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公开(公告)号：CN101916726A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010220198.6
申请日：2010-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/3205 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78654 , H01L29/78612
Abstract: 本发明公开了一种抑制SOI浮体效应的MOS结构的制作方法。本发明方法制作的SOI MOS结构，其有源区包括：体区、N型源区、N型漏区、重掺杂P型区；其N型源区由硅化物和与之相连的N型Si区两部分组成；所述重掺杂P型区位于硅化物与绝缘埋层之间，并分别与硅化物、体区、绝缘埋层及浅沟槽隔离结构相接触。制作时先通过离子注入的方法形成重掺杂P型区，再在源区的部分表面形成一层金属，通过热处理使金属与其下的Si材料反应生成硅化物。本发明通过硅化物与下方的重掺杂P区形成欧姆接触，释放SOI MOS器件在体区积累的空穴，从而抑制SOI MOS器件的浮体效应，并具有不增加芯片面积，制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容等优点。
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公开(公告)号：CN101726274A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910199726.1
申请日：2009-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种确定MOSFET器件BSIM模型参数宽度偏移量Wint的方法。首先利用半导体参数测试仪测量至少3个拥有相同沟道长度、不同沟道宽度的MOSFET器件的Ids-Vds输出特性；然后求出漏极电流Ids对漏极电压Vds的二阶导数Ids″；通过延长Ids″与MOSFET沟道设计宽度Wdrawn的曲线便可容易得到准确的MOSFET器件的宽度偏移量Wint。
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公开(公告)号：CN101719500A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910199722.3
申请日：2009-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/16
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/823807 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L29/42392 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的PMOS区域、具有第二沟道的NMOS区域及栅区域，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道的横截面均为腰形(跑道形)，且具有不同的半导体材料，所述的第一沟道为n型Ge材料，所述的第二沟道为p型Si材料；栅区域将所述第一沟道及第二沟道的表面完全包围；在PMOS与NMOS区域之间、PMOS区域或NMOS区域与Si衬底之间均有埋层氧化层将它们隔离。本器件结构简单、紧凑，集成度高，在反型工作模式下，采用混合材料的沟道、跑道形全包围栅结构、高介电常数栅介质和金属栅，具备高载流子迁移率，可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应等。
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公开(公告)号：CN101719499A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910199721.9
申请日：2009-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/16
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/12 , H01L29/42392 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有p沟道的PMOS区域、具有n沟道的NMOS区域及栅区，其特征在于：所述的p沟道及n沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述的p沟道为Ge材料，所述的n沟道为Si材料；栅区域将所述p沟道及n沟道的表面完全包围；在PMOS与NMOS区域之间、PMOS区域或NMOS区域与Si衬底之间均有埋层氧化层将它们隔离。本器件结构简单、紧凑，集成度高，在积累工作模式下，电流流过整个圆柱形的沟道，具备高载流子迁移率，低低频器件噪声，并可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应，增大了器件的阈值电压。
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公开(公告)号：CN1828913A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610023694.6
申请日：2006-01-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅—绝缘埋层—单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛且硅岛下面保留一部分的绝缘埋层；硅岛各平行边之间的垂直距离小于外延氮化镓厚度的两倍；硅岛下面绝缘埋层剩余部分的截面积S2小于硅岛面积S1/4，而大于S1/25；本发明的图形化衬底材料具有大尺寸、低成本优点，可提高吸收异质外延的应力，提高外延生长的GaN晶体的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1184697C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN03115424.7
申请日：2003-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出了一种准绝缘体上的硅(SOI)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的新结构及实现方法。其特征在于源漏区下方埋氧是连续的；而沟道区下方的埋氧是非连续的。采用注氧隔离技术来实现的艺过程是：(1)在半导体衬底中注入低于最优剂量的离子；(2)在器件沟道区光刻生成掩模；(3)在源漏区第二次注入离子，使源漏区注入的总剂量达到最优剂量；高温退火后在源漏区下方形成连续埋氧，沟道区下方形成非连续的埋氧；(4)常规CMOS技术完成器件制作。由于沟道下方的埋氧是非连续的，沟道和硅衬底之间电耦合，从而克服了SOI MOSFET器件的浮体效应和自热效应二大固有缺点。
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公开(公告)号：CN1431701A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03115426.3
申请日：2003-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法。其特征在于将图形化绝缘体上的硅(SOI)材料的制备工艺和半导体器件的浅沟槽隔离(STI)工艺结合起来；在形成STI的过程中完成图形化SOI材料的制备。主要工艺步骤包括依次包括在半导体衬底中光刻出将形成的SOI区域及其四周的沟槽；离子注入；高温退火；填充沟槽，CMP抛光，腐蚀Si3N4掩模等。本发明的方法消除了常规图形化SOI材料中体硅与掩埋绝缘层之间过渡区的应力，改善了图形化SOI材料的质量；同时减少了器件STI隔离的工艺步骤。
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公开(公告)号：CN1431679A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03115427.1
申请日：2003-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个步骤：(a)确定量子线区域并在其四周光刻出沟槽；(b)离子注入；(c)高温退火。本发明在减少工艺步骤、降低成本的同时提高了硅量子线的质量。所制备的硅量子线适合于制造单电子晶体管(SET)等固体纳米器件。
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公开(公告)号：CN1424754A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02160742.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种制备高质量图形化SOI材料的方法，依次包括在半导体衬底上生成掩模、离子注入和高温退火，其特征在于(1)离子注入前在硅片上形成掩模以在体硅区域完全阻挡离子的注入；(2)离子注入时的能量范围是50～200 keV，相应的剂量范围是2.0×1017～7.0×1017cm－2，注入剂量和能量之间的优化关系的公式是D(1017cm－2)＝(0.035±0.005)×E(keV)；(3)离子注入后的高温退火的温度为1200～1375℃，退火的时间为1～24个小时，退火的气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，其中氧气的体积含量为0.5％～20％。采用本发明提供的方法所制备的图形化SOI材料具有平整度高，缺陷密度低，过渡区小等优点，适合于制造集成体硅和SOI电路的系统芯片。
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公开(公告)号：CN120012686A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411877555.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/367 , G06F30/392
Abstract: 本发明提供了一种版图邻近效应参数的建模方法，包括如下步骤：根据测试数据采用恒电流法分别计算阈值电压；建立器件沟道长度参数与阈值电压参数的关系模型；建立器件沟道长度参数与器件迁移率参数的关系模型。本发明针对SOI器件的IV特性曲线进行物理特征与数学方法相结合的拟合方式，是一种更为准确的建模方法。
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