公开(公告)号：CN101587830A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200810037746.4

申请日：2008-05-21

Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周伟民 ,  钮晓鸣 ,  宋志棠 ,  闵国全 ,  刘彦伯 ,  李小丽 ,  万永忠 ,  张静 ,  封松林

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  B82B3/00 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明是关于纳米线P－N结阵列制备和纳米加工方法，尤其是硅纳米线P－N结阵列(SiNW P－N junction array)的纳米加工方法。其特征在于：采用纳米压印技术制作纳米线P－N结阵列，与现有的技术相比，本发明具有易于大面积制作、低成本和高产等优点，适合工业化生产，为具有P－N结构的纳电子器件的构筑提供了一种简单的高效加工途径。

公开(公告)号：CN101587916A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200810037745.X

申请日：2008-05-21

Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周伟民 ,  钮晓鸣 ,  宋志棠 ,  闵国全 ,  刘彦伯 ,  李小丽 ,  张静 ,  万永忠 ,  封松林

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明是关于纳米线阵列太阳能电池制备和纳米加工方法，尤其是Si纳米线阵列太阳能电池的纳米加工方法。包括：两个电极和在两个电极之间加工出Si纳米线pn结阵列。本发明用纳米压印技术(Nanoimprint lithography)和结合微电子工艺加工出来的Si纳米线阵列太阳能电池(SiNws array solar cells)，纳米线分布均匀，成本较低和易于大面积加工，与传统的微电子工艺有较好的兼容性。这种纳电池在民用设备领域、生物恐怖主义监控领域和内科诊断领域等有重要的应用前景。