-
公开(公告)号：CN101952942A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980105055.6
申请日：2009-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
Abstract: 揭示一种侦测粒子束特性的装置及其方法。在一实施例中，装置可以具有包括第一端与第二端的主体以及位于第一端与第二端之间的至少一侦测器。装置可以具有透明度状态，也就是进入装置的一部分的粒子可以通过装置的状态。装置也可以具有最小透明度状态，也就是进入装置的实质上所有粒子可以避免通过装置且被侦测的状态。可以通过转动装置或包含于装置中的侦测器来达到不同的透明度状态。有可能使用此装置来侦测粒子束特性，诸如粒子束强度、角度、平行度以及粒子束中的粒子的分布。
-
公开(公告)号：CN101095209B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200580045542.X
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/0042 , H01J2237/055
Abstract: 本发明揭露一种借由束缚一离子布植机的一磁铁的一磁性区域内的电子，以降低电子损耗且因此改良一低能量射束的输送效率，从而改良邻近该离子布植机的该磁铁的空间电荷中和的方法以及装置。提供一用于一离子布植机的一磁铁的磁极部件，前述磁极部件包括一外表面，其具有形成邻近前述磁极部件的磁场集中区的多个磁场集中部件。遭遇该增强的磁场的电子沿相同磁场线反弹回去而不是经允许而逃逸。本发明亦提供一分析器磁铁以及包括前述磁极的离子布植机，因此实现了一改良一离子布植机中的低能量离子束空间电荷中和的方法。
-
公开(公告)号：CN101939823A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104352.9
申请日：2009-02-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼 , 阿多夫·R·多利 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 艾力克斯恩德·S·培尔
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01L21/26506 , H01L21/2658
Abstract: 为了植入含碳种类，在离子室中离子化含碳气体。这些气体的离子化通常会产生许多离子化种类。然而，许多这些所产生的离子化种类对于想要的植入无益，因为他们仅包含非碳原子。在进行植入之前必须消除这些种类，而仅留下基于碳的种类。然而，想要的种类的电流可能很低，因此需藉由额外的能量或时间才能将想要的剂量的碳植入基底。此可藉由使用第二气体来改善。此第二气体用来稀释将于离子室中离子化的主要的含碳气体。藉由结合此稀释气体，更多的所产生的离子化种类对于碳植入有利。
-
公开(公告)号：CN101802992A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107434.4
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/76251 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/201 , H01J2237/202 , H01L21/26506 , H01L21/6835 , H01L2221/68359 , H01L2924/30105
Abstract: 所揭示的是将两个藉由离子植入而活化的基底晶圆键合在一起的方法。原位离子键合室允许在制造流程所使用的现有制程设备中进行离子活化与键合。基底的至少其中之一是在低植入能量下进行离子活化，以确保薄表面层下面的晶圆材料免受离子活化的影响。
-
公开(公告)号：CN101802963A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106475.1
申请日：2008-08-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 道格拉斯·梅 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 拉塞尔·J·罗
IPC: H01J37/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/16 , H01J2237/038 , H01J2237/08
Abstract: 一种具有含介质鳍片的绝缘导体的离子植入机终端结构。在一实施例中，离子植入机终端结构可由含一个或多个介质鳍片的绝缘导体来实现。例如，离子植入机可包括配置成提供离子束的离子源。离子植入机还包括定义空腔的终端结构，其中离子源可至少部分地设置于空腔内。离子植入机还包括具有至少一介质鳍片的绝缘导体，此介质鳍片设置于终端结构的外部附近以改变电场。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101416269B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200780009281.5
申请日：2007-01-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3007 , H01J2237/0492
Abstract: 本发明是有关于一种带状离子束植入机系统的架构，在一实施例中，架构包括：加速/减速平行化透镜系统，其用于接收扇型带状离子束且用于将扇型带状离子束至少平行化(且或许亦加速或减速)为实质上平行的带状离子束；以及能量过滤系统，其在加速/减速平行化透镜系统的下游且在将由实质上平行的带状离子束植入的工件之前。加速/减速平行化透镜系统包括用于至少平行化(且或许亦加速或减速)扇型带状离子束的透镜以及用于使实质上平行的带状离子束加速或减速的加速/减速透镜。平行化透镜允许高电流带状离子束以可下降至低至约200eV的能量来传送至工件。能量过滤系统提供实质上没有能量污染的实质上平行的带状离子束。
-
公开(公告)号：CN101371328B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780002667.3
申请日：2007-01-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/244 , G01B15/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24578 , H01J2237/31701 , H01J2237/31703
Abstract: 一种用于离子束的角度测量系统，此角度测量系统包括：界定第一以及第二特征的旗标，其中第二特征具有自第一特征的可变间距；用以沿着平移路径而平移旗标以使得旗标截取离子束的至少一部分的机构；以及用以沿着平移路径而侦测不同旗标位置的离子束且回应于经侦测的离子束而产生感应器信号的感应装置。感应器信号以及旗标的对应位置表示垂直平面中离子束的垂直离子束角度。感应装置可包括一屏蔽以及一用以平移屏蔽以便界定相关联的法拉第感应器的一部分上的离子束电流感应器的机构。
-
公开(公告)号：CN101120427B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680004939.9
申请日：2006-02-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/004 , H01J2237/24405 , H01J2237/31703 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明提供一种静电抑制型的法拉第筒与能量污染监测器的混合装置及使用所述装置的相关方法。本发明的装置可选择性地测量离子束的两种特性，例如测量减速离子束的电流及能量污染程度。根据本发明一方面，本发明提供的离子束测量装置包括：用来接收离子束的光圈；配置在光圈旁的负偏压电极；配置在负电压电极旁的正偏压电极；配置在正偏压电极旁的选择偏压电极；以及收集器。其中，选择偏压电极可选择性地选定为负偏压或正偏压。
-
公开(公告)号：CN101103432B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580046588.3
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安东尼·雷诺 , 唐纳·L·史麦特雷克 , 詹姆士·贝福 , 艾立克·赫尔曼森
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
CPC classification number: H01J27/02 , H01J37/026 , H01J37/05 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H05H7/08
Abstract: 本发明是用一或多个电子源，将电子(18)注入即将在磁铁的磁极片(130，132)之间传送的一离子束(122)。在本发明部分实施例中，该些电子源是位于磁铁的磁极片的其中之一或两者的凹穴(160)中。在本发明其他实施例中，无线电频率或微波等离子流枪是位于磁极片之间，或配置在磁极片的至少其中之一的凹穴中。
-
公开(公告)号：CN101689488A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021715.8
申请日：2008-06-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奈尔·J·巴森
IPC: H01L21/265 , H01J37/08
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/205 , H01J2237/061 , H01J2237/082 , H01J2237/31701
Abstract: 揭示一种用于离子注入器系统的离子源的具有电子生成与聚焦沟的阴极、离子源及其方法。在一个实施例中，所述阴极包括工作表面，所述工作表面中定位有多个电子生成与聚焦沟。所述离子源的反射极可以类似方式构造。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
747
records
(took 0.047 seconds)
