公开(公告)号：CN101671538A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910196101.X

申请日：2009-09-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张泽芳 ,  刘卫丽 ,  宋志棠

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/02 ,  B24B37/00

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法，包括下列步骤：1)在硅溶胶中加入有机添加剂，搅拌溶解，而后加入三价铈盐或四价铈盐制得分散液；2)将分散液置于带有聚四氟内衬的高压釜中，密封后，加热反应；3)反应完毕后离心分离、提纯、烘干，最终制得氧化硅/氧化铈复合磨粒。采用本发明制得的氧化硅/氧化铈核壳复合磨料中没有均相成核的氧化铈粒子，该复合磨粒适用于超大规模集成电路和玻璃的化学机械抛光，其优点是有效提高抛光去除率和选择比，并可以降低表面的粗糙度，消除划痕等缺陷。

公开(公告)号：CN101818047A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010106871.3

申请日：2010-02-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张泽芳 ,  刘卫丽 ,  宋志棠

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/762 ,  B24B7/24

Abstract: 本发明属于微电子加工中的化学机械抛光浆液领域，具体涉及氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用。本发明的氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒包含氧化硅和氧化铈，且所述复合磨料颗粒的内核为球形氧化硅内核，外壳为氧化铈包覆层。由本发明的氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒配制成的抛光液对超大规模集成电路玻璃、二氧化硅介质层和STI进行抛光，可以提高抛光去除率和抛光选择比，减少抛光缺陷。

公开(公告)号：CN101659850A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910196102.4

申请日：2009-09-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张泽芳 ,  刘卫丽 ,  宋志棠

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用。本发明采用硅烷偶联剂氨丙基三乙氧基硅烷对纳米氧化铈粉末进行改性。由改性后的氧化铈配制成的抛光液，对超大规模集成电路二氧化硅层间介质和光盘玻璃进行抛光，可明显降低表面的粗糙度。

公开(公告)号：CN101734706B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910200963.5

申请日：2009-12-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘卫丽 ,  张泽芳 ,  俞磊 ,  宋志棠

IPC: C01F17/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明属于无机纳米材料制备技术领域，具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将硝酸铈铵，沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中，搅拌均匀至完全溶解后，进行加热回流反应，反应温度为70～100℃，时间为1～20小时；然后将所得产物离心分离，水洗；然后在30～40℃下低温烘干；最后进行煅烧，煅烧温度为300～1200℃，即可制得菱形片状氧化铈。本发明的制备方法制得的片状菱形氧化铈在化学机械抛光、汽车尾气催化净化、燃料电池、紫外光吸收等诸多高新技术领域有着广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN101734706A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910200963.5

申请日：2009-12-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘卫丽 ,  张泽芳 ,  俞磊 ,  宋志棠

IPC: C01F17/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明属于无机纳米材料制备技术领域，具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将硝酸铈铵，沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中，搅拌均匀至完全溶解后，进行加热回流反应，反应温度为70～100℃，时间为1～20小时；然后将所得产物离心分离，水洗；然后在30～40℃下低温烘干；最后进行煅烧，煅烧温度为300～1200℃，即可制得菱形片状氧化铈。本发明的制备方法制得的片状菱形氧化铈在化学机械抛光、汽车尾气催化净化、燃料电池、紫外光吸收等诸多高新技术领域有着广泛的应用前景。