公开(公告)号：CN101802992A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880107434.4

申请日：2008-09-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 由里·艾洛克海 ,  保罗·沙利文 ,  史帝文·R·沃特 ,  彼得·纽南

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2924/30105

Abstract: 所揭示的是将两个藉由离子植入而活化的基底晶圆键合在一起的方法。原位离子键合室允许在制造流程所使用的现有制程设备中进行离子活化与键合。基底的至少其中之一是在低植入能量下进行离子活化，以确保薄表面层下面的晶圆材料免受离子活化的影响。

公开(公告)号：CN101802980A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880107324.8

申请日：2008-09-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 朱利安·G·布雷克 ,  由里·艾洛克海 ,  乔纳森·吉罗德·英格兰

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明揭示了一种离子植入机。一个这样的离子植入机包括离子束源和分析器磁体，此离子束源用于产生氧、氮、氦或氢离子为具有特定剂量范围的离子束，此分析器磁体用于自离子束移除不想要的物质。此离子植入机包括一种具有背面气体热耦合的静电夹盘，此静电夹盘用于固持单个工件来通过离子束进行硅绝缘体的植入且用于将此工件冷却至大约300℃至600℃的温度范围。

公开(公告)号：CN101400824A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780008808.2

申请日：2007-02-07

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·D·纽南 ,  由里·艾洛克海

IPC: C23C18/28 ,  C23C18/30 ,  H01L29/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/48

CPC classification number: C23C18/1608 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/32 ,  C23C18/38 ,  C23C18/48 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明公开了一种使用离子注入表面改性来催化无电沉积以沉积金属膜(150)的技术。在一个特定示范性实施例中，此技术可被实现为一种用于沉积金属膜(150)的方法。此方法可包括在结构(100)上沉积催化材料，其中此结构(100)包括衬底(110)、在衬底(110)上的介电层(120)和在介电层(120)上的抗蚀剂层(130)，其中介电层(120)和抗蚀剂层(130)具有一或多个开口(140)。此方法还可包括剥除抗蚀剂层(130)。此方法还可包括在此结构(100)的一或多个开口(140)中的催化材料上沉积金属膜(150)，以填充开口(140)。