-
公开(公告)号:CN112736850A
公开(公告)日:2021-04-30
申请号:CN202011644707.8
申请日:2020-12-30
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
Abstract: 一种双馈电机定子合、分闸过电压抑制的控制方法及装置,该实时采集系统发出的双馈电机控制系统启、停命令;根据系统发出的启、停命令,控制双馈电机定子合闸过程中各开关的闭合顺序、分闸过程中各开关的断开顺序;所述开关包括定子电源开关、可控隔离单元开关;对双馈电机定子合、分闸过程的各开关状态进行监控,并判断各开关是否发生故障;所述故障包括定子电源开关工作异常故障、可控隔离单元开关工作异常故障;若发生故障,则系统停止工作。通过可控隔离单元开关有效的抑制了定子合闸过程中产生的尖峰电压,使之与转子侧的变频器进行隔离,避免了定子合闸尖峰电压对转子侧连接的变频器功率半导体器件的冲击。
-
公开(公告)号:CN109061431B
公开(公告)日:2020-11-13
申请号:CN201810957220.1
申请日:2018-08-22
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种基于栅极电荷的SiC MOSFET栅极故障诊断系统,SiC MOSFET栅极故障诊断系统包括:栅极电荷检测电路、逻辑控制单元、放大器、第一电阻R1、第二电阻R2。该系统在SiC MOSFET运行状态中,对栅极电荷进行在线检测,根据在发生栅极故障时栅极电荷的变化情况进行栅极故障诊断,并对栅极短路故障和栅极开路故障进行识别。当栅极发生短路故障时,检测到的栅极电荷值将迅速增大到检测电路所允许的最大值;而当栅极发生开路故障时,检测到的栅极电荷在开关瞬态始终保持为零。本发明能够快速检测到栅极故障,以便SiC MOSFET应用系统及时停机,从而保护SiC MOSFET驱动板并防止SiC MOSFET发生二次故障。
-
公开(公告)号:CN110943652A
公开(公告)日:2020-03-31
申请号:CN201911400252.2
申请日:2019-12-30
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
Abstract: 一种多电机机群系统驱动控制装置、方法及系统,包括多电机综合控制单元、多个电机控制单元及与多个电机控制单元相对应的变频驱动器;其中,所述多个电机控制单元中,一个设为主电机控制单元,余下设为从电机控制单元;所述多电机综合控制单元与多个电机控制单元通过两组光纤串联连接,所述多个电机控制单元与其变频驱动器连接,所述变频驱动器输出至电机。通过多电机综合控制单元对多电机机群系统统一管理,提高了多电机机群系统的自动控制水平。
-
公开(公告)号:CN110932235A
公开(公告)日:2020-03-27
申请号:CN201911386910.7
申请日:2019-12-29
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
Abstract: 本发明提供一种多电机机群系统保护方法及装置,该保护方法在实现多电机机群系统功率平衡控制的基础上实施,所述保护方法包括功率分配异常保护、堵转故障保护,超、欠速故障保护,反转故障保护,该方法实现了多电机机群驱动系统的安全运行,能够对堵转、超速、欠速、反转及功率分配不平衡进行判断,并做出相应的系统保护动作。
-
公开(公告)号:CN110635792A
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:CN201911047961.7
申请日:2019-10-30
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
IPC: H03K17/0812 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路及方法,包括:逻辑单元、驱动单元、短路保护单元、VDS检测单元以及VG检测单元,本发明采用降低栅极电压VG的方法抑制短路电流,从而降低短路故障对器件的冲击,减小了短路损耗,增大了短路耐受时间。当SiC MOSFET发生一类短路时,漏极电压VDS将不会下降至导通压降,本发明通过判断漏极电压VDS是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压,使栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级;当SiC MOSFET发生二类短路时,栅极电压VG将会发生突变,形成电压尖峰,本发明通过判断导通状态时栅极电压VG是否出现电压尖峰来选择导通状态的栅极驱动电压,可在短路时将栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级;此外本发明电路不影响正常开通过程,确保了SiC MOSFET开通瞬态的快速性。
-
公开(公告)号:CN109743054A
