公开(公告)号：CN111633850B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202010120773.9

申请日：2020-02-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤原贤二 ,  川上宪秀 ,  栗本宏高

IPC: B28D5/00 ,  B28D5/04

Abstract: 本发明的课题是提供实现Warp值恶化较少的工件的切断加工方法。该方法的特征在于，所述工件是中心轴向为 方向或 方向的单晶铸块，并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为 方向的单晶铸块，以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：将用线切断中心轴向为 方向的单晶铸块时的切断方向从 方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为‑30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°(其中，从(1‑10)方向、(‑101)方向及(01‑1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0‑11)方向、(‑110)方向及(10‑1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向，设为‑30°≦θ≦+30°；另外，中心轴向为 方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°)。

公开(公告)号：CN117897798A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280059667.1

申请日：2022-07-20

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，其中，预先获取用含氢氧化铵且过氧化氢浓度为0～0.15wt％的水溶液的清洗液清洗无自然氧化膜的裸面露出的调查用硅晶圆时的表面和背面或背面的粗糙化量与清洗温度、NH4OH浓度、H2O2浓度之间的关系，基于该关系，根据所期望的粗糙化量确定清洗温度、NH4OH浓度及H2O2浓度的粗糙化清洗条件，以该确定的粗糙化清洗条件，清洗无自然氧化膜的裸面露出的粗糙化对象硅晶圆，将表面和背面或背面粗糙化。由此，提供可使硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的清洗方法、可获得选择性地仅将一侧面粗糙化的硅晶圆的硅晶圆制造方法、影响粗糙化行为的清洗液中的微量的过氧化氢浓度的评估方法与管理方法。

公开(公告)号：CN115427193B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202180030308.9

申请日：2021-04-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜

IPC: B24B37/08 ,  B24B37/00 ,  B24B37/28 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种双面研磨方法，在具有平台中心的旋转平台的上平台与下平台之间设置多片载体，使多片载体分别保持1片以上的晶圆，一边以压送方式供给浆料一边研磨晶圆的双面，其特征在于，使保持于多片载体的晶圆的配置为：从多片载体中选择基准载体，以平台中心为角度中心将与该平台中心及基准载体一起所成的角α最大的1片或2片载体作为对称载体，使得配置于基准载体的晶圆的平均厚度Aμm与配置于对称载体的晶圆的平均厚度Bμm之差为1.0μm以下，而进行晶圆的双面研磨。由此，可提供一种能够提供降低了双面研磨后的平坦度的偏差的晶(56)对比文件王威;阎秋生;潘继生;白振伟.超薄钛酸锶电瓷基片研磨加工工艺优化.现代制造工程.2014,(12),第7-10页.

公开(公告)号：CN117529654A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202280044051.7

申请日：2022-06-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大西理

IPC: G01N21/956

Abstract: 本发明是一种碎屑判定方法，根据通过外观检查装置得到的图像判定在晶圆背面的HLM周边产生的碎屑，该方法将图像的亮度数据置换为矩阵数据，提取HLM的印字区域，求出亮度的最小平方面，从印字区域减去最小平方面而求出标准化矩阵数据，将0代入该小于0的矩阵值而求出凸侧矩阵数据，将标准化矩阵数据的符号翻转，并将0代入表示点与噪声的矩阵值而求出凹侧矩阵数据，根据凸侧·凹侧矩阵数据求出合成矩阵数据，对合成矩阵数据进行处理而求出低通矩阵数据，使用规定的阈值从低通矩阵数据判定碎屑，求出碎屑的面积比例，并判定印字区域中有无碎屑。由此，提供一种碎屑判定方法，其能够可靠地检测出无法通过形状测量机检测出的碎屑，而判定碎屑的有无。

公开(公告)号：CN117529653A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202280043984.4

申请日：2022-06-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 齐藤智宏 ,  舛田龙也

IPC: G01N21/956

Abstract: 本发明是一种碎屑判定方法，使用通过外观检查装置得到的图像判定在晶圆背面的硬激光标记(HLM)的周边产生的碎屑，该方法包含：根据通过外观检查装置得到的灰阶图像算出基准亮度的工序；从灰阶图像提取包含HLM的印字区域的工序；从印字区域将HLM的点部分排除的工序；以基准亮度为基准，从已经排除HLM的点部分的印字区域提取碎屑区域的工序；以及，基于碎屑区域，判定印字区域中有无碎屑的工序。由此，提供一种碎屑判定方法，其能够可靠地检测出无法通过形状测量机检测出的碎屑，而判定碎屑的有无。

