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公开(公告)号：CN101770165A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910044950.3
申请日：2009-01-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种廉价的压印模板，属于微纳制造领域。其特征在于：在硬质基底表面覆盖图形化材料层，先将图形化材料层图形化，然后对图形化表面修饰处理，之后直接用作压印模板。这种压印硬模板制作方法与目前常用的电子束直写等技术方法相比，具有成本低、周期短、工艺简单的显著特点。可以广泛应用于纳米级、高密度表面纳米结构加工与研究中，在半导体照明、高密度存储等领域前景广阔。
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公开(公告)号：CN101364564A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200710044608.4
申请日：2007-08-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/71
Abstract: 本发明涉及一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法，属于微电子领域。其特征在于首先将所需的大面积高密度阵列结构定义在一块透明的固态面板上，然后在基底表面依次溅射绝缘材料、金属材料、过渡材料和相变材料，在相变材料表面覆盖图形转移介质，通过印刻将固态面板上的阵列结构定义在相变材料层表面的图形转移介质层上，最后通过刻蚀在基底上得到所需的大面积高密度相变材料阵列。只要定义一块阵列结构均匀、一致性好、边缘平整光滑的固态面板，就可重复使用，获得大面积、结构均匀一致、边缘平滑、质量优越的阵列结构。工艺简便、成本低，适合于对单元结构的一致性和边缘质量要求高的相变存储器件的产业化批量生产。
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公开(公告)号：CN104318955B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410631642.1
申请日：2014-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，用于读出所述相变存储器中被选中的相变存储单元所存储的数据，其中，所述基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路至少包括：虚拟单元，读电路工作电压产生电路，稳压缓冲电路，读电路以及电平转换电路。本发明的基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，通过预先产生使读电路能够安全工作的读出电压，有效地避免了存储单元在读取过程中可能产生的读破坏现象；同时，无须通过钳位电路对被选中的相变存储单元所在的位线进行钳位保护，能有效地加快数据读出过程，特别适用于使用二极管作为选通管的相变存储器。
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公开(公告)号：CN101770188A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910044949.0
申请日：2009-01-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种去除冷压印残留胶层的方法，属于纳米制造领域。其特征在于：在透光模板图形表面选择性覆盖不透光材料，将图案表面进行修饰后直接用作模板压印，能够使光敏压印胶复型结构选择性的固化，最后用化学溶剂将未固化区域的压印胶直接清洗去除，实现压印后清除压印残留胶层的目的。
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公开(公告)号：CN101587916A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200810037745.X
申请日：2008-05-21
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明是关于纳米线阵列太阳能电池制备和纳米加工方法，尤其是Si纳米线阵列太阳能电池的纳米加工方法。包括：两个电极和在两个电极之间加工出Si纳米线pn结阵列。本发明用纳米压印技术(Nanoimprint lithography)和结合微电子工艺加工出来的Si纳米线阵列太阳能电池(SiNws array solar cells)，纳米线分布均匀，成本较低和易于大面积加工，与传统的微电子工艺有较好的兼容性。这种纳电池在民用设备领域、生物恐怖主义监控领域和内科诊断领域等有重要的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101364567A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200710044609.9
申请日：2007-08-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米级相变存储单元阵列制备方法，属于微纳电子技术领域。其特征在于一次性制作出“倒塔”型纳米级相变存储单元多阶凹孔阵列，塔尖为纳米级，然后在“倒塔”内分别填充特定的相变材料、过渡材料和电极材料，从而获得纳米级相变存储单元阵列。本发明提出的纳米级相变存储单元阵列制备方法能有效减小相变材料与电极材料的接触面积，工艺简捷、只需要一次曝光刻蚀，即巧妙地代替了目前相变存储单元加工中常用的两次曝光套刻工艺。这种方法既简化了纳米级多层单元结构制备工艺，又解决了纳米级相变存储单元多层结构的套刻问题，加工精度高、成本低，适于产业化，在低功耗、高密度相变存储器制备领域具有实质性特点。
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公开(公告)号：CN104347113B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410675312.2
申请日：2014-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的读出电路及读出方法，包括用于存储数据的目标相变存储单元；根据目标相变存储单元的当前状态产生读电流的读电路；将读电流与读参考电流进行比较，并产生读出电压信号的比较电路。在相变存储器进行读取操作时，将目标相变存储单元的字线置位到读字线电压；当读使能有效时，目标相变存储单元所在的位线将产生相应的读电流；通过比较读电流和读参考电流的大小，得到读出的电压信号。本发明不需要通过钳位的方式限制位线电压，因此能有效地加快读取过程，特别适用于使用Diode等作为选通管时相变存储器阵列位线具有较高压降的情况，避免了位线钳位等方式带来的读出时延，有利于高速相变存储器产品的实现。
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公开(公告)号：CN101364567B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200710044609.9
申请日：2007-08-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米级相变存储单元阵列制备方法，属于微纳电子技术领域。其特征在于一次性制作出“倒塔”型纳米级相变存储单元多阶凹孔阵列，塔尖为纳米级，然后在“倒塔”内分别填充特定的相变材料、过渡材料和电极材料，从而获得纳米级相变存储单元阵列。本发明提出的纳米级相变存储单元阵列制备方法能有效减小相变材料与电极材料的接触面积，工艺简捷、只需要一次曝光刻蚀，即巧妙地代替了目前相变存储单元加工中常用的两次曝光套刻工艺。这种方法既简化了纳米级多层单元结构制备工艺，又解决了纳米级相变存储单元多层结构的套刻问题，加工精度高、成本低，适于产业化，在低功耗、高密度相变存储器制备领域具有实质性特点。
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公开(公告)号：CN101587830A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200810037746.4
申请日：2008-05-21
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/308 , B82B3/00 , G03F7/00
Abstract: 本发明是关于纳米线P－N结阵列制备和纳米加工方法，尤其是硅纳米线P－N结阵列(SiNW P－N junction array)的纳米加工方法。其特征在于：采用纳米压印技术制作纳米线P－N结阵列，与现有的技术相比，本发明具有易于大面积制作、低成本和高产等优点，适合工业化生产，为具有P－N结构的纳电子器件的构筑提供了一种简单的高效加工途径。
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公开(公告)号：CN104318955A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410631642.1
申请日：2014-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，用于读出所述相变存储器中被选中的相变存储单元所存储的数据，其中，所述基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路至少包括：虚拟单元，读电路工作电压产生电路，稳压缓冲电路，读电路以及电平转换电路。本发明的基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，通过预先产生使读电路能够安全工作的读出电压，有效地避免了存储单元在读取过程中可能产生的读破坏现象；同时，无须通过钳位电路对被选中的相变存储单元所在的位线进行钳位保护，能有效地加快数据读出过程，特别适用于使用二极管作为选通管的相变存储器。
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