公开(公告)日:2019-05-10
申请号:CN201811483201.6
申请日:2018-12-05
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
IPC: H03K19/003 , H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路及方法,包括:逻辑电路,推挽放大器,栅压切换电路以及栅压检测电路。当发生二类短路时,栅极电压将会发生突变,形成较高的电压尖峰,本发明通过对栅极电压进行检测,当栅极电压上升到一定阈值时,将栅极驱动电压切换为较低值,根据栅极电压与短路电流呈正关系特性,其短路电流将会减小,从而减小短路对SiC MOSFET的冲击,提高器件的短路耐受能力。
-
公开(公告)号:CN109495102A
公开(公告)日:2019-03-19
申请号:CN201811483199.2
申请日:2018-12-05
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
IPC: H03K19/003 , H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET一类短路电流抑制电路及方法,包括:逻辑控制单元,驱动单元,短路保护单元以及漏极电压检测单元。本发明通过判断漏极电压是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压,当发生一类短路时,栅极将被钳位在较低的驱动电压,依据功率器件的输出特性,短路电流将被抑制,从而降低了短路故障对器件的冲击,减小了短路损耗,增大了短路耐受时间。此外本发明电路不影响正常开通过程,确保了SiC MOSFET开通瞬态的快速性。
-
公开(公告)号:CN108390595A
公开(公告)日:2018-08-10
申请号:CN201711484036.1
申请日:2017-12-29
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
CPC classification number: H02P5/50 , B65G43/00 , H02P21/13 , H02P21/22 , H02P27/08 , H02P2205/05 , H02P2205/07
Abstract: 本发明涉及一种刮板机重载自适应启动控制装置,包括自适应启动控制器,速度控制器,数字投切开关,矢量控制器,逆变器以及电机,其中自适应启动控制器包括转矩观测器、速度观测器以及自适应率控制器,转矩观测器接收变频器矢量控制器的转矩电流反馈Ist_fdb信号、磁链幅值ψs信号通过,经过运算输出实时估算转矩Te_est信号,速度观测器接收矢量控制器电压电流信号,经过MRAS无速度传感器速度估测器,运算得出电机实时速度值ω_est信号,自适应率控制器通过分析实时转矩Te_est信号和实时速度ω_est信号,经过运算,产生相应的转矩电流给定值Ist_ref信号,矢量控制器接收转矩电流给定Ist_ref信号命令,产生脉冲PWM信号驱动三相逆变器模块,最终三相逆变器模块输出期望的电压电流驱动电机运行。
-
公开(公告)号:CN107994833A
公开(公告)日:2018-05-04
申请号:CN201711470614.6
申请日:2017-12-29
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
Abstract: 本发明涉及一种永磁同步电机的转子初始位置检测装置,所述装置包括初始位置检测数字计算模块、驱动电路、三相逆变器模块、永磁同步电机与电流传感器以及采样电路,所述驱动电路接收初始位置检测数字计算模块1的信号,产生IGBT的驱动信号,述的三相逆变器模块根据驱动电路产生的驱动信号,控制各相上、下桥臂IGBT开通和关断,所述的永磁同步电机的三相定子与三相逆变器模块连接,所述电流传感器与采样电路采集永磁同步电机的a、b与c三相定子电流ia、ib与ic,本发明的定位精度受电机的凸极率、饱和特性、电流传感器的精度以及电流采样装置零漂的影响大大减小,有效地提高了转子初始位置检测的精度。
-
公开(公告)号:CN107959453A
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201611271170.9
申请日:2016-12-30
Applicant: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
IPC: H02P21/18
Abstract: 本发明涉及一种改进的MRAS速度观测方法,改方法通过定子磁链的电压模型和电流模型构建了参考模型和可调模型,采用一阶低通滤波器级联构造定子磁链观测器的方法,提出磁链幅值离散迭代化处理方法。基于Popov超稳定性定理设计了自适应律,设计了基于输出广义偏差的变PI调节器应用于速度观测。实现了双馈电机的无速度传感器矢量控制,为工业现场应用提供了参考和依据。
-
-
-
-
-
-
-
-
-