公开(公告)号：CN117480591A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280041702.7

申请日：2022-06-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/316

Abstract: 本发明涉及半导体基板的热氧化膜形成方法，其具有：准备多个通过清洗而形成的化学氧化膜中的OH基的量不同的半导体基板，以相同的热氧化处理条件对这些半导体基板进行热氧化处理，获取OH基的量与热氧化膜的厚度的第一相关关系的工序；测定以相同的清洗条件清洗并改变干燥条件的基板的OH基的量，获取干燥条件与OH基的量的第二相关关系的工序；利用第一及第二相关关系获取干燥条件与热氧化膜厚的第三相关关系的工序；由第三相关关系确定干燥及热氧化处理条件的工序；进行基板的清洗的工序；及使用在确定干燥及热氧化处理条件的工序中确定的条件对清洗后的基板进行干燥及热氧化膜形成的工序。由此，提供一种热氧化膜形成方法，其能够在不改变清洗药液的组成的情况下，再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的厚度。

公开(公告)号：CN117460868A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202280041694.6

申请日：2022-06-27

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 土屋庆太郎 ,  山田雅人 ,  永田和寿

IPC: C30B29/38 ,  H01L33/32 ,  H01L21/265 ,  H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明为一种紫外线发光元件用外延片，其具有：对紫外光呈透明且具有耐热性的第一支撑基板；通过贴合而接合在该第一支撑基板上的AlxGa1‑xN(0.5＜x≤1)单晶的晶种层；以及在该晶种层上依次层叠生长有以AlyGa1‑yN(0.5＜y≤1)为主成分的第一导电型包覆层、AlGaN系活性层及以AlzGa1‑zN(0.5＜z≤1)为主成分的第二导电型包覆层的外延层。由此，提供一种紫外线发光元件用外延片及其制造方法，该紫外线发光元件用外延片廉价且光提取效率良好，并且具有高质量的AlN等III族氮化物的外延层。

公开(公告)号：CN117441040A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202280032856.X

申请日：2022-02-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 高桥宽贵 ,  松本克 ,  小内骏英 ,  菅原孝世

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明的单晶制造装置是利用切克劳斯基法培育单晶的单晶生长装置，具有：主腔室，容纳收容原料熔液的坩埚和加热原料熔液的加热器；提拉腔室，连接设置于该主腔室的上部，提拉并收容生长的单晶；以及冷却筒，以包围提拉中的单晶的方式从主腔室的至少顶部朝向原料熔液表面延伸，被冷却介质强制冷却，其特征在于，具备：第一冷却辅助筒，嵌合于冷却筒的内侧；以及第二冷却辅助筒，从下端侧螺合于第一冷却辅助筒的外侧，并且冷却筒的底面与第二冷却辅助筒的上表面的间隙为0mm以上1.0mm以下。由此，能够提供可通过高效地冷却培育中的单晶而实现该单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。

公开(公告)号：CN117157740A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280027176.9

申请日：2022-03-03

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 多贺稜

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明是一种晶圆的制造方法，包含以下工序：利用保持单元按压晶圆，使晶圆的第一主面接触树脂；一边在晶圆的第一主面上使树脂扩展，一边从保持单元对保持单元与第二主面之间进行空气喷射，由此在将由保持单元对晶圆的第二主面的保持释放的状态下，在晶圆的第一主面上使树脂扩展；一边进行空气喷射，一边使晶圆与保持单元分开；在晶圆与保持单元分开后，使树脂固化而获得包含平坦化树脂层的复合体；以平坦化树脂层为基准面，在吸附保持复合体的该状态下磨削或研磨晶圆的第二主面；以及，在吸附保持晶圆的第二主面的状态下磨削或研磨晶圆的第一主面。由此，提供一种晶圆的制造方法，其能够制造Warp良好且纳米形貌良好的晶圆。

公开(公告)号：CN117136428A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202280026918.6

申请日：2022-02-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫 ,  五十岚健作 ,  大槻刚

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其包括：利用氢氟酸清洗硅晶圆的第一清洗工序；利用臭氧水清洗利用所述氢氟酸进行了清洗的所述硅晶圆的第二清洗工序；利用SC1清洗液清洗利用所述臭氧水进行了清洗的所述硅晶圆的第三清洗工序；及利用臭氧水清洗利用所述SC1清洗液进行了清洗的所述硅晶圆的第四清洗工序。由此，提供一种能够在将颗粒品质保持良好的同时，将硅晶圆上的自然氧化膜的膜厚以良好的再现性且高精度地控制在规定范围内的硅晶圆的清洗方法。