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公开(公告)号：CN103986521B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410224853.3
申请日：2014-05-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种高可再生性的时分复用光纤光栅传感网络，其主要由控制中心、光开关、通路选择与延时节点和弱反射光纤光栅传感子网构成。控制中心通过光开关与各个传感子网相连，并通过切换不同的时段解调各个传感子网的传感信号，各个传感子网由通路选择与延时节点自动选择通路。通路选择与延时节点使得传感子网支路互为备用路径，通过探测信号的变化，计算机能够直接控制备用路径的启用，无需人工干预，自动化程度高。传感网通过并联多个传感子层，易于扩展，每个子层的传感器通过时分方式进行寻址，突破了光源频谱资源不足的限制，满足了构建大容量、高可再生性和可靠性的光纤光栅传感系统的要求。
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公开(公告)号：CN104986725A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510414119.8
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种周期性碗状结构模板及其制备方法，包括：在基底上沉积二氧化硅掩膜层，在其上旋涂光刻胶，制备周期性微纳米光刻胶点阵图形，在光刻胶结构上沉积一层金属薄膜，经过剥离后得到金属孔阵图形，再以金属孔阵结构为掩膜，采用湿法腐蚀技术形成二氧化硅的碗状阵列结构，最后除去金属掩膜。本发明制备的周期性碗状模板面积大，结构均匀完整，在制备图形衬底、光子晶体、表面粗化、表面制绒和微纳米器件等方面有很好的应用前景，能广泛应用于LED、太阳能电池、光子晶体、量子器件等方面，或作为基底材料的刻蚀掩膜层，用于其它微纳米结构的制造。
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公开(公告)号：CN104966673A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510393302.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/321 , H01L21/314
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/321
Abstract: 本发明公开了一种改善Al2O3/InP MOS电容界面特性及漏电特性的界面钝化方法。该方法包括对衬底表面进行N2等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤，所述对衬底进行N2等离子体处理步骤和栅介质沉积步骤均在TFS 200原子层沉积系统中进行，其中：对衬底表面进行N2等离子体处理步骤是将衬底置于TFS 200原子层沉积系统的腔体中，利用TFS 200原子层沉积系统自带的等离子体发生器产生N2等离子体对衬底表面进行N2等离子体处理；栅介质沉积步骤是将N2等离子体处理后的衬底在原位沉积栅介质。采用该方法可以有效钝化边界缺陷及Al2O3/InP界面的界面缺陷，还可以降低栅漏电流。
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公开(公告)号：CN104617019A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510058652.5
申请日：2015-02-04
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L22/12 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其采用电子束光刻胶做掩膜，对样品进行不同栅长阵列曝光，显影出需要腐蚀的栅凹槽条，将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验，利用原子力显微镜测试腐蚀栅凹槽的深度，利用扫描电子显微镜观察栅凹槽表面腐蚀形貌的平整度，达到快速找出对应不同栅长下的最佳腐蚀时间，实现简单的栅凹槽腐蚀监控。本发明具监控精确、直观形象、对器件影响小和适用范围广的特点，改善了以往一直以来利用电流曲线监控栅凹槽腐蚀的不足。
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公开(公告)号：CN110739677B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201911192829.5
申请日：2019-11-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H02J1/04
Abstract: 本发明公开一种恒流供电光网络取电系统及取电方法，在近端和远端恒流供电设备之间设置至少1个恒流取电设备，且各个恒流取电设备输入端串联、输出端并联，在每个恒流取电设备中，设置1个控制模块和至少2个输入端串联连接、输出端并联连接的恒压转换模块，控制模块根据各恒压转换模块实时输出功率计算出恒流取电设备的实时输出总功率，以便判断用电设备的用电需求，实时动态控制各恒压转换模块的工作状态，达到随用电设备的用电需求自适应调整恒流取电设备的额定运行总功率的目的，切实提高恒流取电设备在宽功率范围对外供电时的电源转换效率，降低热功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119546176A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411589467.4
申请日：2024-11-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及忆阻器技术领域，具体涉及一种复合材料忆阻器及其制备方法，具体在FTO玻璃基底上依次涂覆聚乙烯醇与Ti3C2Tx复合材料薄膜、氧化锆薄膜，再将银顶电极沉积在氧化锆薄膜上形成四层垂直结构。本发明专为神经形态计算系统设计，以模拟生物突触的可塑性。经试验证实，本发明实现了电压幅度调制精度高达0.1V，确保了对突触权重的精确控制，同时表现出高塑性，能够快速学习和适应变化的输入条件，具有超过5×104秒的优异保持特性和超过200次IV扫描循环的可靠性，解决了现有忆阻器在模拟生物突触功能时存在的电压调制精度、可塑性、以及长期稳定性方面性能不足问题。
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公开(公告)号：CN111509038B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202010481812.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种多层堆叠的LDMOS功率器件，利用两个以上MOS器件单元堆叠所形成的双漂移区，而使得下方漂移区的顶部引入P重掺杂区和N重掺杂区，这样不仅增加一条新的电流路径，提升了开态时的工作电流；而且降低了下方漂移区栅漏两极的电场峰值，同时在器件内部引入了两个新的电场峰值，优化了器件的内部电场强度，改善器件内部的电场分布，从而提高了器件的耐压特性。此外，还通过在双漂移区之间引入轻掺杂的交叠浮空层辅助耗尽，以有效增加双漂移区的掺杂浓度，进一步改善耐压特性。再者，通过上部漂移区的底部引入重掺杂的单元内埋层和在双漂移区之间的轻掺杂区中引入重掺杂的单元内浮空层来进一步改善器件的耐压特性。
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公开(公告)号：CN118676624A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410874269.6
申请日：2024-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种超宽带吸收可切换偏振无关吸波器。该吸波器由三层结构构成，自下而上分别是金属层、二氧化硅电介质层及二氧化矾薄膜结构层。通过优化扫描选出具有最优尺寸的二氧化矾薄膜结构参数，通过调节二氧化矾的电导率#imgabs0#可以实现在宽带内#imgabs1#的动态调控。除此之外，该发明还具有结构简单、易于制备等优点。因此，该发明在宽带可调谐偏振无关吸波器件中具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN118192076A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410468534.0
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种基于粒子群算法的宽带消色差偏振复用超透镜设计方法。所述超透镜包括二氧化硅衬底层和具有各向异性的二氧化钛超表面层。通过扫描横截面为椭圆的结构单元尺寸构建相位响应数据库，得到不同的相位响应。结合已有的数据库，利用粒子群优化算法(PSO)对x、y线偏振通道下不同波长的相位分布进行定制，大大减小了匹配误差。最后通过仿真证明，超透镜焦距能依据入射光线偏振状态进行调节，并且双偏振通下的色散能得到有效控制。该设计具有紧凑、灵活、高效率等优点，在医疗成像、目标检测领域具有广阔的应用潜力。
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公开(公告)号：CN117518354A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311480597.X
申请日：2023-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及铌酸锂光子芯片技术领域，具体涉及一种三叉戟结构薄膜铌酸锂模斑转换器，包括衬底、氧化物层、氮氧化硅波导和铌酸锂波导，铌酸锂波导在氮氧化硅波导内为三叉戟结构，传输部分为锥形结构。通过铌酸锂波导宽度的逐渐增大，波导对于光的限制作用增强，当波导宽度增大到一定程度时，光被限制在波导中，光斑尺寸随之减小，实现光纤与波导之间两种模斑的高效耦合，经过优化设计模斑转换器传输过程的透过率为0.99，三叉戟结构的铌酸锂波导和引用氮氧化硅波导更方便的与光纤连接，提高了耦合效率。
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