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公开(公告)号:CN101015034A
公开(公告)日:2007-08-08
申请号:CN200580017420.X
申请日:2005-03-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/32963 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J2237/24405
Abstract: 一种法拉第剂量和均匀度监测器可包括环绕目标晶片(20)的磁抑制环状法拉第杯(80)。窄孔可减少法拉第杯开口(60)内的放电。该环状法拉第杯可具有连续的截面以此消除由于中断而导致的放电。不同半径下的多个法拉第杯可独立测量电流密度以此监测等离子体均匀度中的变化。该磁抑制场可被配置成具有随距离非常迅速降低的场强以此将等离子体和注入扰动降到最小,并且可包括径向和方位分量或者主要方位分量。方位场分量可由交变极性的多个垂直取向的磁体产生,或者通过使用磁场线圈来产生。另外,剂量电子器件可提供高压下的脉冲电流的积分,而且可将这种集成电荷转变成光耦合至剂量控制器的光脉冲序列。
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公开(公告)号:CN101015034B
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN200580017420.X
申请日:2005-03-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/32963 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J2237/24405
Abstract: 一种法拉第剂量和均匀度监测器可包括环绕目标晶片(20)的磁抑制环状法拉第杯(80)。窄孔可减少法拉第杯开口(60)内的放电。该环状法拉第杯可具有连续的截面以此消除由于中断而导致的放电。不同半径下的多个法拉第杯可独立测量电流密度以此监测等离子体均匀度中的变化。该磁抑制场可被配置成具有随距离非常迅速降低的场强以此将等离子体和注入扰动降到最小,并且可包括径向和方位分量或者主要方位分量。方位场分量可由交变极性的多个垂直取向的磁体产生,或者通过使用磁场线圈来产生。另外,剂量电子器件可提供高压下的脉冲电流的积分,而且可将这种集成电荷转变成光耦合至剂量控制器的光脉冲序列。
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