公开(公告)号：CN111509200A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201911347525.1

申请日：2017-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 落合辉明 ,  川上贵洋 ,  三上真弓 ,  门马洋平 ,  鹤田彩惠 ,  高桥正弘

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M4/02 ,  H01M10/0525 ,  H01G11/50 ,  H01G11/30

Abstract: 本发明提供一种锂离子二次电池的正极活性物质层，其具有第一区域、以及覆盖所述第一区域的至少一部分的第二区域，所述第一区域具有钴和铝，所述第二区域具有镁，所述钴、铝、镁的至少一种在所述第一区域和所述第二区域具有浓度梯度。

公开(公告)号：CN110993921A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911351432.6

申请日：2017-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门马洋平 ,  川上贵洋 ,  落合辉明 ,  高桥正弘

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/48 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供一种循环特性良好且容量大的锂离子二次电池用正极活性物质。在正极活性物质的表层部上设置包含铝的覆盖层、包含镁的覆盖层。包含镁的覆盖层存在于比包含铝的覆盖层更接近粒子表面的区域。包含铝的覆盖层可以通过使用铝醇盐的溶胶-凝胶法形成。可以对起始材料混合镁及氟，在溶胶-凝胶法之后进行加热而镁偏析，由此形成包含镁的覆盖层。

公开(公告)号：CN110957479A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201911127591.8

申请日：2017-06-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 落合辉明 ,  川上贵洋 ,  三上真弓 ,  门马洋平 ,  高桥正弘 ,  鹤田彩惠

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525

Abstract: 提供一种可以提高二次电池的循环特性的正极活性物质。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表面设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和外表部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。

公开(公告)号：CN110911639A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911291482.X

申请日：2017-06-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 落合辉明 ,  川上贵洋 ,  三上真弓 ,  门马洋平 ,  高桥正弘 ,  鹤田彩惠

IPC: H01M4/131 ,  H01M4/1315 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/13915 ,  H01M4/62

Abstract: 提供一种可以提高二次电池的循环特性的正极活性物质。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表面设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和外表部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。

公开(公告)号：CN105734493B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610250248.2

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN105336791B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201510496344.0

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L29/786

Abstract: 一种氧化物半导体膜以及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a‑b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN104769150B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201380058422.8

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: C23C14/08 ,  C01B13/14 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN105779940A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610333336.9

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN103339715B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180066610.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/363 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN105023942A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510329843.0

申请日：2010-12-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  广桥拓也 ,  高桥正弘 ,  岛津贵志

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/7393 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66325

Abstract: 可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。