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公开(公告)号：CN101189696A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680019884.9
申请日：2006-06-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/1477 , H01J37/3171 , H01J2237/1507 , H01J2237/3045 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703 , H01L21/26586
Abstract: 本发明揭示一种用于离子束角度扩散控制的技术。在一特定例示性实施例中，技术可实现为离子束角度扩散控制的方法。此方法可包括将一或多个离子束以两个或两个以上不同入射角导向一基板表面处，藉此使基板表面暴露于离子束入射角的一受控扩散中。
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公开(公告)号：CN101111922A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200580047453.9
申请日：2005-12-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/32412 , H01J37/32697 , H01L21/2236
Abstract: 本发明提供一种等离子体离子注入系统，所述系统包含：处理腔室；源，其用于在所述处理腔室中产生等离子体；压板，其用于将衬底固持在所述处理腔室中；注入脉冲源，其经配置以产生用于将来自所述等离子体的离子加速进入所述衬底中的注入脉冲；以及轴向静电约束结构，其经配置以将电子约束在大体上与所述压板的表面正交的方向上。所述约束结构可包含：辅助电极，其与所述压板间隔开；以及偏置源，其经配置从而以相对于所述等离子体的负电位来对所述辅助电极进行偏置。
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公开(公告)号：CN101015034A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580017420.X
申请日：2005-03-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/32963 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J2237/24405
Abstract: 一种法拉第剂量和均匀度监测器可包括环绕目标晶片(20)的磁抑制环状法拉第杯(80)。窄孔可减少法拉第杯开口(60)内的放电。该环状法拉第杯可具有连续的截面以此消除由于中断而导致的放电。不同半径下的多个法拉第杯可独立测量电流密度以此监测等离子体均匀度中的变化。该磁抑制场可被配置成具有随距离非常迅速降低的场强以此将等离子体和注入扰动降到最小，并且可包括径向和方位分量或者主要方位分量。方位场分量可由交变极性的多个垂直取向的磁体产生，或者通过使用磁场线圈来产生。另外，剂量电子器件可提供高压下的脉冲电流的积分，而且可将这种集成电荷转变成光耦合至剂量控制器的光脉冲序列。
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公开(公告)号：CN1998070A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200580020343.3
申请日：2005-04-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/26513 , H01L21/268
Abstract: 公开了一些方法和系统，包括用至少一种掺杂物掺杂半导体，并使半导体暴露于光源，其中该曝光发生在所述半导体退火阶段之前、期间和/或之后。退火阶段可包括退火期和/或激活期，它们基本上可同时发生。该系统可包括：至少一个掺杂装置，用于向半导体提供至少一种掺杂物；至少一个退火装置，用于执行退火阶段；以及至少一个光源，其中半导体在退火阶段之前、期间和/或之后，暴露于来自光源的光。
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公开(公告)号：CN1830054A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480021575.6
申请日：2004-06-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1471 , H01J37/3171
Abstract: 本发明涉及一种离子注入机，其包括：一用于生成离子束的离子源；一用于支撑离子注入靶的靶标部位；以及一用于在所述离子源与靶标部位之间界定离子束路径的束线。一方面，将一磁性操纵器配置在所述离子源与靶标部位之间，用于至少部分地修正离子束自离子束路径的有害偏移。磁性操纵器可相对于离子光学元件的入口孔定位离子束。另一方面，所述束线包括一减速台，其用于将离子束从第一传送能量减速到第二传送能量。所述减速台包括两个或两个以上电极，其中至少一个电极为定位在离子束路径中的栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117403215A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311342976.2
申请日：2018-12-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: C23C16/52 , H01L21/67 , H01L21/02 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 一种用于控制前驱物流的设备和方法。所述设备可包括：处理器；以及存储器单元，耦合至所述处理器，包括通量控制常式。所述通量控制常式可在所述处理器上运行以监测所述前驱物流且可包括通量计算处理器，所述通量计算处理器用以基于自用以递送前驱物的气体递送系统的胞元接收的所检测信号强度的变化而确定前驱物通量值。
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公开(公告)号：CN111742389B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201980013814.X
申请日：2019-01-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 常胜武 , 法兰克·辛克莱 , 亚历山大·利坎斯奇 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 罗伯特·C·林德柏格 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本文提供减少离子植入机中粒子的方法，具体而言，提供一种用于向晶片递送离子束的静电过滤器及离子植入系统。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束
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公开(公告)号：CN112640025B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201980057342.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆斯·艾伦·皮克斯利 , 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 留德米拉·史东 , 汤玛士·史泰西
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
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公开(公告)号：CN111566781B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201880085850.2
申请日：2018-12-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 一种牺牲性掩模的去除方法可包含在器件结构上形成牺牲性掩模，牺牲性掩模包括碳基材料。牺牲性掩模的去除方法可更包含蚀刻牺牲性掩模的暴露区中的存储器结构，将蚀刻增强物质植入到牺牲性掩模中，以及在小于350℃的蚀刻温度下执行湿式蚀刻以选择性地去除牺牲性掩模。
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公开(公告)号：CN111247631B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201880068623.9
申请日：2018-09-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史考特·E·派滋许
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开一种减少热转变对工件的损坏的系统、可读存储介质及方法。本发明公开的减少在热转变期间对设置在台板上的工件的背面的损坏的系统及方法。所述系统包括控制器，控制器在热转变期间对夹持电压及背面气体压力进行调节。通过对夹持电压进行调节，工件在某些时刻可不紧紧地固持到台板，由此减少可能由驻留在台板的顶表面上的粒子造成的损坏。另外，对背面气体压力进行的调节仍允许台板与工件之间具有良好的导热性。
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