公开(公告)号：CN101471336B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200810189112.0

申请日：2008-12-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 横尾聪

IPC: H04N5/232 ,  H04N5/213 ,  H01L27/02 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在多芯片封装的半导体装置中，将具有模拟电路的驱动器芯片、与具有数字电路的逻辑芯片安装于相同封装内。驱动器芯片包括：逻辑芯片用电源电路，作成逻辑芯片用的逻辑芯片电源；及多个运算放大器，将来自多个感测器的检测信号予以放大。驱动器芯片整体为四角形状，并将所述多个运算放大器与所述逻辑芯片用电源电路配置于对角位置。本发明所述的半导体装置，可有效地防止对于感测器用的运算放大器造成的影响。

公开(公告)号：CN101820243A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010122177.0

申请日：2010-02-26

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 野家城治

IPC: H02P7/28

CPC classification number: H02P29/025 ,  H02P7/04

Abstract: 本发明提供一种电动机驱动电路。该电动机驱动电路包括有从产生输入电压的电源所分歧而连接的第一电源线与第二电源线、H桥接电路以及切换控制H桥接电路的控制手段，所述控制手段是以所述电源电压为预定值以下时不会产生所述H桥接电路的回生路径的方式进行控制。本发明能提供一种低成本、能抑制反冲发生时的电压上升、避免电源电压为预定值以下时的制动的电动机驱动电路。

公开(公告)号：CN101807599A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010121457.X

申请日：2010-02-11

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 大竹诚治

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7821

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，因寄生Tr的导通电流在半导体层表面流动而存在元件受到热破坏的问题。在本发明的半导体装置中，在作为漏极区域的N型扩散层(9)，形成P型扩散层(14)及作为漏极导出区域的N型扩散层(10)。而且，P型扩散层(14)配置于MOS晶体管(1)的源极-漏极区域之间。根据该结构，对漏极电极(28)施加正的ESD浪涌，即便在寄生Tr1的导通电流(I1)流动的情况下，因寄生Tr1的导通电流(I1)的电流路径处于外延层深部侧，故也可防止MOS晶体管(1)受到热破坏。

公开(公告)号：CN101409285B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810161726.8

申请日：2008-09-22

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 金子守

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7821 ,  H01L29/866

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。以往的保护二极管有击穿特性不陡峭、不能获得作为恒压二极管的良好特性的问题。而且，由于保护二极管的大部分是用不同于MOS晶体管的工序形成，所以有无法削减工序数目以及成本的问题。为了解决该问题，本发明在与MOS晶体管相同的单晶衬底上以环状设置p-型杂质区域、n+型杂质区域而形成npn结。在设置多个npn结的情况下，将它们分别隔开而形成同心圆的环状。由于击穿特性变得陡峭，所以能够获得良好的恒压二极管特性。而且，由于能够利用MOS晶体管的制造工艺来形成，所以有助于实现工序合理化、成本的降低。进而，根据耐压来选择npn结的数目，由此，耐压的控制也更容易。

公开(公告)号：CN101794616A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010105010.3

申请日：2010-01-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 金田义宣

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/08

Abstract: 本发明提供一种数据传送系统。其中，由于采取存储器块(10)为主要、各电路块(A～E)为从属的结构，故从属侧、即电路块只具有与事先分配的地址对应的译码器和寄存器的结构就能够从存储器块(10)读取所需要的数据。此时，由于寄存器自身即使在以往的系统结构中也是保存从存储器读取出的数据所必需的，故在系统整体中能谋求电路规模的削减。由于其效果与共有存储器块(10)的电路块的数目成正比地增大，故系统规模越大其效果就越大。从而，在多个器件或多个电路块共用一个存储器的系统中能谋求系统的电路规模的削减。

公开(公告)号：CN101789744A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010003203.8

申请日：2010-01-11

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 日置耕作 ,  高井和顺 ,  长沼武 ,  丹羽义博

IPC: H02P8/12

CPC classification number: H02P6/182 ,  G05B19/40 ,  H02P6/18 ,  H02P6/188 ,  H02P8/04 ,  H02P8/12 ,  H02P8/16

