一种基于栅极电荷的SiC MOSFET栅极故障诊断系统及诊断方法

    公开(公告)号:CN109061431B

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN201810957220.1

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 本发明提供一种基于栅极电荷的SiC MOSFET栅极故障诊断系统,SiC MOSFET栅极故障诊断系统包括:栅极电荷检测电路、逻辑控制单元、放大器、第一电阻R1、第二电阻R2。该系统在SiC MOSFET运行状态中,对栅极电荷进行在线检测,根据在发生栅极故障时栅极电荷的变化情况进行栅极故障诊断,并对栅极短路故障和栅极开路故障进行识别。当栅极发生短路故障时,检测到的栅极电荷值将迅速增大到检测电路所允许的最大值;而当栅极发生开路故障时,检测到的栅极电荷在开关瞬态始终保持为零。本发明能够快速检测到栅极故障,以便SiC MOSFET应用系统及时停机,从而保护SiC MOSFET驱动板并防止SiC MOSFET发生二次故障。

    一种基于栅极电荷的SiC MOSFET栅极故障诊断系统及诊断方法

    公开(公告)号:CN109061431A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201810957220.1

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 本发明提供一种基于栅极电荷的SiC MOSFET栅极故障诊断系统,SiC MOSFET栅极故障诊断系统包括:栅极电荷检测电路、逻辑控制单元、放大器、第一电阻R1、第二电阻R2。该系统在SiC MOSFET运行状态中,对栅极电荷进行在线检测,根据在发生栅极故障时栅极电荷的变化情况进行栅极故障诊断,并对栅极短路故障和栅极开路故障进行识别。当栅极发生短路故障时,检测到的栅极电荷值将迅速增大到检测电路所允许的最大值;而当栅极发生开路故障时,检测到的栅极电荷在开关瞬态始终保持为零。本发明能够快速检测到栅极故障,以便SiC MOSFET应用系统及时停机,从而保护SiC MOSFET驱动板并防止SiC MOSFET发生二次故障。

    一种基于开通dIds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置

    公开(公告)号:CN209542769U

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201821617474.0

    申请日:2018-10-01

    Abstract: 本实用新型涉及一种基于开通dIds/dt的SIC MOSFET模块结温在线测量装置,所述测量装置包括采样整流电路、放大电路及数据处理模块;其中,所述采样整流电路用于在SIC MOSFET开通的瞬态时,采集到感应dIds/dt(漏极电流变化率)的感应电压整流得到一个稳定的电压值;所述放大电路用于对采样整流电路的输出电压值进行放大处理;所述数据处理模块用于将放大电路输出的电压值转化为数字信号,用于根据标定的该电压与直流母线电压、结温的关系通过查表来获取实际结温,还用于输出控制采样整流电路进行数据测量的准备信号;该方案解决了现有技术无法实时对SIC MOSFET结温在线快速提取的问题,提出的方案设计简单、易于实现,并且能够达到极快的响应速度。

    一种SiC MOSFET栅极故障诊断系统以及模拟电路

    公开(公告)号:CN210376577U

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201821359604.5

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 本实用新型提供一种SiC MOSFET栅极故障诊断系统以及模拟电路,包括:栅极电荷检测电路、逻辑控制单元、放大器、第一电阻R1、第二电阻R2。该系统在SiC MOSFET运行状态中,对栅极电荷进行在线检测,根据在发生栅极故障时栅极电荷的变化情况进行栅极故障诊断,并对栅极短路故障和栅极开路故障进行识别。当栅极发生短路故障时,检测到的栅极电荷值将迅速增大到检测电路所允许的最大值;而当栅极发生开路故障时,检测到的栅极电荷在开关瞬态始终保持为零。本实用新型能够快速检测到栅极故障,以便SiC MOSFET应用系统及时停机,从而保护SiC MOSFET驱动板并防止SiC MOSFET发生二次故障。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

Patent Agency Ranking