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公开(公告)号：CN116190521A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310317675.8
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将衬底设置具有多个凸起，所述发光结构层叠于所述衬底具有凸起的一侧表面；其中，所述凸起沿第一方向的横截面积逐渐减小；沿第一方向上所述凸起的单位高度所对应的横截面积差值为变化速率，则变化速率和凸起高度的曲线呈“V”形；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述发光结构。基于上述设置所获得的凸起形状，使得光在所述凸起形成更全面的反射方向，从而扩大了LED芯片的发光角度；如此，在后续显屏组装时可简化背光设计，尤其适用于微型LED芯片(如Mini‑LED或Micro‑LED等)。
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公开(公告)号：CN115548181A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211201174.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将所述发光结构通过分割道形成相互独立的第一发光结构和第二发光结构，且所述第一发光结构和所述第二发光结构分别具有裸露对应所述第一型半导体层部分表面的通孔；并通过导电衬底、电极连通层和第一电极的设置，使所述第一、第二发光结构分别形成通孔型的垂直LED芯片；其次，通过第二绝缘层的设置，使所述电极连通层与所述第二电极层在所述分割道上方连接，从而实现了所述两发光结构的串联。如此，使第一发光结构和第二发光结构无需通过台阶即可在平坦的分割道上方实现桥接串联，大大提升了高压LED芯片的可靠性；同时，由于桥接区域分布于两发光结构的分割道，不占据发光面积，可提高芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN115425129A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211120718.5
申请日：2022-09-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多色LED芯片及其制作方法，在衬底表面依次层叠的第一反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、复合电流扩展结构以及欧姆接触层；其中，所述复合电流扩展结构至少包括沿第一方向依次堆叠的电流扩展底层、第二反射层、第三反射层以及电流扩展顶层；且所述第一反射层、第二反射层以及第三反射层所反射的光波依次减小，以实现单颗LED芯片的多色立体显示效果。基于此，从发光外延结构的底面开始依次反射的波段逐渐减小，并在发光外延结构表面通过反射层配合电流扩展层，有效避免发光外延结构表面的光下射到有源区而损耗光效，同时可实现发光外延结构表面的横向电流扩展。
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公开(公告)号：CN115295694A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210342228.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠缺陷阻隔层、第一N型半导体层、电流阻挡层、第二N型半导体层、有源层、P型半导体层。通过所述缺陷阻隔层阻挡所述衬底与半导体层之间因晶格失配所产生的缺陷的向上延伸；同时，通过所述电流阻挡层阻挡电流在所述第二N型半导体层表面的纵向传输，提高电流在界面的横向传递，增加电流扩展的效果。
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公开(公告)号：CN114464712A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210275391.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延结构、LED芯片及其制作方法，其中外延结构包括：图形化的混合生长衬底、N型半导体层、有源区和P型半导体层；混合生长衬底包括蓝宝石衬底及设置在蓝宝石衬底上表面的多个凸起结构和缓冲层，凸起结构为易腐蚀性材料，且相邻凸起结构的底部相互紧挨，形成底部相连的凸起结构，部分凸起结构的底部边沿与蓝宝石衬底上表面的边沿部分重叠，再者缓冲层与蓝宝石衬底的接触面积远小于各所述凸起结构与蓝宝石衬底的接触面积，可使LED芯片能够采用湿法剥离的方法，高效、低成本的剥离蓝宝石衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113921671A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111311758.3
申请日：2021-11-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管的外延结构及其制备方法、LED芯片，通过将衬底设置为表面具有多个凸起的图形化衬底，且在所述凸起的表面设有反射层；有利于增大衬底的反射出光率，从而进一步提高发光二极管LED芯片的发光亮度。进一步地，所述非故意掺杂层覆盖各所述凸起及反射层，且反射层对所述凸起表面的覆盖面积范围为5％‑95％，包括端点值；在提高衬底的反射出光率的同时，可实现非故意掺杂层、反射层、图形化衬底三者之间的有效连接，保证其结构稳定性，从而降低衬底与外延结构之间的晶格失配，避免图形斜面对外延生长的不利影响，确保了外延结构生长的均匀性。
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公开(公告)号：CN113809219A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111148515.2
申请日：2021-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有光转换功能的发光结构LED芯片及制备方法，通过将光转换材料植入外延叠层内部，实现了初步的光转换发光结构。在此基础上制作的LED芯片，在后续封装过程中，可以免除光转换材料覆盖的过程，有利于减少工序。同时，本技术方案避免了光转换材料容易受温度、湿度、环境杂质等影响而出现性能退化，进而影响光转换效率和出光效率的风险；同时，降低了整体灯珠的热阻，从而提高LED芯片的寿命。
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公开(公告)号：CN113363358A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110601827.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 发明提供了一种LED芯片，外延结构包括：第一半导体层；位于第一半导体层一侧上的电流阻挡层；位于电流阻挡层背离第一半导体层上的第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相同；位于第二半导体层背离第一半导体层上的位错阻挡层；位于位错阻挡层背离第一半导体层上的有源层；位于有源层背离第一半导体层上的第三半导体层，第三半导体层与第一半导体层的导电类型不同。本发明提供的技术方案，通过设置位错阻挡层能够减小LED芯片的位错密度，同时能够实现应力释放功能，进而降低LED芯片外延生长过程中出现翘曲的情况的几率。以及通过设置电流阻挡层能够实现LED芯片更好的电流阻挡效果，进而保证LED芯片的性能优良。
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公开(公告)号：CN113328019A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110563851.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延生长衬底、半导体外延结构及其制作方法，通过设置：具有若干个凸台的图形化衬底以及形成于所述图形化衬底表面的保护层；相邻的所述凸台之间具有间隙，且所述保护层填充所述间隙并覆盖各所述凸台的顶面；所述保护层用于保护所述生长衬底的图形在外延生长前不被破坏。进一步地，所述凸台的垂直高度大于所述凸台的底面宽度，使所述外延生长衬底形成大高宽比的图形，实现大出光角度；并通过小底宽设计实现高密度的图形进而提高发光效率。同时，通过设置保护层，有利于实现图形化衬底的可靠性及稳定性，减少大高宽比的图形在外延生长前被外力破坏。
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公开(公告)号：CN112349819A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011214208.5
申请日：2020-11-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种通孔填充式LED芯片及其制作方法，其所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔，所述通孔内设有填充结构；所述填充结构通过不同实施方式呈现。在保证接触的前提下，减少了由于开孔导致的表面高度差以及由此产生的空洞，进而解决因其导致的应力失配、热量聚集及电流分布不均匀的技术问题。
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