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公开(公告)号：CN101587905B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810037819.X
申请日：2008-05-22
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C11/56 , G11C16/02
Abstract: 本发明是关于纳米同轴环绕栅晶体管相变存储器单元器件及其纳米加工方法。其特征在于：与传统薄膜场效应晶体管(MOSFET)不同的是，在柱(线)状的相变材料周围沉积结缘层后再制作环绕栅，即为同轴环绕栅，作为晶体管的栅极，在柱(线)状相变材料的两端制作源极和漏极。这样的结构即为纳米同轴环绕栅相变存储器(Coaxial Surrounding Gate phase changememory---CSGPCM)。本发明的显著特点是采用纳米同轴环绕栅作为栅极，来调节相变材料沟道电流，实现相变存储和晶体管特性，极大地提高集成密度，从而实现了低压、低功耗的相变存储功能。
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公开(公告)号：CN101770164A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910044948.6
申请日：2009-01-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米结构压印硬模板，属于纳米制造领域。其特征在于：利用多孔阳极氧化铝(AAO)膜技术制备硬质材料基底多孔模板，通过增加硬质基底和表面修饰处理后直接作压印(自上而下)模板。多孔阳极氧化铝膜可以自组织生长成六度对称的有序多孔结构，孔洞陡直且分布均匀，用它作为模板通过热蒸发、溅射和沉积以及电化学组装等定向组装(自下而上)的加工方法已经制备出各种具有光学、电学和磁学等性能的纳米结构和器件。本发明通过增加硬质材料基底和表面修饰处理将AAO模板技术移植到自上而下的表面微结构加工领域，这种纳米级高密度结构压印硬模板制作方法与目前常用的电子束直写等技术方法相比，具有成本低、周期短、工艺简单的显著特点。可以广泛应用于纳米级、高密度表面纳米结构加工与研究中，在半导体照明、高密度存储等领域前景广阔。同时，由于增加了硬质基底，克服了现有AAO模板脆且易碎的缺点，更利于软模板复制。
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公开(公告)号：CN101587905A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200810037819.X
申请日：2008-05-22
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C11/56 , G11C16/02
Abstract: 本发明是关于纳米同轴环绕栅晶体管相变存储器单元器件及其纳米加工方法。其特征在于：与传统薄膜场效应晶体管(MOSFET)不同的是，在柱(线)状的相变材料周围沉积结缘层后再制作环绕栅，即为同轴环绕栅，作为晶体管的栅极，在柱(线)状相变材料的两端制作源极和漏极。这样的结构即为纳米同轴环绕栅相变存储器(Coaxial Surrounding Gate phase changememory－CSGPCM)。本发明的显著特点是采用纳米同轴环绕栅作为栅极，来调节相变材料沟道电流，实现相变存储和晶体管特性，极大地提高集成密度，从而实现了低压、低功耗的相变存储功能。
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公开(公告)号：CN101581878A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810037349.7
申请日：2008-05-13
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明是关于一种软压印模板的制造方法。其特征在于：通过多孔阳极氧化铝(AAO)模板复制出软模板。多孔阳极氧化铝孔径一般为10～500nm，孔洞较直分布均匀，作为母模板可以复制出高分辨率和高复型精度的软模板，减少了模板的制作成本和周期。本发明的显著特点是制作模板成本低廉，周期短，工艺简单，复制出来的软模板可以重复使用，能够实现大面积压印。
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公开(公告)号：CN101770165A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910044950.3
申请日：2009-01-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种廉价的压印模板，属于微纳制造领域。其特征在于：在硬质基底表面覆盖图形化材料层，先将图形化材料层图形化，然后对图形化表面修饰处理，之后直接用作压印模板。这种压印硬模板制作方法与目前常用的电子束直写等技术方法相比，具有成本低、周期短、工艺简单的显著特点。可以广泛应用于纳米级、高密度表面纳米结构加工与研究中，在半导体照明、高密度存储等领域前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101364564A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200710044608.4
申请日：2007-08-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/71
Abstract: 本发明涉及一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法，属于微电子领域。其特征在于首先将所需的大面积高密度阵列结构定义在一块透明的固态面板上，然后在基底表面依次溅射绝缘材料、金属材料、过渡材料和相变材料，在相变材料表面覆盖图形转移介质，通过印刻将固态面板上的阵列结构定义在相变材料层表面的图形转移介质层上，最后通过刻蚀在基底上得到所需的大面积高密度相变材料阵列。只要定义一块阵列结构均匀、一致性好、边缘平整光滑的固态面板，就可重复使用，获得大面积、结构均匀一致、边缘平滑、质量优越的阵列结构。工艺简便、成本低，适合于对单元结构的一致性和边缘质量要求高的相变存储器件的产业化批量生产。
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公开(公告)号：CN101364567B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200710044609.9
申请日：2007-08-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米级相变存储单元阵列制备方法，属于微纳电子技术领域。其特征在于一次性制作出“倒塔”型纳米级相变存储单元多阶凹孔阵列，塔尖为纳米级，然后在“倒塔”内分别填充特定的相变材料、过渡材料和电极材料，从而获得纳米级相变存储单元阵列。本发明提出的纳米级相变存储单元阵列制备方法能有效减小相变材料与电极材料的接触面积，工艺简捷、只需要一次曝光刻蚀，即巧妙地代替了目前相变存储单元加工中常用的两次曝光套刻工艺。这种方法既简化了纳米级多层单元结构制备工艺，又解决了纳米级相变存储单元多层结构的套刻问题，加工精度高、成本低，适于产业化，在低功耗、高密度相变存储器制备领域具有实质性特点。
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公开(公告)号：CN101587830A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200810037746.4
申请日：2008-05-21
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/308 , B82B3/00 , G03F7/00
Abstract: 本发明是关于纳米线P－N结阵列制备和纳米加工方法，尤其是硅纳米线P－N结阵列(SiNW P－N junction array)的纳米加工方法。其特征在于：采用纳米压印技术制作纳米线P－N结阵列，与现有的技术相比，本发明具有易于大面积制作、低成本和高产等优点，适合工业化生产，为具有P－N结构的纳电子器件的构筑提供了一种简单的高效加工途径。
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公开(公告)号：CN101364043A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200710044607.X
申请日：2007-08-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米结构套刻的模极设计和实现方法，属于微纳电子领域。其特征在于将不同层结构定义在同一块模板上，通过特定的改变模板与基底相对位置，重复使用来实现多层纳米结构的套刻。这种方法不需要配置精密对准系统就可实现纳米级套刻。传统的套刻技术采用精密对准和多块模板，面对纳米级线宽加工需求，定位对准系统和光刻模板的成本越来越高。即使对于纳米压印这些新型的微纳加工技术，由于技术本身尚处研发，设备本身匮乏定位能力，对准和模板同样是研发的瓶颈问题。本发明提出的方法，不仅可以节约多层纳米结构加工研发成本，提高研发效率，而且可以有效解决纳米级结构套刻难题，具有研发实用价值。
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公开(公告)号：CN101770188A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910044949.0
申请日：2009-01-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种去除冷压印残留胶层的方法，属于纳米制造领域。其特征在于：在透光模板图形表面选择性覆盖不透光材料，将图案表面进行修饰后直接用作模板压印，能够使光敏压印胶复型结构选择性的固化，最后用化学溶剂将未固化区域的压印胶直接清洗去除，实现压印后清除压印残留胶层的目的。
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