公开(公告)号：CN117615579A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311429465.4

申请日：2023-10-31

申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所 ,  桂林电子科技大学

发明人： 李跃 ,  谢仕锋 ,  韦春树 ,  刘兴鹏 ,  杨万里 ,  尹思杰

IPC分类号： H10B53/30

摘要： 本发明涉及微电子存储器技术领域，具体涉及一种无铅BaTiO3铁电存储器及其制备方法，包括使用丙酮、无水乙醇和去离子水依次对SrTiO3衬底超声清洗后吹干；将吹干后的SrTiO3衬底放入预设温度的脉冲激光沉积系统腔室，并通入氧气，使用La0.65Sr0.35MnO3缓冲层制备得到薄膜；对所述薄膜进行原位退火后降温取出；遮住部分所述薄膜，再次送入脉冲激光沉积系统腔室，使用1.1％wt Nb：SrTiO3制备得到底电极层；对所述底电极层通入氧气使用BaTiO3制备得到BaTiO3铁电功能氧化物层；对所述BaTiO3铁电功能氧化物层进行原位退火后降温取出；将取出的BaTiO3铁电功能氧化物层使用lift‑off工艺以及射频磁控溅射生长Pt上电极层，得到无铅BaTiO3铁电存储器，解决了现有的闪存的浮栅电容数据的读取具有破坏性的问题。

公开(公告)号：CN117518354A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311480597.X

申请日：2023-11-08

申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所 ,  桂林电子科技大学

发明人： 杨万里 ,  覃良鹏 ,  尹怡辉 ,  李海鸥 ,  谢仕锋 ,  李跃 ,  尹思杰

IPC分类号： G02B6/14 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122

摘要： 本发明涉及铌酸锂光子芯片技术领域，具体涉及一种三叉戟结构薄膜铌酸锂模斑转换器，包括衬底、氧化物层、氮氧化硅波导和铌酸锂波导，铌酸锂波导在氮氧化硅波导内为三叉戟结构，传输部分为锥形结构。通过铌酸锂波导宽度的逐渐增大，波导对于光的限制作用增强，当波导宽度增大到一定程度时，光被限制在波导中，光斑尺寸随之减小，实现光纤与波导之间两种模斑的高效耦合，经过优化设计模斑转换器传输过程的透过率为0.99，三叉戟结构的铌酸锂波导和引用氮氧化硅波导更方便的与光纤连接，提高了耦合效率。