区、一个源极区以及一个设置在半导体衬底的顶面附近的栅极，以及一个设置在半导体衬底的底面处的漏极。该半导体功率器件还包括在重掺杂区中打开源极沟槽，并用导电沟槽填充材料填充，与顶面附近的源极区电接触。该半导体功率器件还包括一个掩埋场环区，设置在源极沟槽下方，掺杂物的导电类型与重掺杂区的导电类型相反。在一个可选实施例中，该半导体功率器件还包括被源极沟槽侧壁包围的掺杂区，掺杂物的导电类型与掩埋场环区的导电类型相同，作为电荷供应通路。

公开(公告)号：CN103579345A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310317096.X

申请日：2013-07-26

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 安荷·叭剌 ,  哈姆扎·依玛兹 ,  马督儿·博德 ,  管灵鹏 ,  胡军 ,  金钟五 ,  丁永平

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/401 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/66484

Abstract: 本发明为高压场平衡金属氧化物场效应晶体管。一种形成在半导体衬底中的半导体功率器件含有一个重掺杂区，在由重掺杂区承载的轻掺杂区上方的半导体衬底的顶面附近。该半导体功率器件还包括源极沟槽，在由导电沟槽填充材料填充的重掺杂区中打开，导电沟槽填充材料与顶面附近的源极区电接触。该半导体功率器件还包括沉积在源极沟槽下方的掩埋P-区，并用导电类型与重掺杂区相反的掺杂物掺杂。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

公开(公告)号：CN102856319A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210190224.4

申请日：2012-06-11

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 管灵鹏 ,  马督儿·博德 ,  安荷·叭剌 ,  胡军 ,  韦恩·F·英格

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66113 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/822 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0255

Abstract: 本发明涉及一种带有低钳位电压的低电容瞬态电压抑制器，其包括，一个n+型衬底、一个在衬底上的第一外延层、一个形成在第一外延层中的掩埋层、一个在第一外延层上的第二外延层，以及一个形成在掩埋层下方的第一外延层中的植入层。植入层延伸到掩埋层上方。第一沟槽位于掩埋层的一边以及植入层的一边。第二沟槽位于掩埋层的另一边，并且延伸到植入层中。第三沟槽位于植入层的另一边。每个沟槽都内衬有电介质层。在第二外延层的顶面中，制备一组源极区。沟槽和源极区交替出现。在第二外延层中，制备一对植入区。