公开(公告)号：CN1998070A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200580020343.3

申请日：2005-04-25

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： D·F·道尼 ,  E·A·阿雷瓦洛 ,  R·B·利伯特

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268

Abstract: 公开了一些方法和系统，包括用至少一种掺杂物掺杂半导体，并使半导体暴露于光源，其中该曝光发生在所述半导体退火阶段之前、期间和/或之后。退火阶段可包括退火期和/或激活期，它们基本上可同时发生。该系统可包括：至少一个掺杂装置，用于向半导体提供至少一种掺杂物；至少一个退火装置，用于执行退火阶段；以及至少一个光源，其中半导体在退火阶段之前、期间和/或之后，暴露于来自光源的光。

公开(公告)号：CN100468655C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200580020343.3

申请日：2005-04-25

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： D·F·道尼 ,  E·A·阿雷瓦洛 ,  R·B·利伯特

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268

Abstract: 公开了一些方法和系统，包括用至少一种掺杂物掺杂半导体，并使半导体暴露于光源，其中该曝光发生在所述半导体退火阶段之前、期间和/或之后。退火阶段可包括退火期和/或激活期，它们基本上可同时发生。该系统可包括：至少一个掺杂装置，用于向半导体提供至少一种掺杂物；至少一个退火装置，用于执行退火阶段；以及至少一个光源，其中半导体在退火阶段之前、期间和/或之后，暴露于来自光源的光。