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公开(公告)号：CN117787152A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311607556.2
申请日：2023-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/33 , G06F30/367 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种采用电荷俘获‑释放机理的器件老化模型以及建模方法。所述采用电荷俘获‑释放机理的器件老化模型包括退化阶段模型与恢复阶段模型，退化阶段和恢复阶段模型均分为第一周期和后续周期，第一周期采用第一系列拟合参数描述阈值电压的变化，后续周期采用第二系列拟合参数描述描述阈值电压的变化。本发明的模型将第一阶段和后续阶段区别对待，可以拟合不同周期的器件情况，并且在不同的电压偏置下都有较好的拟合结果。
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公开(公告)号：CN120012687A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411877556.9
申请日：2024-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/367 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种FDSOI器件的射频建模方法，包括如下步骤：对RF器件的直流特性进行建模；寻找划分自加热效应和衬底效应的分离频率；在高于分离频率的状态下，对栅网络进行建模，提取栅寄生网络参数；在高于分离频率的状态下，对衬底效应进行建模，提取衬底网络参数；在高于分离频率的状态下，对自加热效应进行建模，提取自加热参数。本发明全频段存在的自加热效应，衬底效应及栅网络等效应，首先获得分离频率，再根据分离频率进行高频建模，因此可以建立了一种全频段模型，提高了建模的准确性。
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公开(公告)号：CN117807923A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311605313.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/33 , G06F30/367 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种采用反应‑扩散机理的器件老化模型以及建模方法。所述模型包括退化阶段模型与恢复阶段模型，退化阶段模型和恢复阶段模型均分为第一周期和后续周期，第一周期的退化阶段模型采用第一时间指数描述阈值电压的变化，第一周期的恢复阶段模型采用第二时间指数描述阈值电压的变化；后续周期的退化阶段模型和恢复阶段模型均采用第二时间指数描述阈值电压的变化。本发明的模型将第一周期的退化阶段和后续阶段区别对待，可以拟合不同周期的器件情况，并且在不同的电压偏置下都有较好的拟合结果。
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公开(公告)号：CN120012688A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411877558.8
申请日：2024-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/367 , G06F30/392 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种SOI射频器件低温模型建模方法，包括：对射频器件在各温度下的直流特性进行建模；建立用于低温S参数仿真的小信号等效电路图；根据小信号等效电路图，从不同温度下的射频实测数据中提取小信号参数；将不同温度提取出来的上述参数进行建模，建立这些参数与温度之间的关系并写入SPICE网表；建立Ft,Fmax与温度之间的联系。本发明针对低温情况，采用不同温度下的提取数据进行建模，建立Ft,Fmax与温度之间的联系，使其能够适用于低温环境。
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公开(公告)号：CN120012686A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411877555.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/367 , G06F30/392
Abstract: 本发明提供了一种版图邻近效应参数的建模方法，包括如下步骤：根据测试数据采用恒电流法分别计算阈值电压；建立器件沟道长度参数与阈值电压参数的关系模型；建立器件沟道长度参数与器件迁移率参数的关系模型。本发明针对SOI器件的IV特性曲线进行物理特征与数学方法相结合的拟合方式，是一种更为准确的建模方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112736076B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202011599983.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , G06F30/367
Abstract: 本发明提供了一种自加热效应参数的提取装置以及提取方法。所述装置包括一环形振荡器，所述环形振荡器包括；多个反相器，通过电阻彼此串接，所述反相器背栅或体区引出作为偏置端口；每个反相器的输出端与地之间连接一电容，用以增加时间延时。本发明利用环形振荡器进行自加热效应提取，测试误差小，且便于进行数值提取。
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公开(公告)号：CN115859790A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211475291.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/27 , G06N3/08 , G06N3/0442 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供了一种动态老化过程在线预测方法，包括如下步骤：测试及阈值电压提取；以及建立模型及在线预测；所述建立模型及在线预测的步骤中，动态老化模型包括退化模型和恢复模型，通过选定的基准数据第一周期作为训练集输入LSTM神经网络训练建立，预测分别使用基准数据的后续周期和其余条件下的数据，验证准确性和普遍性。本发明基于机器学习数据驱动方法，针对PDSOI器件的特点，对动态老化过程进行在线预测，补充了NBTI恢复情况的预测，改进了已积累历史退化量器件的退化预测，结果具有准确性和普遍性。
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公开(公告)号：CN111613262B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010324686.5
申请日：2020-04-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 本申请实施例提供了一种新型静态存储单元，该新型静态存储单元是通过第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管，第七晶体管和第八晶体管，这八个晶体管的电性连接得到的具有特定功能的新型静态存储单元。相较于原有的存储单元，通过增加的第一晶体管、第二晶体管和其他6个晶体管的结合得到的新型静态存储单元采用FDSOI工艺，在不增加面积的情况下可以抑制附体效应，而且具有低功耗和高性能的优势；此外，该新型静态存储单元不仅可以在抗单粒子效应能力上得到提高，还可以在存储数据的稳定性上得到增加。
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公开(公告)号：CN115543009A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211207132.2
申请日：2022-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明提供了一种电流镜，包括参考端晶体管和输出端晶体管，两晶体管的栅极相互连接，源极均接电路的最低电位或最高电位，参考端晶体管的漏极为电流镜的电流输入端，输出端晶体管的漏极为电流镜的电流输出端；还包括一电压运算放大器，所述电压运算放大器的正输入端与电流镜的电流输入端连接，负输入端与电流镜的电流输出端连接，输出端与两晶体管的栅极连接。上述技术方案通过引入电压运算放大器，解决了由于参考端与输出端电压不一致而造成镜像电流的精度问题。运算放大器的引入在电流镜内部构成了负反馈，使两晶体管的栅极能够在电路上电后快速且自适应地达到稳压状态。运算放大器的差分输入端能够有效改善电流镜的噪声。
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公开(公告)号：CN115270667A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210818863.4
申请日：2022-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/30
Abstract: 本发明提供了一种全耗尽SOI衬底上MOSFET的电容模型提取方法，包括如下步骤：将MOSFET源极、漏极短接并提供交流电压小信号，在背栅提供直流偏置，直流偏置使沟道区处在积累和反型状态，并在上述两状态下分别测量MOSFET在栅极的交流电流小信号，得出沟道电容Cgc；将MOSFET的源极、漏极与背栅短接并提供交流电压小信号，在MOSFET的栅极测量交流电流小信号，得到栅极电容Cgg；根据测得的沟道电容Cgc和栅极电容Cgg计算得出前栅氧化层电容Cox与埋氧层电容Cbox。本发明根据全耗尽SOI衬底的特点对电容模型进行重建，能够准确的提取采用FDSOI衬底的MOSFET前栅氧化层和埋氧层电容。
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