公开(公告)号：CN101409285B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810161726.8

申请日：2008-09-22

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 金子守

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7821 ,  H01L29/866

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。以往的保护二极管有击穿特性不陡峭、不能获得作为恒压二极管的良好特性的问题。而且，由于保护二极管的大部分是用不同于MOS晶体管的工序形成，所以有无法削减工序数目以及成本的问题。为了解决该问题，本发明在与MOS晶体管相同的单晶衬底上以环状设置p-型杂质区域、n+型杂质区域而形成npn结。在设置多个npn结的情况下，将它们分别隔开而形成同心圆的环状。由于击穿特性变得陡峭，所以能够获得良好的恒压二极管特性。而且，由于能够利用MOS晶体管的制造工艺来形成，所以有助于实现工序合理化、成本的降低。进而，根据耐压来选择npn结的数目，由此，耐压的控制也更容易。

公开(公告)号：CN101409285A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810161726.8

申请日：2008-09-22

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 金子守

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7821 ,  H01L29/866

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。以往的保护二极管有击穿特性不陡峭、不能获得作为恒压二极管的良好特性的问题。而且，由于保护二极管的大部分是用不同于MOS晶体管的工序形成，所以有无法削减工序数目以及成本的问题。为了解决该问题，本发明在与MOS晶体管相同的单晶衬底上以环状设置p－型杂质区域、n+型杂质区域而形成npn结。在设置多个npn结的情况下，将它们分别隔开而形成同心圆的环状。由于击穿特性变得陡峭，所以能够获得良好的恒压二极管特性。而且，由于能够利用MOS晶体管的制造工艺来形成，所以有助于实现工序合理化、成本的降低。进而，根据耐压来选择npn结的数目，由此，耐压的控制也更容易。

公开(公告)号：CN100514646C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200510124780.1

申请日：2005-11-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 金子守

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在现有的功率MOSFET中，由于在元件部产生击穿，在保护环结束，故存在击穿位置移动，产生击穿电压不稳定的蠕变现象的问题。在本发明中，在包围元件部的元件外周部形成npn结或pin结，施加与元件部的源极电极相同的电位，使元件外周部的击穿电压通常比元件部的击穿电压低。或者，降低元件外周部的电阻。由此，击穿通常在元件外周部产生，击穿电压稳定。并且，由于在脆弱的栅极氧化膜不产生击穿，从而防止击穿引起的破坏。另外，由于电阻变低，故静电破坏承受力提高。

公开(公告)号：CN1794451A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510124780.1

申请日：2005-11-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 金子守

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在现有的功率MOSFET中，由于在元件部产生击穿，在保护环结束，故存在击穿位置移动，产生击穿电压不稳定的蠕变现象的问题。在本发明中，在包围元件部的元件外周部形成npn结或pin结，施加与元件部的源极电极相同的电位，使元件外周部的击穿电压通常比元件部的击穿电压低。或者，降低元件外周部的电阻。由此，击穿通常在元件外周部产生，击穿电压稳定。并且，由于在脆弱的栅极氧化膜不产生击穿，从而防止击穿引起的破坏。另外，由于电阻变低，故静电破坏承受力提高。