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公开(公告)号：CN106684244B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201610953991.4
申请日：2016-11-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，该存储器包含在半导体层上通过真空蒸镀工艺形成的源极、漏极，半导体层以下依次为隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层、栅电极和柔性塑料衬底，所述的电荷阻挡层采用的是高绝缘性交联聚合物，并且通过小分子掺杂工艺和溶液加工的方式在电荷阻挡层的上表面形成一个隔离层，同时实现浮栅层和隧穿层的功能。本发明还提出一种制备上述浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器的方法。本发明不仅能够在较低电压下表现出良好的晶体管性能，更能够在低电压下通过多元掺杂的方式实现较好的存储，并且在较小的弯曲半径和不同的弯曲方式下仍然可以保持原有的晶体管和存储器的性能，具有很好的机械柔韧性。
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公开(公告)号：CN109438454A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811432051.6
申请日：2018-11-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/08 , C07D495/22 , C09K11/06 , B82Y40/00 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明提出了一种纳米缺角格子，该格子是基于芴或氮杂芴并具有刚性的几何结构，其结构为式中，是由4～26个芳烃或者含杂原子的芳烃类结构构成，●为氢原子或卤素原子。本发明的纳米缺角格子是由傅-克反应后，自身合环制备得到的，反应条件温和，性能独特，原料廉价，操作简单、易制备，毒性小，成本低。
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公开(公告)号：CN109037449A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810659461.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0562 , H01L51/105
Abstract: 本发明提供了一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法，该有机场效应晶体管存储器包括衬底、栅电极、源电极、漏电极、聚合物驻极体层，还包括作为有源层的叠层有机半导体异质结，所述叠层有机半导体异质结包括至少一个由两个p型有机半导体层中间夹设一个n型有机半导体层所构成的三明治堆叠结构，即PNP型结构。本发明存储器能级调控灵活、迁移率和稳定性较高，因此，这种基于叠层有机半导体异质结的非易失性晶体管存储器可以在高密度存储和高容量存储中得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN106397428B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610793010.4
申请日：2016-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D417/14 , C09K11/06 , H01L51/54 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一类高荧光量子效率芴基给受体H型分子材料及其制备方法和应用，此类材料是以卤代芳基的叔醇Friedel–Crafts反应桥连电子受体单元做桥连基团，芳基通过卤素偶联发色团而成的H型分子材料，具体结构通式如下：式中：Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar11为芳香基团，Ar11为电子受体单元，Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10为芳香基团或者非芳香基团，SG1、SG2、SG3、SG4为芳香基团或者非芳香基团。该类材料合成方式模块化，电子受体单元的可选性多，反应步骤简单，条件温和，且表现出高热学、电化学、光学稳定性，是一类非常具有应用前景的有机光电功能材料。
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公开(公告)号：CN105823972B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610145044.2
申请日：2016-03-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及种驻极体型有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法,属于半导体行业存储器技术领域。所述方法包括:制备具有定厚度的驻极体型有机场效应晶体管存储器;测试并提取所述存储器在不同的编程电压下的存储窗口数据;将所述存储窗口数据进行线性拟合,计算聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器所需最小编程电压;根据所述最小编程电压计算聚合物驻极体中的电场强度;根据有机半导体层材料与聚合物驻极体材料的能级差,计算最小隧穿势垒;根据所述最小隧穿势垒和电场强度,计算得出聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器的最小存储深度。本发明可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的有机场效应晶体管存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105646529B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610029902.7
申请日：2016-01-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/22 , C07D487/22 , H01L51/54 , C09K11/06 , G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一类芴基风车格子及其制备和应用方法，属于有机分子材料与光电高新技术领域。该类芴基风车格子是以芴基小分子为单体的环状寡聚物，具体通式结构如下：该类材料具有以下特点：(1)芴基风车格子表现兼有孔与半导体光电特征；(2)原料廉价、易得，反应条件温和、容易操作；(3)具有纳米材料优良的机械特性；(4)具有较好的溶解度，方便进行纳米薄膜或纤维化加工；(5)刚性骨架具有高玻璃化转变温度、高热学、电化学稳定性、光谱稳定性等优点。因此，芴基风车格子有希望成为新一代实用有机小分子光电材料，这类芴基风车格子在有机电子、自旋电子、光电子、机械电子以及纳米生物等领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107236068A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710515356.2
申请日：2017-06-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C08F126/12 , C08F8/34 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明涉及一类有机晶体管存储驻极体材料及其制备方法和应用，该方法以PVK(聚乙烯基咔唑)为起始物，通过傅克反应的方式引入各种基团，起到改变材料存储性能的目的。具体反应通式如下：该方法具有以下特点：引入基团种类和数量不同能获得性能各异的材料；工艺简单，原料廉价，反应条件极易控制；具有较好的成膜性，方便后期大规模溶液加工；能明显改善存储材料的存储电荷的能力；因此，傅克后修饰方法是一种快速获得性能优异存储的有效手段。同时，由于本体PVK也是多用途的光电材料，因此本方法也可推广用于制备其他光电器件材料的方法，比如发光二极管、忆阻器、二极管存储材料等。因此本方法在有机光电材料领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106981573A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710166292.X
申请日：2017-03-20
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/428 , B82Y30/00 , H01L51/0003 , H01L51/441
Abstract: 本发明公开了一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、栅绝缘层和衬底，所述有机光敏半导体层和栅绝缘层之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层；本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和耐受性得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN106981568A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710203043.3
申请日：2017-03-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/14 , H01L45/1625
Abstract: 申请公开了一种具有生物突触模拟功能的有机二极管柔性忆阻器器件及其制备方法，该器件在阴极‑介质层界面间增加一层修饰层，整个器件从上到下依次是：金属阴极层、修饰层、介质层、阳极电极层和PET衬底，所述修饰层材料为氧化铝Al2O3，性能稳定，基本突触模拟功能都可以实现，并且在弯曲一定次数和弯曲不同半径下均能保持着优越的忆阻性能和生物模拟功能，同时，相比同类型器件结构易于设计，发明产率高，具有普适性，有着重要的研究意义。
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公开(公告)号：CN106920879A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710166293.4
申请日：2017-03-20
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0003 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L51/0026 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种自组装的天然纳米柱薄膜的形成方法，将位阻胺材料和宽带隙半导体材料分别溶于低沸点溶剂，共混后旋涂在基片上并退火制备天然纳米柱薄膜；本申请可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的纳米柱薄膜的产生，本申请通过采用纳米柱薄膜为电荷存储层，与有机活性层接触面积大大提高，使得存储容量以及电荷稳定性得到很大的提升，在有机场效应晶体管存储器中有着巨大的潜在应用前景，并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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