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公开(公告)号：CN101277092B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810087755.4
申请日：2008-03-26
IPC: H02P29/02
CPC classification number: H02H7/0838 , H02H7/093
Abstract: 适当地检测马达约束。马达约束检测电路具有：二值化电路，其生成具有与马达的转速相应的频率的信号的二值化信号；边缘检测电路，其在检测出上述二值化信号的边缘时生成边缘检测信号；第一计数器，其计数比上述二值化信号的边缘间隔长的第一计数期间，当生成了上述边缘检测信号时使上述第一计数期间的计数复位，在直到上述第一计数期间为止进行了计数时生成计数信号；第二计数器，其计数比上述第一计数期间长的第二计数期间，当生成了上述计数信号时使上述第二计数期间的计数复位，在直到上述第二计数期间为止进行了计数时生成表示检测出上述马达的约束的情形的马达约束检测信号。
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公开(公告)号：CN101207115B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710186572.3
申请日：2007-12-12
Inventor： 水谷阳介
IPC: H01L25/00 , H01L25/18 , H01L25/065 , H01L27/02 , H01L23/48
CPC classification number: G11C5/143 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明要解决的课题是：在将具有半导体存储器的半导体芯片(4)和具有逻辑电路的主芯片(2)安装在一个封装内的半导体集成电路中，半导体芯片(4)在待机状态下的漏电流明显。在主芯片(2)上连接半导体芯片(4)的电源焊盘(10)，设置用于将来自外部的电源电压提供给半导体芯片(4)的开关单元(20)，根据来自控制电路的控制信号，在半导体存储器的待机模式时，切断半导体芯片(4)的电源焊盘(10)与主芯片(2)的半导体存储器的电源电压线的连接，从而可以抑制在半导体存储器上发生的漏电流。
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公开(公告)号：CN101174616B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710168001.7
申请日：2007-10-31
IPC: H01L25/00 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49531 , H01L21/565 , H01L23/49575 , H01L23/49811 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05554 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H05K1/0203 , H05K1/056 , H05K3/284 , H05K2201/1034 , H05K2201/10924 , H05K2203/049 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种电路装置，提高其安装密度。本发明的电路装置具备：由绝缘层(12)覆盖了表面的电路衬底(11)、绝缘层(12)的表面形成的导电图案(13)、与导电图案(13)电连接的电路元件、与由导电图案(13)构成的焊盘(13A)连接的引线(25)。另外，在由引线(25A)的一部分构成的接合部(18A)的上面粘着有控制元件(15A)，接合部(18A)的背面从电路衬底(11)的上面离开。
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公开(公告)号：CN101686592A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910176674.6
申请日：2009-09-24
Inventor： 西智昭
IPC: H05B37/02
CPC classification number: H05B33/0815
Abstract: 一种发光元件驱动控制电路，该发光元件驱动控制电路具备有：控制电路，将与发光组件及电感器串联连接从而控制发光组件的驱动电流的增减的晶体管根据控制信号予以导通/切断；最大值检测电路，检测驱动电流的最大值；以及控制信号产生电路，根据最大值检测电路的检测结果产生控制信号，该控制信号在驱动电流小于最大值时使晶体管导通以使驱动电流以因应电源电压的电平的速度增加，而在驱动电流变成最大值时使晶体管切断既定期间以使驱动电流以因应发光组件的顺向电压的电平的速度减少。
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公开(公告)号：CN101655396A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910166250.1
申请日：2009-08-20
Inventor： 长谷川和男
IPC: G01K7/01
CPC classification number: G01K7/01
Abstract: 本发明提供一种能够选择性地得到具有任意的温度系数的电压并能够容易地将这些温度系数的交叉点设定为规定温度的温度传感器电路。作为基本构成要素具备按照消除表现在电阻上的电压的正的温度系数与成二极管连接的双极性晶体管的基极发射极间电压的负的温度系数的方式构成的带隙基准电压电路的低电压动作恒定电压电路中，将所述电阻与所述双极性晶体管分离为晶体管/电阻串联电路、晶体管/二极管串联电路。设置：各自的输入端子分别与所述双极性晶体管的集电极连接的第一缓冲电路和第二缓冲电路，还设置有连接在第一缓冲电路的输出端与第二缓冲电路的输出端之间并构成为对两输出端之间的电压进行分压来获得温度系数不同的任意的电压的分压电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101632155A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880008259.3