Abstract: 本发明提供一种驱动电路。其中，包括2个线圈(22、24)且使提供给该2个线圈(22、24)的供给电流的相位不同，由线圈(22、24)旋转转子(26)。在一方线圈(22)或(24)处于高阻抗状态的阶段检测在该线圈(22)或(24)中产生的感应电压。输出控制电路(12)根据感应电压的状态来控制提供给2个线圈(22、24)的电动机驱动电流的大小。从而，能将电动机驱动电流的大小控制为适当的值。

公开(公告)号：CN101295686B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810092336.X

申请日：2008-04-22

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 冈田和央 ,  篠木裕之 ,  关嘉则 ,  山田紘士

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，通过提高支承体和粘接层间的耐湿性，从而提高半导体装置的可靠性。本发明的半导体装置具有：在半导体元件上形成的第一绝缘膜(2)、在所述第一绝缘膜(2)上形成的第一配线(3)、在所述半导体元件上经由粘接层(7)粘接的支承体(8)、覆盖从所述半导体元件的背面到侧面的部分及所述粘接层(7)侧面的第三绝缘膜(11)、与所述第一配线(3)连接且经由所述第三绝缘膜(11)在所述半导体元件的背面延伸的第二配线(12)、在所述第二配线(12)上形成的保护膜(13)。

公开(公告)号：CN101388336B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810215390.9

申请日：2008-09-11

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 石田裕康 ,  佐山康之

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/26586

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法。现有的超结结构晶片的制造方法中，需要在半导体晶片的厚度方向上多阶段形成外延层的工序和离子注入工序，工序数量多。而且，pn接合面呈波形，存在耗尽层难以均匀扩展的问题。另一方面，如果采用通过倾斜离子注入而形成一部分柱状半导体层的方法，则难以配置大量的超结结构。根据本发明的制造方法，在半导体衬底上，至少交替进行三次以上n型外延层的形成和蚀刻以及p型外延层的形成和蚀刻，从而利用外延层形成所有半导体层。由此，能够使得各半导体层的杂质浓度曲线均匀，能垂直于晶片表面形成pn接合面。并且，由于能够将各半导体层的宽度形成得较窄，故因杂质浓度提高，从而能够实现高耐压和低电阻。

公开(公告)号：CN101075554B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200710104155.X

申请日：2007-05-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  关克行 ,  龟山工次郎 ,  及川贵弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，特别是利用博世工艺形成有通路孔的半导体装置的制造方法，其目的是实现在通路孔内形成均匀的膜。以掩模层(2)作为掩模，利用博世工艺从半导体基板(1)的一面向另一面进行蚀刻，形成贯通该半导体基板(1)的所规定区域的通路孔(3)。接着，除去掩模层(2)。然后，利用干蚀法除去粗糙形状(4)，使通路孔(3)的内壁面平坦。接着，在通路孔(3)内使绝缘膜或阻挡层等形成均匀的膜。

公开(公告)号：CN101729028A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910204065.7

申请日：2009-10-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 小野寺荣男

IPC: H03F3/187 ,  H03F1/30

CPC classification number: H03F1/32 ,  H03F3/187 ,  H03F2200/03

Abstract: 本发明提供一种放大元件，其解决下面的问题，为了进行ECM的阻抗变换以及放大，若采用以源极跟随器方式将J-FET连接于双极型晶体管的放大元件，则实现在高输入阻抗下的低输出阻抗的放大元件，但是，存在失真特性不良，另外由于器件的偏差增益出现偏差的问题。该放大元件以如下结构构成，该结构是：以J-FET、双极型晶体管、第一电阻以及第二电阻构成放大元件，J-FET的栅极与ECM的一端以及第一电阻的一端连接，J-FET的漏极与双极型晶体管的输入端子连接，双极型晶体管的高电位侧与负载电阻的一端连接，第一电阻的另一端接地，J-FET的源极以及双极型晶体管的低电位侧与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端接地，从双极型晶体管的高电位侧取出输出电压。