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公开(公告)号：CN112836812B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202011638469.X
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F17/40 , G06N3/063 , H01L29/788
Abstract: 本发明提供了一种基于浮栅晶体管的神经元网络，包括多节点输入单元：所述多节点输入单元包括一多输入端浮栅晶体管，多输入端浮栅晶体管的多个栅极输入端分别连接外部的多个仿生传感器输入信号，源极接地，漏极作为所述神经元网络的输出端。本发明给出了一种全新的电子传入神经元实现架构。该架构面向硬件神经形态神经网络的应用，实现了模拟信号到神经元信号的转换，具有结构简单、功能多、功耗低等优点，更加适应于神经元网络。
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公开(公告)号：CN112634957A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011595923.8
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C11/412
Abstract: 本发明提供了一种低功耗的静态随机存储器单元以及存储器，包括第一N型晶体管和第一P型晶体管组成的第一CMOS反相器，由第二N型晶体管和第二P型晶体管组成的第二CMOS反相器，第一和第二CMOS反相器对置互锁设置，第一和第二CMOS反相器的输出端分别连接第三N型晶体管和第四N型晶体管的源/漏极，所述第一和第二CMOS反相器的接地端分别通过第五N型晶体管和第六N型晶体管接地，所述第五N型晶体管的栅极接第一N型晶体管栅极，所述第六N型晶体管的栅极接第二N型晶体管栅极。本发明在原有传统6管存储单元的基础上添加两个N型晶体管，在现有的6T电路基础上形成了8T电路。在单元处于保持状态时，充当电阻从而降低了单元的漏电。
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公开(公告)号：CN112736076B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202011599983.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , G06F30/367
Abstract: 本发明提供了一种自加热效应参数的提取装置以及提取方法。所述装置包括一环形振荡器，所述环形振荡器包括；多个反相器，通过电阻彼此串接，所述反相器背栅或体区引出作为偏置端口；每个反相器的输出端与地之间连接一电容，用以增加时间延时。本发明利用环形振荡器进行自加热效应提取，测试误差小，且便于进行数值提取。
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公开(公告)号：CN112819148A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011638759.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06N3/063 , G06N3/06 , H01L29/788
Abstract: 本发明提供了一种基于浮栅晶体管的脉冲神经元网络，包括多节点输入单元和脉冲产生单元：所述多节点输入单元包括一多输入端浮栅晶体管，多输入端浮栅晶体管的多个栅极输入端分别连接外部的多个仿生传感器输入信号，源极接地，漏极接脉冲产生单元的正极；脉冲产生单元包括一Mott忆阻器，Mott忆阻器的负极连接工作电压，正极连接晶体管的漏极，并作为所述脉冲神经元网络的脉冲输出端。本发明给出了一种全新的电子传入神经元实现架构。该架构面向硬件神经形态脉冲神经网络的应用，实现了模拟信号到脉冲信号的转换，具有结构简单、功能多、功耗低等优点，更加适应于脉冲神经网络。
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公开(公告)号：CN112666440B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202011473363.9
申请日：2020-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种阈值电压的测量方法，包括如下步骤：在晶体管的栅极施加电压Vth0，源极与漏极之间施加一预设电压Vsd；测定源漏之间初始电流Id0；在所述晶体管的栅极均叠加电压偏移Vdelta1；再次测定源漏之间的电流Id1；评估|Id1‑Icon|是否小于一预设误差值，所述Icon为恒定的归一化电流，若小于则记录Vth0‑Vdelta1为该晶体管的阈值电压，若大于，则再次在第二晶体管的栅极均叠加电压偏移Vdelta2，所述Vdelta2的数值与Id1‑Icon呈一致性正相关。本发明考虑到测试获得的电流与归一化电流的数值关系，测试电流与归一化电流的差越大，则后续叠加的电压偏移就越大，两者呈一致性正相关，以使测试能够更迅速的逼近真实的阈值电压，提高了测试效率，有效降低相关测试时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112837731B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202011636261.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C11/412 , G11C11/417 , H10B10/00
Abstract: 本发明提供了一种存算复用的静态存储单元，输入信号配置可以选自于存储器配置和比较器配置中的任意一种。通过复用一部分晶体管，通过更小的电路面积做到了比较器和存储器的存算复用，提高了存算一体系统的数据处理能力。
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公开(公告)号：CN112765922A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011639121.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明提供了一种采用SOI衬底的射频晶体管的仿真模型，包括：核心器件，所述核心器件为一晶体管，包括源极、漏极、正栅、以及SOI衬底的背栅；所述核心器件的外围电路包括：栅极电阻、栅极到接触孔的电阻、源极和漏极电阻、栅极到源极的边缘电容、栅极到源极的寄生电容、栅极到漏极的边缘电容、栅极到漏极的寄生电容、埋层氧化物层电容、源端下方的埋层氧化物电容、漏端下面的埋层氧化物电容、埋层氧化物下方的阱区域的分布式电阻、衬底部分的电阻和电容、以及背栅电阻。本发明综合考虑了FDSOI衬底的特点，重新设计了一套更适合射频FDSOI领域的合适的器件模型，对比结果显示其于测试值高度吻合。
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公开(公告)号：CN112736076A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011599983.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , G06F30/367
Abstract: 本发明提供了一种自加热效应参数的提取装置以及提取方法。所述装置包括一环形振荡器，所述环形振荡器包括；多个反相器，通过电阻彼此串接，所述反相器背栅或体区引出作为偏置端口；每个反相器的输出端与地之间连接一电容，用以增加时间延时。本发明利用环形振荡器进行自加热效应提取，测试误差小，且便于进行数值提取。
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公开(公告)号：CN112650472A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011477771.1
申请日：2020-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种构造赝自旋的装置，包括一晶体管，所述晶体管的栅极为输入端，源/漏极电学接地，漏/源极通过一隧道结电学连接至工作电平，所述隧道结为真随机数发生源，故所述晶体管的漏/源极端电平值即输出一随机数，所述随机数可以作为赝自旋取随机向上向下的状态，用以构造赝自旋。本发明由于采用真实物理过程作为真随机数的信号源，具有随机和不可预测等特性，因此消除了伪随机数的周期性和相关性等问题，产生的随机数分布均匀，符合不相关等特性，是一种高质量的真随机数，并利用在电子赝自旋构造上，可以实现真正满足量子态的随机的自旋态构造。
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公开(公告)号：CN112581988A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011473468.4
申请日：2020-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C5/06 , G11C5/02 , G11C11/411
Abstract: 一种静态随机存储器单元，包括电学串联的第一传输晶体管和第二传输晶体管，以及并联在第一和第二传输晶体管之间的两个对置互锁的第一和第二反相器，所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述静态随机存储器单元的晶体管采用背栅晶体管。本发明在原有传统6管存储单元的基础上添加背栅结构连接电位，通过调节背栅来调节晶体管沟道的导电能力，可以在不改变版图尺寸的情况下实现电学参数调节的目的，降低了研发成本。
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