公开(公告)号：CN101939823B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200980104352.9

申请日：2009-02-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 奎格·R·钱尼 ,  阿多夫·R·多利 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  艾力克斯恩德·S·培尔

IPC: H01L21/265

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658

Abstract: 为了植入含碳种类，在离子室中离子化含碳气体。这些气体的离子化通常会产生许多离子化种类。然而，许多这些所产生的离子化种类对于想要的植入无益，因为他们仅包含非碳原子。在进行植入之前必须消除这些种类，而仅留下基于碳的种类。然而，想要的种类的电流可能很低，因此需藉由额外的能量或时间才能将想要的剂量的碳植入基底。此可藉由使用第二气体来改善。此第二气体用来稀释将于离子室中离子化的主要的含碳气体。藉由结合此稀释气体，更多的所产生的离子化种类对于碳植入有利。

公开(公告)号：CN101939823A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104352.9

申请日：2009-02-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 奎格·R·钱尼 ,  阿多夫·R·多利 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  艾力克斯恩德·S·培尔

IPC: H01L21/265

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658

Abstract: 为了植入含碳种类，在离子室中离子化含碳气体。这些气体的离子化通常会产生许多离子化种类。然而，许多这些所产生的离子化种类对于想要的植入无益，因为他们仅包含非碳原子。在进行植入之前必须消除这些种类，而仅留下基于碳的种类。然而，想要的种类的电流可能很低，因此需藉由额外的能量或时间才能将想要的剂量的碳植入基底。此可藉由使用第二气体来改善。此第二气体用来稀释将于离子室中离子化的主要的含碳气体。藉由结合此稀释气体，更多的所产生的离子化种类对于碳植入有利。