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    基板处理方法
    121.
    发明授权
    基板处理方法 有权

    公开(公告)号：CN103400761B

    公开(公告)日：2016-06-22

    申请号：CN201310240746.5

    申请日：2009-07-13

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 本田昌伸 ,  市川裕展

    IPC: G03F7/36 ,  H01L21/311

    CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3127

    Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在处理对象基板的掩模膜或中间膜上形成满足半导体装置小型化要求的尺寸的用于对蚀刻对象膜进行转印的开口部。该基板处理方法具有开口宽度缩小步骤，在硅基材（50）上依次层叠有非晶碳膜（51）、SiON膜（52）、反射防止膜（53）和光致抗蚀剂层（54），且光致抗蚀剂层（54）具有使反射防止膜（53）的一部分露出的开口部（55）的晶片（Q）中，通过由作为气体附着系数S为S＝0.1～1.0的沉积性气体的CHF3生成的等离子体，使沉积物（66）堆积到光致抗蚀剂膜（54）的开口部（55）的侧壁面上，将开口部（55）的开口宽度缩小至规定宽度。

    处理具有掩模的被处理体的方法
    122.
    发明公开
    处理具有掩模的被处理体的方法 无效

    公开(公告)号：CN105489483A

    公开(公告)日：2016-04-13

    申请号：CN201510634852.0

    申请日：2015-09-29

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  本田昌伸

    IPC: H01L21/3065

    Abstract: 本发明涉及处理具有掩模的被处理体的方法。[课题]为了调节掩模的开口宽度，不使用专用的成膜装置而在低温下形成氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法中重复进行下述排序以形成氧化硅膜，所述排序包括如下工序：(a)第一工序：在容纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，形成反应前体；(b)第二工序：对处理容器内的空间进行吹扫；(c)第三工序：在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜；以及(d)第四工序：对处理容器内的空间进行吹扫。

    对被处理体进行处理的方法
    123.
    发明公开
    对被处理体进行处理的方法 有权

    公开(公告)号：CN105244372A

    公开(公告)日：2016-01-13

    申请号：CN201510378428.4

    申请日：2015-07-01

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 渡边光 ,  本田昌伸 ,  辻晃弘

    IPC: H01L29/66 ,  H01L21/28

    CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1063 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/401

    Abstract: 本发明提供对被处理体进行处理的方法。一实施方式的方法为对被处理体进行处理而形成从氧化区域通过两个隆起区域之间到达基底层的开口的方法。该方法包括：(1)在氧化区域形成使氮化区域的第二部分在两个隆起区域之间露出的开口的工序；和(2)对开口内的氧化硅制的残渣和第二部分进行蚀刻的工序。在对残渣和第二部分进行蚀刻的工序中，通过将被处理体暴露于包含含有氢气体和NF3气体的混合气体的等离子体中使残渣和第二部分变质，而形成变质区域，并将该变质区域除去。

    基板处理方法
    124.
    发明公开
    基板处理方法 有权

    公开(公告)号：CN103400761A

    公开(公告)日：2013-11-20

    申请号：CN201310240746.5

    申请日：2009-07-13

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 本田昌伸 ,  市川裕展

    IPC: H01L21/311 ,  G03F7/36

    CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3127

    Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在处理对象基板的掩模膜或中间膜上形成满足半导体装置小型化要求的尺寸的用于对蚀刻对象膜进行转印的开口部。该基板处理方法具有开口宽度缩小步骤，在硅基材（50）上依次层叠有非晶碳膜（51）、SiON膜（52）、反射防止膜（53）和光致抗蚀剂层（54），且光致抗蚀剂层（54）具有使反射防止膜（53）的一部分露出的开口部（55）的晶片（Q）中，通过由作为气体附着系数S为S＝0.1～1.0的沉积性气体的CHF3生成的等离子体，使沉积物（66）堆积到光致抗蚀剂膜（54）的开口部（55）的侧壁面上，将开口部（55）的开口宽度缩小至规定宽度。

