公开(公告)号：CN118173497A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202211584025.1

申请日：2022-12-09

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 请求不公布姓名

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明涉及一种用于在半导体结构中形成通孔的方法及系统。该方法包括以下步骤：提供基板和位于所述基板上的硬掩膜层；利用第一图案化工艺在所述硬掩膜层中形成沿第一方向延伸的多个第一凹槽；利用第二图案化工艺在所述硬掩膜层中形成沿第二方向延伸的多个第二凹槽，其中所述基板在所述多个第一凹槽与所述多个第二凹槽相交之处暴露；以及将所述硬掩膜层作为抗刻蚀掩膜对暴露的基板进行刻蚀，以在所述基板中形成多个通孔。

公开(公告)号：CN118131396A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202211504721.7

申请日：2022-11-28

Applicant: 张江国家实验室 ,  上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 储蔚 ,  杨丰赫

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/24

Abstract: 本申请涉及耦合结构、用于形成耦合结构的方法和光芯片。该耦合结构包括：衬底；第一波导，形成在衬底上；透明材料层，形成在第一波导上；以及第二波导，位于所述透明材料层中并且是部分所述透明材料层通过改性而形成。

公开(公告)号：CN117891134A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202211226812.9

申请日：2022-10-09

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 周恒宇 ,  李思坤 ,  张涛 ,  熊诗圣

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/70 ,  H01L21/027

Abstract: 本申请公开了用于对半导体特征结构进行分配的方法。一种方法包括：获得指示半导体特征结构的位置的位置信息；基于设计约束参数和位置信息，确定初步分组染色分配结果，设计约束参数包括参考染色数；基于设计约束参数和初步元素组的子集中的半导体特征结构的位置信息，更新初步分组染色分配结果，以获得染色数小于或等于参考染色数的优化分组染色分配结果，该子集包括其余初步元素组和相关联的初步元素组，该其余初步元素组是超出参考染色数指示数量的不同染色值对应的初步元素组的初步元素组；以及基于设计约束参数和优化分组染色分配结果，将半导体特征结构与相应的掩模层相匹配。

公开(公告)号：CN117810065A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202211164883.0

申请日：2022-09-23

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 胡晓华 ,  张蕊 ,  吴智勇 ,  熊诗圣

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种利用聚焦太阳能退火工艺进行嵌段共聚物(Block Copolymer,BCP)自组装的方法，包括如下步骤：(1)在衬底上接枝无规共聚物；(2)在所述无规共聚物上涂覆包含与所述无规共聚物相对应的嵌段共聚物的材料；以及(3)利用聚焦太阳能退火工艺来驱动所述BCP进行微相分离，从而使所述BCP在所述衬底上进行自组装以形成有序结构。通过采用聚焦太阳能退火工艺，可在平面衬底以及图形引导模板上使BCP实现微相分离，能够显著降低BCP光刻的能耗、工艺时间及成本。

公开(公告)号：CN117801313A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202211209262.X

申请日：2022-09-30

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 熊诗圣 ,  吴智勇 ,  徐兴冉 ,  李自力 ,  董庆树 ,  李卫华

IPC: C08J3/00 ,  H01L21/027 ,  C08L101/00

Abstract: 本发明提供一种嵌段共聚物共混导向自组装方法，使用由第一嵌段共聚物和第二嵌段共聚物组成的共混物来进行导向自组装，所述第一嵌段共聚物所包含的两种或两种以上的均聚物与所述第二嵌段共聚物所包含的两种或两种以上的均聚物的分子结构相同，且所述第一嵌段共聚物的分子量大于所述第二嵌段共聚物的分子量，所述共混物中，所述第一嵌段共聚物与所述第二嵌段共聚物的体积百分比为50％：50％以上。通过嵌段共聚物的共混来改善导向自组装的工艺窗口，提高DSA工艺技术的良率，拓宽DSA工艺的适用范围。

公开(公告)号：CN117130230A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202210604717.1

申请日：2022-05-18

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 詹其文 ,  李儒新 ,  芮光浩 ,  胡海峰

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开提供了一种基于深紫外辐射源的干涉光刻方法，可以应用于微纳米结构加工技术领域，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上制备多层结构，其中，所述多层结构包括：设置于所述衬底的第二金属层；设置于所述第二金属层远离所述衬底一侧的光刻胶层；设置于所述光刻胶层远离所述衬底一侧的第一金属层；所述第一金属层具有纳米周期结构；利用所述深紫外辐射源发出的深紫外光照射所述多层结构的第一金属层，在所述多层结构的作用下所述深紫外光转化为表面等离激元；利用所述表面等离激元对所述光刻胶层进行光刻，以形成光刻胶图案，其中，所述纳米周期结构具有第一周期，所述光刻胶图案具有第二周期，所述第二周期小于所述第一周期。

公开(公告)号：CN117130229A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202210604595.6

申请日：2022-05-18

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 詹其文 ,  李儒新 ,  胡海峰 ,  芮光浩

IPC: G03F7/20 ,  G02B5/18

Abstract: 本公开提供了一种深紫外干涉光刻方法，可以应用于半导体技术领域。该方法包括：制备多层结构，包括：衬底；设置于衬底的第二金属层；设置于第二金属层远离衬底一侧的隔离层；设置于隔离层远离衬底一侧的光刻胶层；设置于光刻胶层远离衬底一侧的第一金属层；和设置于第一金属层远离衬底一侧的纳米光栅。利用所述纳米光栅对光刻胶层执行光刻工艺，得到光刻胶图案；其中，隔离层与光刻胶层的折射率差异小于隔离层与第二金属层的折射率差异。

公开(公告)号：CN220473342U

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202321819594.X

申请日：2023-07-11

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 曾志男 ,  张路遥 ,  刘人奇

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/88

Abstract: 本实用新型公开了光学检测系统。一种光学检测系统包括扫描台、Wolter镜和探测器。扫描台用于承载待测的样品，并且布置成使样品能够被入射光照射以产生反射光和散射光。Wolter镜布置成使反射光和散射光掠入射到Wolter镜并反射掠入射的光。探测器布置成接收从Wolter镜反射的光。

公开(公告)号：CN220084691U

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202320858065.4

申请日：2023-04-17

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 喻虹 ,  谈志杰

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/88 ,  G01N21/956

Abstract: 本公开涉及一种光学测量设备。该光学测量设备包括：光源，所述光源被配置为产生至少两束测量光束，其中，所述至少两束测量光束中的每束测量光束被配置为分别沿不同的出射光路行进以用于照射到相应的样品上；以及至少两个光学探测器，所述至少两个光学探测器中的每个光学探测器分别设于相应的一条出射光路上，且每个光学探测器被配置为接收并检测沿相应的出射光路行进的测量光束与相应的样品相互作用所产生的出射光的至少一部分。