申请日：2008-03-12
Inventor： 龟山工次郎
IPC: H01L21/301 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC classification number: H01L23/49513 , H01L21/304 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01072 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在磨削晶圆而形成薄膜的半导体装置的情况下，需要分离成各芯片并对芯片的背面另外分别进行加工。在本发明中，在对晶圆(2a)的表面进行半切割而形成槽部(4)的状态下，通过粘合层(6)将具有刚性的支承体(5)与晶圆(2a)的表面粘贴。另外，在磨削晶圆(2a)的背面并单片化成各芯片(2b)以后，不将芯片(2b)从支承体(5)分离，进行伴随着形成背面电极(9a)等的热处理的背面加工。
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公开(公告)号：CN100576542C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710161277.2
申请日：2007-09-25
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/4238 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及绝缘栅型半导体装置。在栅焊盘电极下方设置p+型杂质区域的情况下，p+型杂质区域的端部具有球面状的曲率。当漏-源间反向耐压达到数百伏时，在球面状的端部就会电场集中，无法得到足够的漏-源间反向耐压。在平面图形中，当增大p+型杂质区域的角部曲率时，就要牺牲能够在动作区域配置的晶体管单元的数量。在栅焊盘电极下方也配置与晶体管单元连续的沟道区域。将位于栅焊盘电极下方的沟道区域固定为源电位。由此，即使不在栅焊盘电极下方的整个面设置p+型杂质区域，也能够确保规定的漏-源间反向耐压。此外，在栅焊盘电极下方的条状的多晶硅形成保护二极管。
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公开(公告)号：CN101604632A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910140668.5
申请日：2009-06-12
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L21/329 , H01L21/31 , H01L21/306 , H01L29/861 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/0649 , H01L29/6609
Abstract: 本发明的目的在于确立高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法的确立，以解决因位于PN接合部PNJC处的台沟内壁的第2绝缘膜的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的装置及方法，是对以干蚀刻形成的台沟，再以氟酸、硝酸系等蚀刻剂对该台沟的侧壁进行湿蚀刻，由此在台沟的上部形成由突出于台沟的第1绝缘膜所构成的檐部。且利用涂布法或印刷法将绝缘膜形成于台沟内、以及以台沟为中心以形成为比檐部区域还宽广的方式将绝缘膜形成于第1绝缘膜上，而该檐部成为阻止因之后的热处理而流动性变高的绝缘膜流往台沟的底部的障壁。故能以足够厚度的绝缘膜被覆位于PN接合部PNJC处的台沟侧壁，而达耐压的确保及漏电流的降低等目的。
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公开(公告)号：CN101599242A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200810181943.3
申请日：2008-11-28
IPC: G09G3/18
CPC classification number: G09G3/18 , G09G3/04 , G09G2310/0245 , G09G2310/06 , G09G2310/08 , G09G2330/02
Abstract: 本发明提供一种液晶驱动电路，是防止变更成错误的工作比驱动状态，并读入对应不同工作比驱动状态的串行数据，以防止进行非意图的显示。本发明的液晶驱动装置具备有：液晶驱动信号产生电路(30)，是根据串行数据接收电路(10)所接收的串行数据，产生用以使液晶显示区段点亮或熄灭的驱动信号，并可切换成1/4工作比驱动与1/3工作比驱动；以及状态设定电路，当串行数据接收电路(10)接收到对应1/4工作比驱动的串行数据时，根据识别数据将液晶驱动信号产生电路(30)设定成1/4工作比驱动状态，之后，当串行数据接收电路(10)接收到对应1/3工作比驱动的串行数据时，禁止串行数据读入至液晶驱动信号产生电路(30)。
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公开(公告)号：CN101584098A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780043836.8
申请日：2007-11-29
CPC classification number: G06K19/0723 , G06K7/0008 , G06K19/07777
Abstract: 无接点传送装置(100)的构成为包括：监视用时钟振荡器(112)，输出频率比系统时钟(CK0)低的监视用时钟(LF0)；控制电路(108)；存储器(114)，存储控制电路(108)所利用的信息(D)；以及复位电路(116)。控制电路(108)的构成为包括存储从存储器(114)读取的信息(D)的内部存储电路。控制电路(108)将存储在内部存储电路内的信息(D)以基于监视用时钟(LF0)的更新周期，从存储器(114)读取并进行更新。此外，控制电路(108)以比上述更新周期长的且基于监视用时钟(LF0)的复位周期进行复位，每次复位都将存储在所述内部存储电路内的信息(D)从存储器(114)读取并进行更新。
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