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公开(公告)号：CN117130227A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210596447.4
申请日：2022-05-18
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本公开提供了一种自对准深紫外光刻方法，可以应用于半导体技术领域。该方法包括：制备多层结构，其中，所述多层结构包括：衬底；设置于所述衬底的第二金属层；设置于所述第二金属层远离所述衬底一侧的第二光刻胶层；设置于所述第二光刻胶层远离所述衬底一侧的第一金属层；设置于所述第一金属层远离所述衬底一侧的硬掩膜层；和设置于所述硬掩膜层远离所述衬底一侧的第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层执行第一光刻工艺，得到第一光刻胶图案；以所述第一光刻胶图案作为掩膜，在所述硬掩膜层中形成纳米光栅；以及利用所述纳米光栅对所述第二光刻胶层执行第二光刻工艺，得到第二光刻胶图案，其中，所述第二光刻胶图案的线宽小于第一光刻胶图案的线宽。
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公开(公告)号：CN117130230A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210604717.1
申请日：2022-05-18
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种基于深紫外辐射源的干涉光刻方法，可以应用于微纳米结构加工技术领域，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上制备多层结构，其中，所述多层结构包括：设置于所述衬底的第二金属层；设置于所述第二金属层远离所述衬底一侧的光刻胶层；设置于所述光刻胶层远离所述衬底一侧的第一金属层；所述第一金属层具有纳米周期结构；利用所述深紫外辐射源发出的深紫外光照射所述多层结构的第一金属层，在所述多层结构的作用下所述深紫外光转化为表面等离激元；利用所述表面等离激元对所述光刻胶层进行光刻，以形成光刻胶图案，其中，所述纳米周期结构具有第一周期，所述光刻胶图案具有第二周期，所述第二周期小于所述第一周期。
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公开(公告)号：CN117130229A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210604595.6
申请日：2022-05-18
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本公开提供了一种深紫外干涉光刻方法，可以应用于半导体技术领域。该方法包括：制备多层结构，包括：衬底；设置于衬底的第二金属层；设置于第二金属层远离衬底一侧的隔离层；设置于隔离层远离衬底一侧的光刻胶层；设置于光刻胶层远离衬底一侧的第一金属层；和设置于第一金属层远离衬底一侧的纳米光栅。利用所述纳米光栅对光刻胶层执行光刻工艺，得到光刻胶图案；其中，隔离层与光刻胶层的折射率差异小于隔离层与第二金属层的折射率差异。
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