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公开(公告)号：CN101777388A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010022600.X
申请日：2010-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法，该方法为利用不同的电压对相变存储器进行Reset操作，然后进行Set操作，测得Reset操作的电压-电阻曲线，Set操作的电压-电流曲线，和Set态的电流-电压曲线，并根据相变存储器的电阻-电压-电流关系方程最终获得晶化率的值。本发明在相变电阻被电流或电压加热发生相变时，其相变区电阻晶化率进行计算，并通过对相变区电阻晶化率的计算确定加热电流或电压与加热时间的关系；本发明还可以为相变过程中阻值的变化提供理论指导，同时为多值存储的研究提供了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN101776718A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910200962.0
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种快速表征相变材料及介质层的方法，包括如下步骤：清洗硅片；在所述硅片上制备底层介质层；在所述底层介质层上制备底层电极；在底层电极上制备电介质层；在电介质层上利用光刻及刻蚀工艺制备一系列通孔，使其下方的底层电极通过通孔露出；在所述通孔内制备相变材料，相变材料与所述底层电极接触；在所述相变材料上制备顶层接触电极；在所得结构表面制备顶层绝热保护层；采用三维控制器将纳米机械探针快速定位，使其与顶层接触电极接触，从而完成材料电学性能的测试表征。本发明的测试方法工艺步骤简单，利用三维控制器精确操纵纳米机械探针快速定位于单元结构上部，从而可完成相变材料及介质层电性能的快速测试。
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公开(公告)号：CN101335327B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810041391.6
申请日：2008-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 宋志棠
Abstract: 本发明涉及一种控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法及相应结构，其特征在于在25℃～400℃的温度区间通过退火改善相变存储单元中的相变材料自身结构变化引起的体积变化；在400℃～650℃温度区间通过相变存储单元的结构的改进，在相变材料周围包裹一层阻挡层材料，阻止相变材料在加热过程中的扩散、挥发。本发明还提供了相应的相变存储单元结构上的改进。
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公开(公告)号：CN101694779A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910197499.9
申请日：2009-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构。所述存储器采用二极管作为选通器件，进行读写操作时，针对要操作的存储单元，给其位线施加操作脉冲、字线电压拉低；针对不要进行读写操作的，并与要操作单元处于同一字线的存储单元，给其位线施加一个高于字线电压的直流电压，以使得因为寄生三极管效应而产生的漏电流为零，从电路上彻底解决因为该漏电流而造成的串扰问题。上述高于字线电压的直流电压通过外围电路产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101626061A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910053519.5
申请日：2009-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种开发和筛选相变存储材料的方法，包括下列步骤：(1)在单一的基底上制备出至少2个成份的相变材料组份；(2)采用激光对数据进行处理、编程和数据读取，从而获得基底上的各种组份相变材料的性能；(3)通过得到的各种相变材料组份性能的比较，获得优化组份，并绘制相变材料精细相图。本发明提供表征相变存储材料材料芯片的方法，获得各个相变材料组份的相变速率和相变功耗，高效地开发、筛选高性能存储材料。
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公开(公告)号：CN100565955C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200810032862.7
申请日：2008-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层位于相变材料和电极材料之间；过渡层材料的电阻率在10-6欧姆米和1016欧姆米之间，过渡层材料的热导率在0.01W/m·k到30W/m·k之间。过渡层的厚度＜10nm，且与相变材料或电极材料间具有黏附力。所述的单层或多层结构的过渡层可有效阻地挡相变材料和电极间的相互扩散，提升电极的加热效率，同时减少了向电极和氧化物的扩散的热量，使更多的热量被用在相变材料加热上。不仅提高了热量的利用率，降低了功耗，而且增加了相变存储器高、低阻间的差异；将相变材料中的最高温度区域向加热电极移动，有效将相变材料的熔化控制在电极周围，提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN101587830A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200810037746.4
申请日：2008-05-21
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/308 , B82B3/00 , G03F7/00
Abstract: 本发明是关于纳米线P－N结阵列制备和纳米加工方法，尤其是硅纳米线P－N结阵列(SiNW P－N junction array)的纳米加工方法。其特征在于：采用纳米压印技术制作纳米线P－N结阵列，与现有的技术相比，本发明具有易于大面积制作、低成本和高产等优点，适合工业化生产，为具有P－N结构的纳电子器件的构筑提供了一种简单的高效加工途径。
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公开(公告)号：CN100563041C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200710040829.4
申请日：2007-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法，其特征在于所述的器件单元结构由顶电极、存储介质层、底电极接触，底电极、绝缘介质薄膜、金属导电层和衬底组成，其中：①制作在绝缘介质薄膜上的底电极接触是采用空心或实心的管状结构；②底电极接触与存储介质间有TiN薄膜钝化层作阻挡层；③顶电极通过钝化层上的顶电极引出孔与存储介质相连；④底电极与采用空心或实心管状的底电极接触的底部通过金属导电层相连；⑤金属导电层沉积在衬底上。本发明针对目前RRAM的发展现状，以减少电极接触面积降低功耗，提高可靠的电阻存储器器件单元结构。
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公开(公告)号：CN101572290A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910052406.3
申请日：2009-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种柱状纳米加热电极的制备方法，首先在衬底上沉积一层厚度为100nm～300nm的TiN薄膜，利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在TiN薄膜上形成直径为200nm～300nm的光刻胶图形，接着利用反应离子刻蚀技术中O2气体修整光刻胶的形貌，将光刻胶图形尺寸缩小到直径为40nm～100nm左右，利用等离子刻蚀的技术刻蚀TiN薄膜，最后清洗光刻胶得到40nm～100nm的柱状纳米加热电极。本发明不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗。本发明不仅适用于制备相变存储器的小尺寸纳米加热电极，同样适用于制备其他电子器件特别是纳电子器件所需的纳米电极，具有很大的应用价值。
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