    腔室内清洁方法
    125.
    发明授权
    腔室内清洁方法 有权

    公开(公告)号：CN102013388B

    公开(公告)日：2013-09-25

    申请号：CN201010264380.1

    申请日：2010-08-20

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 本田昌伸 ,  花冈秀敏 ,  平野太一 ,  三村高范 ,  岩田学 ,  冈城武敏

    IPC: H01L21/00 ,  B08B7/00

    CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32862

    Abstract: 本发明提供一种高效率地去除堆积在ESC的外周部的以CF为主要成分且含有Si和Al的肩部堆积物的腔室内清洁方法。朝向ESC(24)的外周部(24a)以压力400～800mTorr供给由O2气体和含F气体构成的混合气体，有选择性地对ESC(24)的外周部(24a)照射由该混合气体生成的等离子体，并且，对ESC(24)的除外周部(24a)之外的上部表面供给作为掩蔽气体的O2单一气体，防止ESC(24)的除外周部(24a)之外的上部表面暴露于F自由基中，一边分解、去除附着在该外周部(24a)的肩部堆积物(50)。

    等离子体蚀刻方法
    126.
    发明授权
    等离子体蚀刻方法 有权

    公开(公告)号：CN101552186B

    公开(公告)日：2011-11-30

    申请号：CN200910129588.X

    申请日：2009-03-31

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 本田昌伸 ,  中山博之 ,  佐藤学

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

    CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/67069

    Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其能够使用电容耦合型的等离子体蚀刻装置任意且精密地控制蚀刻形状。在该电容耦合型等离子体蚀刻装置中，向基座(12)分别施加来自第一和第二高频电源(30、32)的等离子体生成用的第一高频、离子引入用的第一高频。从可变直流电源(74)输出的可变的直流电压VDC通过导通/断开切换开关(76)和滤波器(82)施加在上部电极(60)上。在控制部(80)中使用的软件中编入有用于根据蚀刻工艺的种类、内容、条件而对直流电压VDC时时刻刻地连续地进行可变控制的程序。

    腔室内清洁方法
    128.
    发明公开
    腔室内清洁方法 有权

    公开(公告)号：CN102013388A

    公开(公告)日：2011-04-13

    申请号：CN201010264380.1

    申请日：2010-08-20

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 本田昌伸 ,  花冈秀敏 ,  平野太一 ,  三村高范 ,  岩田学 ,  冈城武敏

    IPC: H01L21/00 ,  B08B7/00

    CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32862

    Abstract: 本发明提供一种高效率地去除堆积在ESC的外周部的以CF为主要成分且含有Si和Al的肩部堆积物的腔室内清洁方法。朝向ESC(24)的外周部(24a)以压力400～800mTorr供给由O2气体和含F气体构成的混合气体，有选择性地对ESC(24)的外周部(24a)照射由该混合气体生成的等离子体，并且，对ESC(24)的除外周部(24a)之外的上部表面供给作为掩蔽气体的O2单一气体，防止ESC(24)的除外周部(24a)之外的上部表面暴露于F自由基中，一边分解、去除附着在该外周部(24a)的肩部堆积物(50)。

    基板处理室的洗净方法和基板处理室
    129.
    发明授权
    基板处理室的洗净方法和基板处理室 有权

    公开(公告)号：CN101022693B

    公开(公告)日：2010-11-10

    申请号：CN200710079104.6

    申请日：2007-02-13

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 本田昌伸 ,  松井裕

    IPC: H05H1/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  B08B7/00

    Abstract: 本发明提供一种能够防止在处理室内部件的表面形成氧化膜的基板处理室的洗净方法。在上部电极板(38)的表面附着有反应生成物的等离子体处理装置(10)中，将晶片(W)从基板处理室(11)搬出后，向处理空间(S)导入氧气，将处理空间(S)的压力设定为26.7Pa～80.0Pa，将电极板表面-空间电位差设定为0V，将40MHz的高频电力的大小设定为500W以下，通过40MHz的高频电力生成等离子体而实施干洗处理，进一步向处理空间(S)导入四氟化碳气体，通过40MHz和2MHz的高频电力生成等离子体而实施氧化物除去处理。

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